據(jù)香港券商報告，三星電子2025年6月未能通過第三次英偉達(dá)12層HBM3E芯片認(rèn)證。

三星電子目前計劃于9月進(jìn)行第四次認(rèn)證。

三星最新的認(rèn)證工作未能達(dá)到英偉達(dá)的標(biāo)準(zhǔn)，這為其進(jìn)入下一波AI工作負(fù)載HBM供應(yīng)的時間表帶來了進(jìn)一步的不確定性。

盡管三星提前提升了HBM3E的產(chǎn)量，但由于未能獲得認(rèn)證，其供應(yīng)計劃被推遲。

與此同時，美光科技似乎正取得新進(jìn)展。

美光公司利用韓美半導(dǎo)體的熱壓鍵合（TCB）設(shè)備，提高8層和12層HBM3E芯片的良率。

12層HBM3E芯片的良率已達(dá)到70%，而8層HBM3E芯片的良率則達(dá)到75%。