創(chuàng)新技術(shù)賦能先進(jìn)制造,，推動產(chǎn)業(yè)效率革命?

2025年3月27日，Semicon China 2025期間,，全球領(lǐng)先的真空設(shè)備制造商愛發(fā)科集團(tuán)正式推出三款面向先進(jìn)半導(dǎo)體制造的核心設(shè)備：?多腔室薄膜沉積系統(tǒng)ENTRON-EXX?,、?針對12英寸晶圓的?集群式先進(jìn)電子制造系統(tǒng)uGmni-300以及離子注入系統(tǒng)SOPHI-200-H?。此次發(fā)布的產(chǎn)品以“靈活高效,、智能協(xié)同”為核心設(shè)計理念,，覆蓋晶圓制造,、化合物半導(dǎo)體及封裝等關(guān)鍵領(lǐng)域,，助力客戶實現(xiàn)技術(shù)突破與產(chǎn)能升級。

多腔室薄膜沉積系統(tǒng)ENTRON-EXX：靈活智造，釋放產(chǎn)能極限

ENTRON-EXX以?“靈活布局”,、“高效生產(chǎn)”,、“智能運(yùn)維”?三大特性重新定義薄膜沉積工藝：

ENTRON-EXX適用于半導(dǎo)體邏輯芯片、存儲器（包括DRAM,、NAND及新一代非易失性存儲器）以及封裝等各類尖端產(chǎn)品的生產(chǎn),。

· 靈活模塊化設(shè)計?：采用即插即用平臺設(shè)計，徹底解決了原機(jī)型因獨立布線設(shè)計導(dǎo)致的設(shè)備連接復(fù)雜問題,。新設(shè)計不僅縮短了設(shè)備啟動時間,，更使模塊添加與更換更加便捷，模塊更換時間較原機(jī)型縮短50%,；該系統(tǒng)最多可配置12個模塊,，包括8個工藝模塊、2個Degas模塊,，1個冷卻模塊和1個對準(zhǔn)模塊,。相較于EX，升級的中間冷卻與對準(zhǔn)模塊能更好地滿足客戶多元化需求,。

· 卓越生產(chǎn)力表現(xiàn)?：通過靈活配置,，系統(tǒng)能最大限度滿足客戶多樣化需求，實現(xiàn)潔凈室空間的高效利用,。相較ENTRON-EX,，單平臺占地面積減少10%，組合平臺減少5%,。

· 智能數(shù)據(jù)賦能?：新一代ENTRON-EXX顯著提升了數(shù)據(jù)采集能力：通過增加傳感器數(shù)量,，數(shù)據(jù)采集周期縮短至原機(jī)型的1/10；系統(tǒng)能采集更精準(zhǔn),、更海量的數(shù)據(jù),，從而實現(xiàn)對設(shè)備運(yùn)行狀態(tài)的高效分析。

集群式先進(jìn)電子制造系統(tǒng)uGmni-300：12英寸晶圓一站式解決方案

uGmni系列以“統(tǒng)一傳輸核心”為核心,，打造12英寸晶圓高度集成的電子制造平臺,，實現(xiàn)了濺射、刻蝕,、去膠,、CVD不同工藝的靈活搭配，使這些工藝可以在統(tǒng)一的傳送核心上實現(xiàn)統(tǒng)一調(diào)配,，大大提升了制造的靈活性和效率,。

· 全工藝兼容?：支持濺射、刻蝕,、去膠,、PE-CVD等工藝模塊自由組合,，滿足多樣化需求。

· 大尺寸基板支持?：可處理300mm基板,，適配先進(jìn)封裝,、MEMS及光電器件制造。

· 智能協(xié)同管理?：統(tǒng)一傳輸界面與標(biāo)準(zhǔn)化組件設(shè)計,，減少備件庫存,。

特別值得一提的是，uGmni不僅支持12寸晶圓,，對于使用8寸片的產(chǎn)線客戶,，愛發(fā)科也提供了uGmni-200的設(shè)備選項，可以根據(jù)客戶需求對應(yīng)不同尺寸的基板,。在性能指標(biāo)方面,，能夠為客戶提供詳細(xì)的參考數(shù)據(jù)。

