12月9日消息,，根據韓國媒體BusinessKorea報道稱,，三星電子在其半導體研究所中已經成功完成了突破性400層堆疊NAND Flash閃存技術的開發(fā)。同時,，三星也自上個月開始,，將這項先進技術轉移到其平澤園區(qū)一號工廠中大規(guī)模生產線。而這一重要的里程碑的達成,，將使得三星處于NAND Flash技術的領先位置,，將有望領先已經宣布計劃量產321層NAND Flash的SK海力士。

此前的消息顯示,，三星電子計劃于2025年2月在美國舉行的2025年國際固態(tài)電路會議（ISSCC）上詳細介紹其1Tb容量400層堆疊TLC NAND Flash閃存,，并且預計將于2025年下半年正式開始量產。不過,，一些市場專家預測,，如果加快進程，大量生產的階段可能會在明年第二季結束時開始,。

除了400層NAND Flash閃存之外,，三星電子2025年增加其先進內存產品線的產量。其中,，三星電子計劃在平澤園區(qū)安裝新第9代（286層堆疊）的NAND Flash閃存生產設施,，月產能為30,000至40,000片晶圓。此外,，在中國西安工廠，三星將繼續(xù)將128層堆疊（V6）NAND Flash閃存生產線,，轉換為236層堆疊（V8）NAND Flash閃存產品制程,。

報道指出，三星電子400層堆疊NAND Flash閃存的開發(fā)代表了相關技術的重大進步,。三星電子早在2013年就推出的3D NAND Flash閃存,，提升了容量與讀取速率之后，隨著最新的400層堆疊TLC NAND Flash閃存的開發(fā)完成,，顯示哲該公司在相關技術上的顯著進步,。

三星電子目前在全球NAND Flash閃存市場市占率取得領先的位置，市占率為36.9%,。不過,，SK海力士率先在2023年量產238層堆疊的NAND Flash閃存,，最近又宣布計劃量產321層堆疊的NAND Flash閃存，帶給三星很大壓力,。

NAND Flash閃存市場近期受到多種因素的影響,，包括消費者需求、定價趨勢,，以及人工智能（AI）和數據中心等數據密集型應用的興起,，在數據中心用NAND Flash的銷售量不斷增加情況下，市場需求逐漸加溫,。然而,，11月128Gb MLC的產品近期的交易價格下降了29.8%，均價為2.16美元,。根據市場調研機構TrendForce的分析,，雖然2024年第四季NAND Flash價格預計下跌了3-8%，但企業(yè)級固態(tài)硬盤（SSD）仍預計將上漲了5%,。

報道強調,，在三星電子準備大規(guī)模生產400層堆疊TLC NAND Flash閃存的同時，該公司也專注于優(yōu)化晶圓良率,。目前NAND Flash研發(fā)階段的良率為10-20%,。該技術成功轉移到生產線后，練綠的持續(xù)提升對于達成更高的產量和滿足市場需求將成為重要關鍵,。