4月28日消息，據(jù)韓國媒體 sedaily 報導(dǎo),，三星電子已確定將在三年內(nèi)量產(chǎn)被稱為次世代內(nèi)存的“垂直信道晶體管（VCT）DRAM”的藍圖,。外界解讀，三星有意比競爭對手SK海力士更早一個世代成功量產(chǎn),，以挽回“超級差距”的地位,。

VCT DRAM是指將內(nèi)存單元中控制電流流動的晶體管垂直排列的產(chǎn)品。與傳統(tǒng)平面方式相比,，可以排列更多晶體管，實現(xiàn)更高容量,，因此被視為潛力巨大的“游戲規(guī)則改變者”,。然而，這種制作方式比傳統(tǒng)工藝更繁復(fù)且嚴苛,，不僅前段制程（晶圓制作）難度高,，還需動用過去DRAM制程中未曾使用過的先進封裝技術(shù),，技術(shù)門坎相當(dāng)高,。

三星電子目前正量產(chǎn)10nm級的第五代DRAM,，并以今年量產(chǎn)第六代產(chǎn)品為目標,。隨著明年開發(fā)第七代產(chǎn)品的時程已確定，三星在第八代（1e）DRAM與全新制程技術(shù)VCT DRAM之間進行權(quán)衡后,，最終選擇后者這個技術(shù)路線,。

據(jù)悉,，SK海力士則規(guī)劃第七代DRAM，再來依序是1奈米級第1代（0a）,、垂直DRAM（VG）的導(dǎo)入時間表,。由此來看，如果三星計劃順利推進,，將領(lǐng)先一步開啟「V DRAM時代」,。另外，傳三星電子內(nèi)部已將負責(zé)第八代產(chǎn)品的前期研究團隊與第七代團隊合并,。

業(yè)界預(yù)期,，VCT DRAM有望在2~3年內(nèi)看到實體產(chǎn)品。業(yè)界人士指出,，由于三星近期在單一DRAM領(lǐng)域也開始落后,，可以看出他們希望透過領(lǐng)先未來技術(shù)重拾市場領(lǐng)導(dǎo)者的自尊心。

對于這項消息,，三星電子則回應(yīng)稱“尚未確定具體的DRAM產(chǎn)品藍圖”,。