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使用壓電薄膜傳感器作為加速度計(jì)

加速度計(jì)可以用在儀表中,，測(cè)量加速度(速度對(duì)時(shí)間的變化率)和測(cè)量傾斜度(物體的縱軸和與地球表面相切的平面的垂線之間形成的傾角),。傾斜度測(cè)量可以被看成“直流”或穩(wěn)態(tài)測(cè)量。在理論上,，加速度可以是穩(wěn)態(tài)的,，但在實(shí)際應(yīng)用當(dāng)中,，加速度通常是一個(gè)短期的暫時(shí)現(xiàn)象。

發(fā)表于：7/15/2010

Vishay Siliconix 推出三款新型500V N溝道功率MOSFET

賓夕法尼亞、MALVERN — 2010 年 7 月 13日 — 日前,，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布,，推出三款新型500V、12A的N溝道功率MOSFET --- SiHP12N50C-E3,、SiHF12N50C-E3和SiHB12N50C-E3,，該MOSFET在10V柵極驅(qū)動(dòng)下的最大導(dǎo)通電阻達(dá)到超低的0.555Ω，柵極電荷減小為48nC,，采用TO-220,、TO-220 FULLPAK和D2PAK(TO-263)封裝。　

發(fā)表于：7/14/2010

DRAM廠制程轉(zhuǎn)換不順　新產(chǎn)能變數(shù)多

近期DRAM市場供需雜音多,，由于終端需求前景不明,，7月合約價(jià)不見起色，仍持續(xù)往下修正,，加上隨著40和50納米制程微縮導(dǎo)致產(chǎn)能增加,，進(jìn)而壓抑價(jià)格走勢(shì)，然值得注意的是,，目前各家DRAM廠在40和50納米世代轉(zhuǎn)換不順消息頻傳,，新產(chǎn)能是否能如期出籠仍存變量，因此,，第3季DRAM價(jià)格還有多少修正空間,，目前仍處于混沌狀態(tài)。

發(fā)表于：7/14/2010

美光科技推出第三代低延時(shí)內(nèi)存

2010年7月14日,，北京訊 –美光科技(Micron Technology, Inc)今天推出了第三代低延時(shí)DRAM (RLDRAM○R 3內(nèi)存)—一種高帶寬內(nèi)存技術(shù),，能更有效的傳輸網(wǎng)絡(luò)信息。視頻內(nèi)容,、移動(dòng)應(yīng)用和云計(jì)算的蓬勃發(fā)展,，對(duì)網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施提出了更高效的要求，以便在線傳輸大量數(shù)據(jù),。與前幾代產(chǎn)品相比,，美光新的RLDRAM 3內(nèi)存進(jìn)一步提高了存儲(chǔ)密度和速度，同時(shí)最大限度地減少了延遲,，降低了功耗,，在網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用中性能更好。

發(fā)表于：7/14/2010

傳感器：物聯(lián)網(wǎng)成引擎新技術(shù)催生新機(jī)遇

作為政府從戰(zhàn)略層面進(jìn)行推進(jìn)的產(chǎn)業(yè),，物聯(lián)網(wǎng)如何從愿景走向現(xiàn)實(shí)應(yīng)用并得到快速發(fā)展已成為業(yè)界關(guān)注的話題,。正所謂“萬丈高樓平地起”，作為構(gòu)成物聯(lián)網(wǎng)的基礎(chǔ)單元,，傳感器在物聯(lián)網(wǎng)信息采集層面能否如愿以償完成它的“使命”,，成為物聯(lián)網(wǎng)成敗的關(guān)鍵,。并且未來MEMS、MOEMS(微光機(jī)電系統(tǒng))將成為物聯(lián)網(wǎng)的技術(shù)核心,，使無線傳感網(wǎng),、光網(wǎng)快速加入物聯(lián)網(wǎng)的應(yīng)用系統(tǒng)，為其提供更明確的應(yīng)用方向和更豐富的市場機(jī)會(huì),，物聯(lián)網(wǎng)也將成為傳感器市場的新引擎,。

發(fā)表于：7/13/2010

全面解析今年一季全球半導(dǎo)體硅片產(chǎn)能

國際半導(dǎo)體數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)機(jī)構(gòu)SICAS近期的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)中，表示采用MOS工藝以8英寸等值硅片計(jì),，另一類工藝為雙極工藝,，通常用在模擬電路中。除了標(biāo)有300mm硅片MOS之外,，雙極數(shù)據(jù)以5英寸等值硅片計(jì),，而分立器件以6英寸等值硅片計(jì)?？偟陌雽?dǎo)體SC數(shù)據(jù),，包括雙極數(shù)據(jù)由5英寸轉(zhuǎn)換成8英寸利用轉(zhuǎn)換率0.391及分立器件由6英寸轉(zhuǎn)換成8英寸，利用轉(zhuǎn)換率0.563,。

發(fā)表于：7/13/2010

2010中國電子制造商采購行為調(diào)查

中國電子展兩年前首次在展覽期間推出“中國市場電子元器件領(lǐng)軍廠商評(píng)選活動(dòng)”,，這一評(píng)選活動(dòng)一經(jīng)推出，就受到了業(yè)界的廣泛關(guān)注,，參與和反響都很不錯(cuò)。今年將于11月3-5日在上海新國際博覽中心召開的第76屆中國電子展仍然會(huì)將這一評(píng)選活動(dòng)作為一場重量級(jí)的業(yè)內(nèi)互動(dòng)交流平臺(tái)推廣,。

