微波射頻-AET-電子技術(shù)應用

源科公司榮膺2011德勤高科技、高成長中國50強

日前，源科公司總經(jīng)理吳佳先生受邀參加了在深圳舉行的“領(lǐng)導力與微創(chuàng)新—2011德勤高科技、高成長中國50 強頒獎典禮暨德勤創(chuàng)業(yè)家論壇”。微創(chuàng)新倡導者周鴻祎先生與來自國內(nèi)各高成長企業(yè)的管理者共同分享了他的成功經(jīng)驗。此外，主辦方還特別邀請了楊壯博士解析領(lǐng)導力對高成長企業(yè)的影響。

發(fā)表于：11/2/2011

奧地利微電子成立深圳辦事處，擴大亞太區(qū)市場布局

全球領(lǐng)先的高性能模擬IC設(shè)計者及制造商奧地利微電子公司（SIX股票代碼：AMS）今日宣布在中國深圳這一電子行業(yè)發(fā)展樞紐成立新的辦事處，積極部署亞洲及大中華區(qū)市場格局。新的辦公室將成為繼上海、北京、蘇州之后中國的第4個辦事處，也將成為奧地利微電子在中國及亞太地區(qū)新的重要據(jù)點。

發(fā)表于：10/31/2011

IDT 推出全球首款超低功耗 ±50 ppm CrystalFree? CMOS 振蕩器

擁有模擬和數(shù)字領(lǐng)域的優(yōu)勢技術(shù)、提供領(lǐng)先的混合信號半導體解決方案的供應商 IDT® 公司 (Integrated Device Technology, Inc.; NASDAQ: IDTI) ，推出業(yè)界首款擁有突破性 ±50 ppm 頻率精度和超低功耗的 CMOS 振蕩器。新器件代替了傳統(tǒng)的石英晶體振蕩器，在任何要求 ±50 ppm 時間基準的廣泛應用中，節(jié)省功耗高達 75%，包括計算、通信和消費市場。

發(fā)表于：10/31/2011

Diodes為功率因子校正應用提供嶄新高電壓整流器

Diodes公司針對功率因子校正 (Power Factor Correction，簡稱PFC) 升壓二極管應用，推出一對嶄新的600V DiodeStar 整流器，以擴展其DiodeStar產(chǎn)品系列。DSR6V600P5及DSR6U600P5以Diodes專有的powerDI?5 封裝。該封裝具備高熱效能及厚度薄的特性，從而能使用之設(shè)計的產(chǎn)品更薄、熱效能更顯著。

發(fā)表于：10/31/2011

Fox Electronics任命新銷售主管　繼續(xù)拓展亞洲市場

全球領(lǐng)先的頻率控制解決方案供應商Fox Electronics公司繼續(xù)擴充其為亞太地區(qū)客戶提供的支持服務，現(xiàn)已增聘客戶服務人員，任命曾澧欣擔任客戶服務銷售主管。

發(fā)表于：10/31/2011

吉泰電阻器一體化完勝管理挑戰(zhàn)

我國電子元件的產(chǎn)量已占全球近39%以上，電容器、電阻器、電聲器件等眾多產(chǎn)品產(chǎn)量居世界前列。電子元件企業(yè)目前面臨核心技術(shù)缺乏、企業(yè)規(guī)模較小、技術(shù)開發(fā)投入不足、產(chǎn)品檔次及利潤均較低、高端產(chǎn)品主要依賴進口、擁有自主知識產(chǎn)權(quán)較少等普遍問題。對于電阻器所屬的電子元器件行業(yè)而言，具有產(chǎn)品門類多、品種繁雜、產(chǎn)品質(zhì)量控制及可靠性要求高等行業(yè)特征。電子元器件企業(yè)要對市場做出快速反應，降低產(chǎn)品成本、提高質(zhì)量和客戶滿意度，對企業(yè)生產(chǎn)全過程實行控制協(xié)調(diào)，就必須要加強企業(yè)基礎(chǔ)管理、向管理要效益，為此亟待引入先進的管理思想和信息化技術(shù)，建立現(xiàn)代化的企業(yè)信息系統(tǒng)。

發(fā)表于：10/28/2011

小尺寸功率繼電器，用于光伏逆變器PCFN 功率繼電器，用于太陽能

TE Connectivity 中的TE繼電器部門，最近推出了一款創(chuàng)新型小尺寸功率繼電器，用于現(xiàn)代光伏發(fā)電系統(tǒng)的光伏逆變器中。 PCFN功率繼電器可將太陽能平滑地傳給電網(wǎng)。在緊急情況下，這些設(shè)備會根據(jù)當今的安全法規(guī)要求，切斷光伏發(fā)電系統(tǒng)和國家電網(wǎng)之間的連接。

發(fā)表于：10/26/2011

Ramtron提供高速串口F-RAM 器件樣片

世界領(lǐng)先的低功耗鐵電存儲器(F-RAM)和集成半導體產(chǎn)品開發(fā)商及供應商Ramtron International Corporation (簡稱Ramtron)宣布提供全新4-至 64Kb串口非易失性鐵電 RAM (F-RAM)存儲器的預認證樣片，新產(chǎn)品采用Ramtron全新美國晶圓供應商的鐵電存儲器工藝制造，具有1萬次 (1e12)的讀/寫循環(huán)、低功耗和無延遲(NoDelay? )寫入特性。

