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三星HBM押注下一代存儲技術(shù)CXL

8月19日消息,據(jù)媒體報道,三星至今仍在HBM市場落后SK海力士,于是押注于下一代存儲技術(shù)Compute Express Link(CXL),預(yù)計在2024年下半年開始出貨。

發(fā)表于:8/20/2024 8:33:01 AM

華為全閃分布式存儲技術(shù)終結(jié)SSD大盤數(shù)據(jù)重構(gòu)難題

華為全閃分布式存儲技術(shù)終結(jié)SSD大盤數(shù)據(jù)重構(gòu)難題

發(fā)表于:8/20/2024 8:26:28 AM

SK海力士計劃2026年首次導入ASML High NA EUV光刻機

據(jù)韓媒 ZDNet Korea 報道,SK 海力士 EUV 材料技術(shù)人員當?shù)貢r間本月 12 日出席技術(shù)會議時向媒體表示,該企業(yè)計劃于 2026 年首次導入 ASML 的 High NA EUV 光刻機。

發(fā)表于:8/20/2024 8:19:26 AM

Dell 'Oro:全球RAN市場持續(xù)低迷 華為份額排名第一

在最新的報告中,RAN廠商排名基本沒有變化:全球收入前五名分別是華為、愛立信、諾基亞、中興通訊和三星。

發(fā)表于:8/20/2024 8:12:39 AM

豐田承認其網(wǎng)絡(luò)遭黑客盜取240GB員工和客戶信息

8 月 20 日消息,黑客在論壇上聲稱成功竊取 240GB 壓縮數(shù)據(jù)后,豐田公司承認其網(wǎng)絡(luò)遭到黑客入侵,但強調(diào)影響范圍有限,并非系統(tǒng)范圍內(nèi)的問題。 黑客曝料 ZeroSevenGroup 在暗網(wǎng)論壇上發(fā)帖,表示成功入侵了一家美國分公司,并竊取了 240GB 的文件,其中包括豐田員工和客戶的信息,以及合同和財務(wù)信息。黑客還聲稱使用開源 ADRecon 工具,收集了包括憑證在內(nèi)的網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施信息,該工具有助于從 Active Directory 環(huán)境中提取大量信息。

發(fā)表于:8/20/2024 8:05:11 AM

匯頂科技新一代安全芯片榮獲CC EAL6+安全認證

近日,匯頂科技新一代NFC+eSE安全芯片成功通過SOGIS CC EAL6+安全認證,成為國內(nèi)首款在同類型產(chǎn)品中安全等級最高的產(chǎn)品。憑借這一成就,匯頂科技將以全球頂尖的安全防護能力,打造智能終端安全應(yīng)用普及的“芯”引擎。

發(fā)表于:8/19/2024 2:37:11 PM

國產(chǎn)AI芯片廠商如何打破英偉達CUDA生態(tài)的壟斷

國產(chǎn)AI芯片廠商如何打破英偉達CUDA生態(tài)的壟斷? 2024年8月19日,“第四屆滴水湖中國RISC-V產(chǎn)業(yè)論壇”在上海滴水湖洲際酒店召開。北京大學講席教授、RISC-V國際基金會人工智能與機器學習專委會主席謝濤做了主題為《萬物智聯(lián)時代RISC-V+AI之路》,介紹了國產(chǎn)AI芯片產(chǎn)業(yè)如何打破英偉達CUDA生態(tài)的壟斷。

發(fā)表于:8/19/2024 2:35:28 PM

臺灣計劃2027年發(fā)射首枚B5G通信衛(wèi)星

臺灣計劃2027年發(fā)射首枚B5G通信衛(wèi)星 預(yù)算8.8億新臺幣

發(fā)表于:8/19/2024 10:58:55 AM

美國敲定最新版V2X技術(shù)國家部署計劃

8月18日消息,美國交通部發(fā)布了最新的V2X技術(shù)國家部署計劃,這項名為“通過連接拯救生命:加速V2X部署的計劃”的V2X計劃旨在指導V2X技術(shù)在美國的實施。 該計劃最初于去年 10 月以草案形式發(fā)布以征求公眾意見,更新包括 5G 和非地面網(wǎng)絡(luò)技術(shù)以及 5.9GHz 的 DSRC 協(xié)議。目標是到 2028 年實現(xiàn) 12 個可互操作的網(wǎng)絡(luò)安全部署,到 2036 年超過 50 個。這些公司將使用來自三家供應(yīng)商的芯片,預(yù)計將是高通和Autotalks以及瑞薩電子,以及來自兩家供應(yīng)商的設(shè)備。

發(fā)表于:8/19/2024 10:45:49 AM

晶合集成1.8億像素相機全畫幅CMOS成功試產(chǎn)

8月19日消息,今日,晶合集成宣布與思特威聯(lián)合推出業(yè)內(nèi)首顆1.8億像素全畫幅(2.77英寸)CMOS圖像傳感器(以下簡稱CIS),為高端單反相機應(yīng)用圖像傳感器提供更多選擇。 據(jù)了解,晶合集成基于自主研發(fā)的55納米工藝平臺,與思特威共同開發(fā)光刻拼接技術(shù),克服了在像素列中拼接精度管控以及良率提升等困難,成功突破了在單個芯片尺寸上,所能覆蓋一個常規(guī)光罩的極限。 同時確保在納米級的制造工藝中,拼接后的芯片依然保證電學性能和光學性能的連貫一致。

發(fā)表于:8/19/2024 10:35:01 AM

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