發(fā)表于：7/12/2010

中國(成都)電子展　數(shù)以萬計(jì)專業(yè)觀眾追捧為哪般？

中國電子展自07年首次移師西部以來贏得了數(shù)以萬計(jì)買家的大力支持,。去年召開的成都展接待觀眾13109人次，近500家展商參與展示活動(dòng),，包括了IBM,、英特爾、安捷倫,、泰克科技,、力科、福祿克,、德國羅森伯格,、羅德與施瓦茨、ESPEC等行業(yè)巨頭,，以及元器件和半導(dǎo)體的國際領(lǐng)軍廠商泰科電子,、威世國際,、村田制作所、安富利,、太陽誘電,、飛兆半導(dǎo)體、德州儀器,、ALTERA,、Actel、Xilinx,、微芯科技,、ADI等。還有很多優(yōu)秀的國內(nèi)企業(yè)：中科泛華,、泉州火炬,、常州堅(jiān)力、常州銀河,、常州同惠,、寧波晨翔等。

發(fā)表于：7/12/2010

基于FPGA的DDR內(nèi)存條的控制研究與設(shè)計(jì)

隨著數(shù)據(jù)存儲(chǔ)量的日益加大以及存儲(chǔ)速度的加快,，大容量的高速存儲(chǔ)變得越來越重要,。內(nèi)存條既能滿足大容量的存儲(chǔ)又能滿足讀寫速度快的要求，這樣使得對(duì)內(nèi)存條控制的應(yīng)用越來越廣泛,。首先介紹了內(nèi)存條的工作原理,，內(nèi)存條電路設(shè)計(jì)的注意事項(xiàng)，以及如何使用FPGA實(shí)現(xiàn)對(duì)DDR內(nèi)存條的控制,，最后給出控制的仿真波形,。

發(fā)表于：7/12/2010

Vishay Siliconix推出新款ThunderFET?功率MOSFET

賓夕法尼亞、MALVERN — 2010 年 7 月 9 日 — 日前,，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布,，推出采用針對(duì)更高電壓器件優(yōu)化的新型低導(dǎo)通電阻技術(shù)的首款TrenchFET®功率MOSFET --- ThunderFET? SiR880DP。新器件是業(yè)界首款在4.5V柵極驅(qū)動(dòng)下就能導(dǎo)通的80V功率MOSFET,。新的80V SiR880DP采用熱增強(qiáng)型PowerPAK® SO-8封裝,，在4.5V、7.5V和10V下具有8.5mΩ,、6.7mΩ和5.9mΩ的超低導(dǎo)通電阻,。在4.5V柵極驅(qū)動(dòng)下，該器件的典型導(dǎo)通電阻與柵極電荷的乘積為161,，該數(shù)值是DC-DC轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中MOSFET的優(yōu)值系數(shù)(FOM,，單位是nC-mΩ)。

發(fā)表于：7/9/2010

Avnet Express推出面向亞洲的電子商務(wù)網(wǎng)站

中國北京– 2010年7月8日 - 安富利公司(NYSE: AVT)運(yùn)營機(jī)構(gòu)之一安富利電子元件(Avnet Electronics Marketing) 旗下Avnet Express近日推出亞洲最完善的電子元件電子商務(wù)網(wǎng)站 www.avnetexpress.com/asia ,，該網(wǎng)站也是業(yè)界首個(gè)支持中國在線支付系統(tǒng)的亞洲分銷商網(wǎng)站,。

發(fā)表于：7/8/2010

AMOLED短缺引發(fā)智能手機(jī)市場擔(dān)憂

據(jù)iSuppli公司,，有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管(AMOLED)供應(yīng)短缺，正在妨礙其在智能手機(jī)市場挑戰(zhàn)AMLCD技術(shù)的主導(dǎo)地位,。

發(fā)表于：7/6/2010

2011年DRAM均價(jià)將跌三成，眾廠商加大投入搏競爭力

針對(duì) DRAM 廠明年獲利分析,，集邦科技(TRENDFORCE)旗下研究部門 DRAMeXchange 指出，明年 DRAM 均價(jià)較今年下跌約30%,。然而隨著制程轉(zhuǎn)進(jìn),、成本下降， DRAM 廠營業(yè)利益率(OP Margin)成本優(yōu)勢(shì)最佳者,，今年?duì)I業(yè)利益率平均為36%,，明年平均為26%；而成本優(yōu)勢(shì)落后者,，今年下半年轉(zhuǎn)虧為營,，明年?duì)I業(yè)利益率約可維持在10%上下。

發(fā)表于：7/6/2010

LED晶粒年底可達(dá)供需平衡

LED供需爭議未止,，昨公布的一項(xiàng)報(bào)告指出,，電視用LED晶粒缺貨狀況將到年底，估計(jì)第四季就會(huì)達(dá)成平衡,。

發(fā)表于：7/5/2010

磁性材料前景樂觀

磁性材料是電子工業(yè)的重要基礎(chǔ)功能材料,，廣泛應(yīng)用于計(jì)算機(jī)、電子器件,、通訊,、汽車和航空航天等工業(yè)領(lǐng)域和家用電器、兒童玩具等日常生活用品,，隨著世界經(jīng)濟(jì)和科學(xué)技術(shù)的迅猛發(fā)展，磁性材料的需求將空前廣闊,。

發(fā)表于：7/2/2010