發(fā)表于：10/26/2011

Ramtron任命Scott Emley擔任市場推廣副總裁

世界領(lǐng)先的低功耗非易失性鐵電隨機存取存儲器(F-RAM)和集成半導體產(chǎn)品開發(fā)商及供應商Ramtron International Corporation (簡稱Ramtron) 宣布任命Scott Emley為市場推廣副總裁。Emley 先生將領(lǐng)導全球市場推廣團隊，全面負責包括應用和技術(shù)支持的產(chǎn)品線推廣，并向Ramtron首席執(zhí)行官Eric Balzer報告。　　

發(fā)表于：10/26/2011

熱插拔 (Hot Swap?) I2C 總線緩沖器可提供高噪聲裕度、電平移位和阻塞總線恢復功能

凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高噪聲裕度緩沖器 LTC4313 和 LTC4315，這兩款器件可為 I2C / SMBus / PMBus 系統(tǒng)提供電容緩沖和總線擴展能力。隨著一根 I2C 總線上設(shè)備數(shù)目的擴大，增加的電容會大幅度地延長上升時間。LTC4313 和 LTC4315 通過總線分段使上述問題得以緩解，并且提供了高邏輯低噪聲裕度的額外優(yōu)勢，這得益于其 0.3 ? VCC 的保證最小 VIL。這使 LTC4313 和 LTC4315 能與用于驅(qū)動一個高邏輯低輸出電壓 (VOL) 的非 I2C 型設(shè)備配合工作。另外，這還允許將多個 LTC4313 或 LTC4315 串接起來使用，并改善大型噪聲系統(tǒng)中 I2C 通信的可靠性。

發(fā)表于：10/25/2011

ADI 推出緊湊型多軸 MEMS 振動監(jiān)控器

Analog Devices, Inc.( http://www.analog.com/zh/pr1020 ) (ADI)，全球領(lǐng)先的高性能信號處理解決方案供應商，最近推出振動監(jiān)控器，提供更高效的振動檢測，不斷幫助工業(yè)設(shè)備設(shè)計人員改善系統(tǒng)性能，降低維護成本。這款全集成振動分析系統(tǒng)內(nèi)置一個嵌入式可編程處理器，提供方向感測和頻譜分析，識別每個振動源并加以歸類。借助這種振動監(jiān)控器，用戶將能在第一時間檢測、識別并隔離振動源，避免因設(shè)備和軸承磨損導致運行錯誤和損失巨大的設(shè)備停機。ADIS16228振動監(jiān)控器噪聲性能額定值僅為248 ug/ √Hz，動態(tài)范圍為±18g，可設(shè)定為0 g 至1 g/5 g/10 g/20 g。通過嵌入這種小型振動監(jiān)控器，包括風輪機、精密工廠自動化和組裝設(shè)備在內(nèi)的各種應用都能從自動振動剖面分析中受益。

發(fā)表于：10/24/2011

滑鼠8-PIN芯片的大規(guī)模商用全面爆發(fā)

業(yè)界領(lǐng)先的高性能互動多媒體混合信號系統(tǒng)級芯片供應商埃派克森微電子(Apexone Microelectronics)日前宣布：推出業(yè)界唯一的8-PIN最小封裝、支持DPI調(diào)節(jié)的3D4K單芯片光電鼠標芯片A2638，以及“翼”系列2.4 G 無線鼠標方案的第二代產(chǎn)品ASM667高性能模組。這些產(chǎn)品經(jīng)過近3個月業(yè)內(nèi)數(shù)十家廣大廠商的小試和批量生產(chǎn)反復驗證，獲得熱烈反響，滑鼠8-PIN芯片的大規(guī)模商用即將全面爆發(fā)。其采用了埃派克森業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的多項創(chuàng)新專利技術(shù)，可在進一步簡化電腦周邊設(shè)備廠商電路設(shè)計和降低系統(tǒng)成本的同時，為廠商提供了更高的性能和更靈活的空間設(shè)計，以設(shè)計制造用戶體驗更加、性價比更高的產(chǎn)品。

發(fā)表于：10/21/2011

意法半導體（ST）率先采用硅通孔技術(shù)，實現(xiàn)尺寸更小且更智能的MEMS芯片

橫跨多重電子應用領(lǐng)域、全球第一大消費電子和便攜設(shè)備MEMS（微機電系統(tǒng)）傳感器供應商意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM）率先將硅通孔技術(shù)（TSV）引入MEMS芯片量產(chǎn)。在意法半導體的多片MEMS產(chǎn)品（如智能傳感器、多軸慣性模塊）內(nèi)，硅通孔技術(shù)以垂直短線方式取代傳統(tǒng)的芯片互連線方法，在尺寸更小的產(chǎn)品內(nèi)實現(xiàn)更高的集成度和性能。

發(fā)表于：10/20/2011

Vishay Siliconix 再次刷新業(yè)內(nèi)最小N溝道和P溝道功率MOSFET記錄

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出業(yè)內(nèi)采用最小的0.8mm x 0.8mm芯片級封裝的N溝道和P溝道功率MOSFET---Si8802DB和Si8805EDB。8V N溝道Si8802DB和P溝道Si8805EDB TrenchFET®功率MOSFET所用的MICRO FOOT®封裝的占板面積比僅次于它的最小芯片級器件最高可減少36%，而導通電阻則與之相當甚至更低。

發(fā)表于：10/20/2011

經(jīng)驗之談：電容使用注意事項以及失效解決辦法

在確認使用及安裝環(huán)境時，作為按產(chǎn)品樣本設(shè)計說明書所規(guī)定的額定性能范圍內(nèi)使用的電容器，應當避免在下述情況下使用，過流（電流超過額定紋波電流），施加紋波電流超過額定值后，會導致電容器體過熱，容量下降，壽命縮短...

發(fā)表于：10/18/2011