工業(yè)自動(dòng)化-AET-電子技術(shù)應(yīng)用

工業(yè)自動(dòng)化最新文章

復(fù)旦團(tuán)隊(duì)國(guó)際首次驗(yàn)證超快閃存集成工藝

8 月 13 日消息，據(jù)復(fù)旦大學(xué)官方今日消息，人工智能的飛速發(fā)展迫切需要高速非易失存儲(chǔ)技術(shù)。當(dāng)前主流非易失閃存的編程速度在百微秒級(jí)，無(wú)法支撐應(yīng)用需求。復(fù)旦大學(xué)周鵬-劉春森團(tuán)隊(duì)前期研究表明二維半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)能夠?qū)⑺俣忍嵘磺П兑陨希瑢?shí)現(xiàn)顛覆性的納秒級(jí)超快存儲(chǔ)閃存。然而，如何實(shí)現(xiàn)規(guī)模集成、走向?qū)嶋H應(yīng)用極具挑戰(zhàn)。從界面工程出發(fā)，復(fù)旦大學(xué)團(tuán)隊(duì)在國(guó)際上首次驗(yàn)證了 1Kb 超快閃存陣列集成驗(yàn)證，并證明了超快特性可延伸至亞 10 納米尺度。北京時(shí)間 8 月 12 日下午 5 點(diǎn)，相關(guān)成果以《二維超快閃存的規(guī)模集成工藝》（“A scalable integration process for ultrafast two-dimensional flash memory”）為題發(fā)表于國(guó)際頂尖期刊《自然-電子學(xué)》（Nature Electronics），DOI: 10.1038 / s41928-024-01229-6。

發(fā)表于：8/13/2024

把兩塊芯片壓成一塊：EUV以來(lái)半導(dǎo)體制造的最大創(chuàng)新

把兩塊芯片壓成一塊：EUV以來(lái)半導(dǎo)體制造的最大創(chuàng)新

發(fā)表于：8/13/2024

傳臺(tái)積電將在高雄建設(shè)1.4nm晶圓廠

因應(yīng)全球芯片訂單及AI快速發(fā)展，臺(tái)積電持續(xù)尋覓可用廠區(qū)土地，將最先進(jìn)制程技術(shù)留在臺(tái)灣發(fā)展。高雄楠梓園區(qū)除3座2納米技術(shù)晶圓廠外，還有基地可容納2納米以下技術(shù)設(shè)廠需求。據(jù)悉，高雄市府已超前部署，鎖定A14（14埃米）制程，盤(pán)點(diǎn)次世代先進(jìn)技術(shù)生產(chǎn)土地及水電供給，作為臺(tái)積電堅(jiān)強(qiáng)后盾。針對(duì)臺(tái)積電將于高雄擴(kuò)大埃米制程布局，公司低調(diào)表示不回應(yīng)市場(chǎng)傳言。

發(fā)表于：8/13/2024

消息稱(chēng)三星電子確認(rèn)平澤P4工廠1c nm DRAM內(nèi)存產(chǎn)線投資

8 月 12 日消息，韓媒 ETNews 報(bào)道稱(chēng)，三星電子內(nèi)部已確認(rèn)在平澤 P4 工廠建設(shè) 1c nm DRAM 內(nèi)存產(chǎn)線的投資計(jì)劃，該產(chǎn)線目標(biāo)明年 6 月投入運(yùn)營(yíng)。平澤 P4 是一座綜合性半導(dǎo)體生產(chǎn)中心，分為四期。在早前規(guī)劃中，一期為 NAND 閃存，二期為邏輯代工，三期、四期為 DRAM 內(nèi)存。三星已在 P4 一期導(dǎo)入 DRAM 生產(chǎn)設(shè)備，但擱置了二期建設(shè)。而 1c nm DRAM 是第六代 20~10 nm 級(jí)內(nèi)存工藝，各家的 1c nm（或?qū)?yīng)的 1γ nm）產(chǎn)品目前均尚未正式發(fā)布。韓媒在報(bào)道中稱(chēng)，三星電子計(jì)劃在今年底啟動(dòng) 1c nm 內(nèi)存生產(chǎn)。

發(fā)表于：8/13/2024

美光加碼投資臺(tái)灣建立第二研發(fā)中心

美光總裁暨CEO Sanjay Mehrotra今年7月訪問(wèn)中國(guó)臺(tái)灣，將帶來(lái)更進(jìn)一步合作，例如在人工智能（AI）應(yīng)用扮演重要角色的高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）。據(jù)悉，美光將加碼在中國(guó)臺(tái)灣投資，除制造HBM先進(jìn)制程外，不排除有機(jī)會(huì)在中國(guó)臺(tái)灣創(chuàng)建第二個(gè)研發(fā)中心。

發(fā)表于：8/13/2024

武漢光谷實(shí)驗(yàn)室研發(fā)量子點(diǎn)光刻膠

8 月 13 日消息，武漢光谷實(shí)驗(yàn)室宣布與華中科技大學(xué)等研究團(tuán)隊(duì)合作研發(fā)出高性能量子點(diǎn)光刻膠（QD-PR），其藍(lán)光轉(zhuǎn)換效率達(dá)到 44.6%（綠色）和 45.0%（紅色），光刻精度達(dá)到 1 μm，各項(xiàng)性能指標(biāo)為行業(yè)領(lǐng)先水平。

