工業(yè)自動(dòng)化-AET-電子技術(shù)應(yīng)用

工業(yè)自動(dòng)化最新文章

意法半導(dǎo)體推出采用強(qiáng)化版STripFET F8技術(shù)的標(biāo)準(zhǔn)閾壓40V MOSFET

2024 年 11 月 29日，中國(guó)——意法半導(dǎo)體推出了標(biāo)準(zhǔn)閾值電壓 (VGS(th))的40V STripFET F8 MOSFET晶體管，新系列產(chǎn)品兼?zhèn)鋸?qiáng)化版溝槽柵技術(shù)的優(yōu)勢(shì)和出色的抗噪能力，適用于非邏輯電平控制的應(yīng)用場(chǎng)景。

發(fā)表于：12/16/2024

慶祝顯示技術(shù)30年創(chuàng)新歷程

2024年10月，應(yīng)用材料公司慶祝顯示器制造設(shè)備創(chuàng)新30周年！我們?cè)谕苿?dòng)關(guān)鍵顯示技術(shù)變革方面有悠久的傳統(tǒng)，并且有能力在下一次重大技術(shù)變革中也處于領(lǐng)先地位——即將高端智能手機(jī)中先進(jìn)的OLED顯示技術(shù)應(yīng)用于成千上百萬(wàn)的設(shè)備，從AR/VR頭顯到平板電腦、個(gè)人電腦和電視。

發(fā)表于：12/16/2024

RCL完整測(cè)試方案設(shè)計(jì)及選擇

RCL完整測(cè)試方案設(shè)計(jì)及選擇

發(fā)表于：12/13/2024

RCL完整測(cè)試所需儀器介紹

RCL完整測(cè)試所需儀器

發(fā)表于：12/13/2024

電感的重要參數(shù)介紹

電感的重要參數(shù)介紹

發(fā)表于：12/13/2024

電容的主要參數(shù)介紹

電容器的主要參數(shù)包括以下幾個(gè)方面： ?1.電容值（Capacitance Value）：表示電容器儲(chǔ)存電荷的能力，通常以法拉（F）為單位，但在實(shí)際應(yīng)用中更常用的單位是微法拉（μF）、皮法拉（pF）等。 2.額定電壓（Rated Voltage）：指電容器能夠安全工作的最大電壓，超過(guò)這個(gè)電壓可能會(huì)導(dǎo)致電容器擊穿或損壞。 3.容差（Tolerance）：指電容器的實(shí)際電容值與標(biāo)稱電容值之間的允許偏差范圍，通常以百分比表示。

發(fā)表于：12/13/2024

電阻的主要參數(shù)介紹

電阻的主要參數(shù)包括以下幾個(gè)方面： 1.阻值（Resistance Value）：這是電阻的基本特性，表示電阻對(duì)電流流動(dòng)的阻礙程度，通常以歐姆（Ω）為單位。 2.額定功率（Rated Power）：指電阻在正常工作條件下能夠承受的最大功率，超過(guò)這個(gè)功率可能會(huì)導(dǎo)致電阻過(guò)熱甚至損壞。功率以瓦特（W）為單位。 3.容差（Tolerance）：指電阻的實(shí)際阻值與標(biāo)稱阻值之間的允許偏差范圍。容差通常以百分比表示，例如5%或1%。 4.溫度系數(shù)（Temperature Coefficient）：

發(fā)表于：12/13/2024

電感的主要類型介紹

電感器是用絕緣導(dǎo)線繞制而成的一種電磁感應(yīng)組件，是電子電路中不可或缺的重要元件之一，它在儲(chǔ)能、濾波、調(diào)諧等方面發(fā)揮著重要作用。

發(fā)表于：12/13/2024

電容的主要類型介紹

電容器是一種兩塊導(dǎo)體中間夾著一塊絕緣體（介質(zhì)）構(gòu)成的電子元件，是電子、電力領(lǐng)域中不可缺少的電子元件，主要用于電源濾波、信號(hào)濾波、信號(hào)耦合、諧振、濾波、補(bǔ)償、充放電、儲(chǔ)能、隔直流等電路中。

發(fā)表于：12/13/2024

電阻的主要類型介紹

電阻表示導(dǎo)體對(duì)電流阻礙的大小，是電子電路中不可或缺的元件，其類型繁多，不同類型的電阻適用于不同的電路和環(huán)境。

發(fā)表于：12/13/2024

詳解ASML收購(gòu)Mapper背后的四方暗斗

近日，一名具有俄羅斯背景的ASML前員工因涉嫌竊取ASML和Mapper Lithography 的微芯片手冊(cè)等文件而被荷蘭政府拘留，引發(fā)各方關(guān)注。這位工程師曾是電子束光刻設(shè)備廠商Mapper的員工，后來(lái)這家公司被ASML收購(gòu)，于是包括該工程師在內(nèi)很多員工也就成為了ASML的員工，Mapper公司及其產(chǎn)品線也被關(guān)閉。那么，為何這位工程師在竊取ASML資料的同時(shí)，還會(huì)去竊取已經(jīng)“作古”的Mapper的資料呢？

發(fā)表于：12/13/2024

Rapidus與Synopsys和Cadence簽署2nm合作協(xié)議

12月12日消息，日本晶圓代工大廠Rapidus近日宣布，其已與EDA大廠Synopsys 和 Cadence Design Systems 簽署了合作協(xié)議，后者將為其 2nm 代工業(yè)務(wù)提供EDA設(shè)計(jì)工具，并獲取 AI 制造數(shù)據(jù)。Synopsys將有權(quán)訪問(wèn)Rapdius的人工智能工具制造數(shù)據(jù)，而Cadence將提供針對(duì)背面電源傳輸進(jìn)行優(yōu)化的內(nèi)存和接口IP。

發(fā)表于：12/13/2024

臺(tái)積電美國(guó)廠制造成本比中國(guó)臺(tái)灣高出30%

12月13日消息，晶圓代工大廠臺(tái)積電亞利桑那州晶圓廠一期工程即將于2025年初量產(chǎn)4nm，而根據(jù)麥格理銀行的最新研究顯示，臺(tái)積電亞利桑那州的晶圓廠的制造成本可能將比中國(guó)臺(tái)灣工廠高出30%。

發(fā)表于：12/13/2024

Rapidus宣布2025年4月啟動(dòng)2nm試產(chǎn)線

12 月 13 日消息，據(jù)《日本經(jīng)濟(jì)新聞》報(bào)道，日本先進(jìn)半導(dǎo)體制造商 Rapidus 的會(huì)長(zhǎng)東哲郎本月 11 日在 SEMICON Japan 展會(huì)開幕式上致辭時(shí)表示對(duì)該企業(yè)的 2nm 試產(chǎn)線充滿信心。

發(fā)表于：12/13/2024

光芯片公司Ayar Labs獲英特爾英偉達(dá)和AMD1.55億美元融資

12 月 12 日消息，光學(xué) I/O 企業(yè) Ayar Labs 美國(guó)加州當(dāng)?shù)貢r(shí)間 11 日宣布完成 1.55 億美元（注：當(dāng)前約 11.27 億元人民幣）規(guī)模 D 輪融資。該輪融資使得 Ayar Labs 的總資金升至 3.7 億美元，同時(shí)估值突破 10 億美元大關(guān)。

發(fā)表于：12/13/2024