同時,，uGmni可以根據(jù)客戶的實際工藝需求,，提供4邊的、6邊的,、7邊,、8邊等不同形狀的對接方案型號可供選擇。

離子注入系統(tǒng)SOPHI-200-H：突破束流極限,，賦能精密制造新高度

SOPHI-200-H是一款為電子器件設(shè)計的高性能設(shè)備,，可支持SiC、Si基功率器件  MEMS 及Smart cut工藝,。無論是超薄基板還是特殊材料,，它都能輕松應(yīng)對，為半導(dǎo)體制造行業(yè)提供全方位的解決方案,。無論是超薄基板還是特殊材料,，它都能輕松應(yīng)對，為半導(dǎo)體行業(yè)提供全方位的解決方案,。

高精度與高效率的完美結(jié)合：在生產(chǎn)力方面,，SOPHI-200-H實現(xiàn)了重大突破。高壓終端升級后,，束流強(qiáng)度實現(xiàn)了倍增,，尤其在低能區(qū)表現(xiàn)顯著優(yōu)化。束流平行度可精準(zhǔn)控制在0.1度以內(nèi),，確保工藝的極致均勻性,。

在工藝性能上，SOPHI-200-H同樣表現(xiàn)優(yōu)異：具備nA至mA量級的束流穩(wěn)定性,，單一設(shè)備即可覆蓋從高到低的全束流工藝,，大幅降低設(shè)備切換成本,，提升生產(chǎn)效率。

SOPHI-200-H展現(xiàn)了極強(qiáng)的靈活性：可穩(wěn)定處理50μm至2000μm不同厚度基板,，滿足多樣化需求,。同時兼容玻璃基板及TAIKO基板,，大大擴(kuò)展了應(yīng)用場景,。

SOPHI-200-H以其高性能、高穩(wěn)定性和廣泛兼容性,，為功率器件和電子器件制造提供了完善的解決方案,。

?市場價值與行業(yè)展望

愛發(fā)科此次發(fā)布的三大創(chuàng)新設(shè)備，直擊半導(dǎo)體制造中的效率,、靈活性與工藝集成痛點,，尤其為碳化硅、氮化鎵等化合物半導(dǎo)體及先進(jìn)封裝領(lǐng)域提供關(guān)鍵技術(shù)支撐,。愛發(fā)科通過智能化,、模塊化設(shè)計，助力客戶應(yīng)對“小批量,、多品類”的柔性制造趨勢,，加速從研發(fā)到量產(chǎn)的轉(zhuǎn)化周期。這不僅展現(xiàn)了其在真空制造領(lǐng)域的技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)力,，更彰顯了以客戶需求為核心的研發(fā)理念,。

愛發(fā)科中國市場總監(jiān)王禹表示：“愛發(fā)科始終勇于創(chuàng)新、竭盡所能,。在半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域,，愛發(fā)科有一只專業(yè)的專家團(tuán)隊，客戶有任何設(shè)備上的問題,，愛發(fā)科都將全力解決,；有任何改進(jìn)建議，我們都虛心接受并積極改進(jìn),。在未來,，愛發(fā)科愿意與業(yè)內(nèi)先鋒一起，披荊斬棘,，共同克服半導(dǎo)體先進(jìn)制造的難關(guān),。”

通過靈活高效的模塊化設(shè)計,、智能協(xié)同的工藝整合,，以及覆蓋全產(chǎn)業(yè)鏈的解決方案，愛發(fā)科正助力全球客戶突破技術(shù)瓶頸,，加速邁向“智造未來”,。

未來,，愛發(fā)科將繼續(xù)深耕真空技術(shù)與半導(dǎo)體制造工藝的融合創(chuàng)新，攜手行業(yè)伙伴推動產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同升級,，為新能源,、人工智能等前沿領(lǐng)域提供堅實的技術(shù)底座。