高級半導(dǎo)體解決方案的主要供應(yīng)商瑞薩電子株式會社（TSE：6723,，以下簡稱瑞薩電子）,，于2011年1月12日正式宣布推出用于電源器件的新型高壓,、N通道功率金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）產(chǎn)品,。新產(chǎn)品名為RJK60S5DPK,，具有極高的效率，能顯著降低PC服務(wù)器,、通信基站以及太陽能發(fā)電系統(tǒng)等的功耗,。

新型高壓功率MOSFET  RJK60S5DPK

　　作為瑞薩電子高壓功率MOSFET系列的首款產(chǎn)品，本次的RJK60S5DPK非常適用于將交流電（AC）轉(zhuǎn)換為直流電（DC）的電源主開關(guān)電路應(yīng)用,。其所采用的高精度超級連接結(jié)構(gòu)（注1）,，使其實現(xiàn)了高于瑞薩電子現(xiàn)有產(chǎn)品約90%的性能系數(shù)（FOM，功率MOSFET產(chǎn)品的重要性能指標(biāo)）（注2）。
　
　　近年來,，為降低能源消耗,，電源電路的高效化需求正在不斷增長。尤其是平板電視,、通信基站,、PC服務(wù)器、以及太陽能發(fā)電系統(tǒng)等高輸出功率的電源開關(guān)系統(tǒng),，更是對電力轉(zhuǎn)換效率的改善與省電性能提出了更高的要求,。因此，功率MOSFET產(chǎn)品也面臨著更低的導(dǎo)通電阻（注3）性能需求,。然而,，功率MOSFET的傳統(tǒng)平面結(jié)構(gòu)卻限制了產(chǎn)品的完善空間。面對上述課題,，本次瑞薩電子嘗試將其長期累積的功率器件技術(shù)用于功率MOSFET,，利用深槽工藝，成功地開發(fā)出了高精度超級連接結(jié)構(gòu),，使MOSFET器件的單位面積導(dǎo)通電阻得到了顯著的降低,。
　
　　新型RJK60S5DPK功率MOSFET具有以下主要優(yōu)勢：
　　（1）領(lǐng)先業(yè)界的低導(dǎo)通電阻
　　新型的RJK60S5DPK導(dǎo)通電阻僅為150mΩ（在ID=10A,，VGSS=10V情況下的標(biāo)準(zhǔn)值）,，比瑞薩電子現(xiàn)有同類產(chǎn)品低了約52%，有效改善電源轉(zhuǎn)換時的電力損失,。
　
　　(2) 高速開關(guān)
　　影響開關(guān)速度的首要,、也是最主要的原因是功率MOSFET的驅(qū)動器電容。新RJK60S5DPK的驅(qū)動器電容（柵電荷Qgd）（注4）比瑞薩電子現(xiàn)有產(chǎn)品降低了約80%,，成功實現(xiàn)了6nC（在ID= 10,，VGSS=10伏情況下的標(biāo)準(zhǔn)值）的開關(guān)速度，實現(xiàn)電源轉(zhuǎn)換效率的顯著提升,。
　
　　此外,，RJK60S5DPK功率MOSFET不但采用了與TO-3P相同外形的標(biāo)準(zhǔn)封裝，同時還采用了符合業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的引腳配置,。這意味著它將非常易于安裝在采用傳統(tǒng)平面MOSFET器件并備受業(yè)內(nèi)好評的開關(guān)電源電路板上,。
　
　　相比瑞薩電子原有的平面結(jié)構(gòu)系列產(chǎn)品，采用高精密超級連接結(jié)構(gòu)的功率MOSFET系列產(chǎn)品的單位面積導(dǎo)通電阻降低了約80%,。因此,，在導(dǎo)通電阻相同的情況下,，新產(chǎn)品可幫助芯片產(chǎn)品實現(xiàn)面積的縮小,。例如，原先采用TO-3P（15.6mm×19.9mm）封裝的產(chǎn)品如采用本次的新功率MOSFET,，將可使其封裝縮小到TO-220FL（10mm×15mm）,。這對今后瑞薩電子推廣小型封裝產(chǎn)品起到至關(guān)重要的作用,。