真是逆天了,，清華大學搞出了一個EUV光源方案，震驚了所有人,。

最近幾天,，隨著華為Mate 60的問世，麒麟9000S的熱度居高不下,，國內(nèi)外各種機構,、個人都在拆解分析這顆芯片,，得出的結(jié)論也比較多。但不管真相如何,，這顆芯片使用的必然不是最先進的工藝制程,，但卻獲得了不俗的性能表現(xiàn)，這也讓很多人十分意外,，也證明了華為的芯片設計方面的能力,。

那么隨著這次的突破，大家紛紛猜測,，是不是國產(chǎn)光刻機也有了大進展,。隨后，關于國產(chǎn)DUV光刻機和EUV光刻機的也就傳聞越來越多,。目前來看,，可以總結(jié)為，DUV很快就會交付使用,，EUV快的話是明年,。是不是非常值得期待呢？

不過大家也別著急,，勁爆的消息還有很多,，例如就在剛剛，突然傳出消息,，清華大學正在搞一個新的EUV光源方案,，他就是SSMB-EUV光源，我們先來簡單說說這個是什么意思,。

大家看圖,，感覺是一個環(huán)形跑道對吧，這就是它的特別之處,，200米長,，20米寬，也就是大,。

我們都知道,，ASML的EUV光刻機的光源是小型化的產(chǎn)品，因為光刻機是用來銷售的,，涉及到運輸環(huán)節(jié),，所以決定了它的整機尺寸不能太大。而我們不需要考慮外觀尺寸的問題,，能滿足需求即可,。

清華大學的這個SSMB-EUV光源，功率達到了10千瓦,，是ASML EUV光源250瓦功率的40倍,，能夠同時支持數(shù)十臺光刻機,，換句話說，一個大型的EUV光刻機工廠出現(xiàn)了,。想象那個畫面,，都挺美好的。對此,，有網(wǎng)友評論的非常有趣,，由步槍變成了機關槍，還有網(wǎng)友說這哪是光刻機,，這是光刻炮?。?/p>

這個大型裝置首先是利用高重頻微波電子槍產(chǎn)生一串電子束,，長度百納秒量級,。產(chǎn)生的電子束將在一段直線加速腔中被加速到約400 MeV，此時的電子束是脈沖分布的,，間隔為加速所用微波的周期(約10 cm),。之后將這些電子束團注入到展束環(huán)中對束團進行縱向的拉伸，使電流分布由梳狀得到展平,，得到在縱向上均勻分布的準連續(xù)束團。之后將該束團從展束環(huán)引出,，注入到SSMB主環(huán)中進行儲存,，在主環(huán)中，電子束由于激光調(diào)制器的聚束作用并在量子激發(fā)和輻射阻尼平衡下保持微聚束狀態(tài),， 束長在數(shù)十納米量級,。該微聚束在輻射段被進一步壓縮到3nm左右，實現(xiàn)波長13.5nm的強相干輻射,，從而輸出千瓦量級的EUV光,。

另外，SSMB-EUV光源并不是現(xiàn)在才有的,，早在2021年年初,，相關的論文就發(fā)表在了世界頂級學術期刊《自然》上。

并且根據(jù)今年年初官方的消息,，SSMB-EUV光源落戶雄安,。

其實早期的極紫外光也是靠大型電子加速器獲取的，但是為了將EUV光刻機商品化,，所以對EUV光源進行了小型化改造,，所以其技術難度也很高。

當然,，有了SSMB-EUV光源,，不意味著傳統(tǒng)的EUV光源我們就不搞了,。例如，頭一段時間,，長春光機所公開了一批省科技獎提名項目,，其中有五項是與光刻機有關，并且大部分都跟EUV光刻機有關,，包括極紫外光光刻機光學技術,。可見,，我國在EUV光源領域已經(jīng)取得了不少突破,。

多種技術方向齊頭并進，這也是我們的傳統(tǒng),，哪個先完成,，哪個技術先進、成本可靠,、效率高,，就先用哪個。

總之,，SSMB-EUV光源這個方案極具創(chuàng)新性,，把極紫外光光源變成了類似發(fā)電廠發(fā)出來的電，天然氣公司輸送的天然氣,，供暖企業(yè)提供的熱水,，把這些資源變成了一種原材料，根據(jù)自己的需求購買,，極大的降低了EUV光刻機的復雜性,，有效降低了技術難度，好處多多,。

不管怎樣,，從多種線索來看，有網(wǎng)友表示的國產(chǎn)EUV光刻機也快了,，看來絕非空穴來風,。不論是ASML的DUV光刻機還是EUV光刻機，都是西方按照他們的邏輯,、技術去實現(xiàn)的,。不意味著，我們一定要走他們走過的路,，這時,，中國人所具備的聰明特質(zhì)，就發(fā)揮作用了,。

所以,，還是那句話,，千萬別再用西方的過往經(jīng)驗套用在中國身上，真的不適用,。那么接下來,，就讓我們等待更多國產(chǎn)半導體產(chǎn)業(yè)鏈的好消息吧。