9月20日,，據(jù)Business Korea援引日本財務(wù)省最新發(fā)布的報告報道稱,，今年8月份日本對中國的半導(dǎo)體設(shè)備出口額同比飆升 61.6%，達(dá)到 1799 億日元（約合12.9億美元或人民幣88億元）。盡管美國聯(lián)合日本和荷蘭對中國實施了先進半導(dǎo)體設(shè)備的出口管制,，但日本對華半導(dǎo)體設(shè)備出口的大幅增長,，凸顯了中國對于成熟制程半導(dǎo)體制造設(shè)備的持續(xù)需求,。

報告稱,，上個月日本出口到中國的設(shè)備總重量為 6,742 噸，比上個月增長 41%,。機械和設(shè)備占日本對中國出口總額的 23.2%,，其中半導(dǎo)體設(shè)備占比 11.9%。這種激增凸顯了日本在全球半導(dǎo)體供應(yīng)鏈中的關(guān)鍵作用,，為半導(dǎo)體制造提供必要的技術(shù)和材料,。

與此同時，領(lǐng)先的光刻機供應(yīng)商荷蘭公司 ASML 對中國的出口額也有所增長,。今年第二季度,，ASML對中國的出口額比上一季度增長了21%，達(dá)到23億歐元,。ASML 是全球最大的光刻設(shè)備供應(yīng)商,，同時也是唯一的極紫外 （EUV） 光刻機供應(yīng)商,，該設(shè)備對于生產(chǎn)7nm以下制程工藝的半導(dǎo)體至關(guān)重要。

值得注意的是,，根據(jù)中國工信部公布的資料顯示,，中國國產(chǎn)的65nm分辨率、≤8nm套刻精度的光刻機已經(jīng)就緒,。另外,，近期上海微電子 （SMEE）申請的一項“極紫外 （EUV） 輻射發(fā)生器和光刻設(shè)備”的專利也被曝光,。這些信息都反應(yīng)了中國在推動先進光刻設(shè)備國產(chǎn)化方面的努力,。

《南華早報》評論說：“這是一個很好的例子，說明中國半導(dǎo)體公司如何在美國制裁的情況下擴大其先進設(shè)備市場,。

美國財政部于9月 19 日和 20 日在中國召開了“經(jīng)濟工作組”會議,，以傳達(dá)對中國未來成熟制程半導(dǎo)體產(chǎn)能過剩的擔(dān)憂。此次會議反映了美國和中國之間持續(xù)的貿(mào)易緊張局勢,，尤其是在科技和半導(dǎo)體領(lǐng)域,。有人猜測，美國和日本政府可能會出臺與半導(dǎo)體技術(shù)對華出口限制相關(guān)的額外政策,。

對中國的制裁可能加劇,，這引發(fā)了人們對全球半導(dǎo)體供應(yīng)鏈可能中斷的擔(dān)憂。中國可以通過阻止半導(dǎo)體制造必需礦物（如鎵和石墨）的出口來回應(yīng),。此舉可能會對全球公司產(chǎn)生重大影響,，包括三星電子等韓國巨頭，這些公司可能面臨半導(dǎo)體生產(chǎn)中斷,。