發(fā)表于：8/13/2024

日本研究團(tuán)隊(duì)提出EUV光刻新方案

日本提出EUV光刻新方案：光源功率可降低10倍，成本將大幅降低！

發(fā)表于：8/13/2024

英國(guó)牛津大學(xué)推出柔性多結(jié)太陽(yáng)能電池板

英國(guó)牛津大學(xué)推出柔性多結(jié)太陽(yáng)能電池板，轉(zhuǎn)換效率有望達(dá)到45%

發(fā)表于：8/13/2024

夏普考慮將半導(dǎo)體和相機(jī)模組事業(yè)出售給鴻海

8 月 12 日消息，夏普于 8 月 9 日宣布，正在考慮在本財(cái)年內(nèi)將半導(dǎo)體業(yè)務(wù)和智能手機(jī)用相機(jī)模組業(yè)務(wù)出售給鴻海。對(duì)于出售金額，夏普社長(zhǎng)沖津雅浩稱(chēng)由于談判剛剛開(kāi)始，更多細(xì)節(jié)目前不便透露。

發(fā)表于：8/13/2024

美國(guó)芯片法案簽署兩周年記

美國(guó)芯片法案簽署兩周年：已吸引3950億美元投資，創(chuàng)造115000個(gè)工作崗位！

發(fā)表于：8/13/2024

消息稱(chēng)聯(lián)發(fā)科首款A(yù)I PC芯片明年公布

據(jù)最新消息，聯(lián)發(fā)科將推出首款 PC 芯片以進(jìn)軍 AI PC 領(lǐng)域，并計(jì)劃攜手英偉達(dá)，在明年上半年公布具體信息，這無(wú)疑是對(duì)英特爾、AMD、高通等 PC 芯片陣營(yíng)的一次挑戰(zhàn)。此次聯(lián)發(fā)科與英偉達(dá)的合作，旨在打造一個(gè)集高效能與低功耗于一身的 Arm PC 處理器。這款芯片預(yù)計(jì)將在今年第三季度完成設(shè)計(jì)藍(lán)圖，并在第四季度進(jìn)入全面驗(yàn)證階段，隨后于明年上半年正式亮相。業(yè)內(nèi)人士普遍認(rèn)為，聯(lián)發(fā)科此次的優(yōu)勢(shì)不僅在于其以往在效能與功耗上的出色表現(xiàn)，更在于其更加親民的價(jià)格策略，這有望在價(jià)格敏感的市場(chǎng)中掀起一陣風(fēng)暴。

發(fā)表于：8/13/2024

日本十大半導(dǎo)體設(shè)備廠商二季度獲利同比暴漲80%

日本十大半導(dǎo)體設(shè)備廠商二季度獲利同比暴漲80%！

發(fā)表于：8/13/2024

Nexperia最新擴(kuò)充的NextPower 80/100V MOSFET產(chǎn)品組合可提供更高的設(shè)計(jì)靈活性

　　奈梅亨，2024年8月7日：Nexperia今日宣布，公司正在持續(xù)擴(kuò)充其N(xiāo)extPower 80 V和100 V MOSFET產(chǎn)品組合，并推出了幾款采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)5x6 mm和8x8 mm尺寸的新型LFPAK器件。這些新型NextPower 80/100 V MOSFET針對(duì)低RDS（on）和低Qrr進(jìn)行了優(yōu)化，可在服務(wù)器、電源、快速充電器和USB-PD等各種應(yīng)用以及各種電信、電機(jī)控制和其他工業(yè)設(shè)備中提供高效率和低尖峰。設(shè)計(jì)人員可以從80 V和100 V器件中進(jìn)行選擇，RDS（on）選型從1.8 mΩ到15 mΩ不等。

發(fā)表于：8/13/2024

筑波科技與美商泰瑞達(dá)攜手共創(chuàng)半導(dǎo)體測(cè)試新局面-專(zhuān)訪市場(chǎng)總監(jiān)Aik-Moh Ng

　　臺(tái)灣新竹，2024年08月05日——自2022年以來(lái)，筑波科技（ACE Solution）與美商泰瑞達(dá) （Teradyne）展開(kāi)策略合作，共同推動(dòng)半導(dǎo)體測(cè)試的 ETS 平臺(tái)。我們特別專(zhuān)訪 Teradyne 的營(yíng)銷(xiāo)總監(jiān)Aik-Moh Ng，他自2006年以來(lái)一直領(lǐng)導(dǎo) Teradyne ETS 亞太地區(qū)團(tuán)隊(duì)。

發(fā)表于：8/12/2024

貿(mào)澤電子開(kāi)售適用于壓力傳感器應(yīng)用的

　　2024年8月5日 – 專(zhuān)注于引入新品的全球半導(dǎo)體和電子元器件授權(quán)代理商貿(mào)澤電子（Mouser Electronics）即日起開(kāi)售Analog Devices, Inc. （ADI）的MAX40109低功耗精密傳感器接口片上系統(tǒng) （SoC）。該SoC集成了高精度、可編程的模擬前端（AFE），以及模數(shù)轉(zhuǎn)換器（ADC）、校準(zhǔn)存儲(chǔ)器和數(shù)字信號(hào)處理功能。MAX40109采用TQFN封裝，設(shè)計(jì)用于應(yīng)力、壓力、溫度、應(yīng)變計(jì)和惠司通電橋等多種傳感器應(yīng)用。

發(fā)表于：8/12/2024