微波射頻相關(guān)文章 MEMS壓力傳感器及其應(yīng)用 MEMS壓力傳感器可以用類似集成電路（IC）設(shè)計技術(shù)和制造工藝,，進(jìn)行高精度,、低成本的大批量生產(chǎn),，從而為消費電子和工業(yè)過程控制產(chǎn)品用低廉的成本大量使用MEMS傳感器打開方便之門,，使壓力控制變得簡單易用和智能化。 發(fā)表于：3/15/2011 視頻監(jiān)控中分布式存儲技術(shù)方案 在一個視頻監(jiān)控系統(tǒng)中,，選擇什么樣的存儲解決方案直接決定了整個系統(tǒng)的系統(tǒng)架構(gòu)以及系統(tǒng)的性能和穩(wěn)定程度,，目前視頻監(jiān)控系統(tǒng)中的存儲方案大致上有兩種。視頻監(jiān)控系統(tǒng)存儲方案一種是在攝像監(jiān)控前端采用有一定存儲 發(fā)表于：3/15/2011 Vishay Siliconix發(fā)布具有業(yè)內(nèi)最低外形和最低導(dǎo)通電阻的TrenchFET®功率MOSFET SiA444DJT在2mmx2mm占位面積內(nèi)具有N溝道MOSFET當(dāng)中最低的外形,；SiA429DJT是具有最低導(dǎo)通電阻且高度只有0.8mm的P溝道器件 發(fā)表于：3/14/2011 高速PCB設(shè)計電容的應(yīng)用實例 要正確合理的應(yīng)用電容,，自然需要認(rèn)識電容的具體模型以及模型中各個分布參數(shù)的具體意義和作用。和其他的元器件一樣，實際中的電容與"理想"電容器不同,，" 實際"電容器由于其封裝,、材料等方面的影響，其就具備有電感,、電阻的一個附加特性,，必須用附加的"寄生"元件或"非理想 "性能來表征，其表現(xiàn)形式為電阻元件和電感元件,，非線性和介電存儲性能,。"實際"電容器模型如下圖所示。由于這些寄生元件決定的電容器的特性,，通常在電容器生產(chǎn)廠家的產(chǎn)品說明中都有詳細(xì)說明,。在每項應(yīng)用中了解這些寄生作用，將有助于你選擇合適類型的電容器,。 發(fā)表于：3/14/2011 基于光電傳感器電路的迷宮機器人設(shè)計 采用Freescale公司的MC9SDG128單片機進(jìn)行控制,，使用ROHM公司生產(chǎn)的發(fā)送接收一體化反射型光電傳感器RPR220，設(shè)計了一種新型迷宮機器人,。該迷宮機器人能夠在程序中嚴(yán)格控制光電傳感器的開關(guān),，同時用軟件消除外界干擾，取得了很好的探測效果,。 發(fā)表于：3/14/2011 無源中繼器在地下通信的應(yīng)用 一種理想的漏纜方案應(yīng)該是隨離開信號饋入端距離的增加，漏纜的耦合損耗相應(yīng)變小,，這樣就能充分利用信號電平,，延伸漏纜的覆蓋距離。由于受制造工藝的限制,，目前還難于作到這一點,，為了達(dá)到一定的覆蓋范圍要求，必須插入有源中繼器把電平提升到一定的高度才能延長覆蓋距離,。 發(fā)表于：3/13/2011 塑料光纖在系統(tǒng)局域網(wǎng)中的運用 布線系統(tǒng)在連接樓層的干線中,，由于數(shù)量少，目前廣泛使用多模石英光纖,，而在水平方向上,，還沒有一種合適的媒介既能提供足夠的帶寬，同時還兼具有安裝方便,、成本低廉,、抗干擾能力強等優(yōu)點。 發(fā)表于：3/12/2011 Vishay將在ePChina 2011展示業(yè)界領(lǐng)先的最新技術(shù) 日前,，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布,，在2011年3月15日至17日舉行的慕尼黑上海電子展(ePChina)期間，將在上海新國際博覽中心E1館展出其業(yè)界領(lǐng)先的電阻、電感器,、電容器,、二極管、功率MOSFET,、功率IC和光電子產(chǎn)品,。Vishay的工程師和銷售人員將在1322展位向觀眾提供該公司最新技術(shù)的相關(guān)信息。 發(fā)表于：3/11/2011 水清木華：CMOS攝像模組市場分析與2011展望 水清木華研究中心最新研究報告指出,，2010年CMOS攝像模組產(chǎn)值相較2009年大幅度增加,，驅(qū)動力來自三方面。一是手機攝像像素值大幅度增加,，200萬像素成為主流,；預(yù)計2011年，300萬像素將成為主流,；預(yù)計2013年,，500萬像素將成為主流。二是智能手機出貨量大幅度增加,，智能手機的照相像素普遍高于普通手機,，平均像素超過300萬像素。三是3G網(wǎng)絡(luò)的全面推廣使得視頻通話成為可能,，雙攝像頭手機大量上市,。 發(fā)表于：3/11/2011 一些過壓保護(hù)的電路器件分析 過壓保護(hù)(OVP)器件用于保護(hù)后續(xù)電路免受甩負(fù)載或瞬間高壓的破壞，在某些特定的應(yīng)用中,，基本的過壓保護(hù)電路不足以勝任器件保護(hù)的要求,，通常有以下兩種需求。第一,，電路的最大輸入電壓可能增大,；第二，適當(dāng)修改電路,，可以在發(fā)生過壓或欠壓時利用輸出電容儲能保持能量,。 發(fā)表于：3/10/2011 外部存儲器市場走出經(jīng)濟危機困境 據(jù)國外媒體報道，據(jù)Gartner的研究數(shù)據(jù)表明,，外部存儲器市場已經(jīng)從全球經(jīng)濟危機中走了出來,；該市場2010年的收入為194億美元，已經(jīng)超過了2008年的銷售記錄,。 發(fā)表于：3/10/2011 嵌入式領(lǐng)域?qū)⒀杆儆楷F(xiàn)快速存儲、新標(biāo)準(zhǔn)及更多軟件 2011年,，谷歌Android和蘋果iOS的“戰(zhàn)役”,，毫無疑問仍然在智能手機和平板電腦領(lǐng)域中繼續(xù)。但更多的較量,，將在嵌入式領(lǐng)域出現(xiàn),。 發(fā)表于：3/10/2011 一個實用的三極管開關(guān)電路分析 三極管開關(guān)電路作為功率管的控制應(yīng)用廣泛。這里對一個實用開關(guān)電路中的各元器件作用作具體分析,。 發(fā)表于：3/10/2011 基于AVR的E2PROM的數(shù)據(jù)動態(tài)存儲策略 本文以AVR系列單片機中的ATmega8為例,，從程序設(shè)計角度出發(fā)，提出一種切實可行的E2PROM數(shù)據(jù)存儲策略,，最大限度地提高片內(nèi)E2PROM空間的利用率,，從而解決上面提到的問題。 發(fā)表于：3/10/2011 Vishay推出增強型PLT系列精密低TCR薄膜電阻 日前,，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布,，推出增強型PLT系列精密低TCR薄膜電阻，將容差降至±0.01%,。在-55℃～+125℃的溫度范圍內(nèi),，這些器件具有低至±5ppm/℃的標(biāo)準(zhǔn)TCR。 發(fā)表于：3/9/2011 ?…125126127128129130131132133134…?
