美國(guó) 賓夕法尼亞 MALVERN、中國(guó) 上海 - 2023年5月23日 - 日前,，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布,，推出17款新型第三代650 V 碳化硅（SiC）肖特基二極管。Vishay Semiconductors器件采用混合PIN Schottky（MPS）結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),，具有高浪涌電流保護(hù)能力,，正向壓降、電容電荷和反向漏電流低,，有助于提升開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)能效和可靠性,。

　　日前發(fā)布的新一代SiC二極管包括4A至40A器件，采用TO-22OAC 2L和TO-247AD 3L 插件封裝和D2PAK 2L（TO-263AB 2L）表面貼裝封裝,。由于采用MPS結(jié)構(gòu),，器件正向壓降比上一代解決方案低0.3V，正向壓降與電容電荷乘積,，即電源能效重要優(yōu)值系數(shù)（FOM）,，相比上一代解決方案降低17%。

　　與接近的競(jìng)品解決方案相比,，二極管室溫下典型反向漏電流低30%,，高溫下低70%。因此降低了導(dǎo)通損耗,，確保系統(tǒng)輕載和空載期間的高能效,。與超快恢復(fù)二極管不同，第三代器件幾乎沒(méi)有恢復(fù)拖尾,，從而能夠進(jìn)一步提升效率,。

　　與擊穿電壓相當(dāng)?shù)墓瓒O管相比，SiC二極管熱導(dǎo)率高,，反向電流低,，反向恢復(fù)時(shí)間短。二極管反向恢復(fù)時(shí)間幾乎不受溫度變化的影響,，可在+175 °C高溫下工作,，不會(huì)因開(kāi)關(guān)損耗造成能效變化。

　　器件典型應(yīng)用包括發(fā)電和勘探應(yīng)用領(lǐng)域FBPS和LLC轉(zhuǎn)換器中的AC/DC功率因數(shù)校正（PFC）和 DC/DC超高頻輸出整流,。器件具有高可靠性,，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，無(wú)鹵素,，通過(guò)2000小時(shí)高溫反偏（HTRB）測(cè)試和2000次熱循環(huán)溫度循環(huán)測(cè)試,，測(cè)試時(shí)間和循環(huán)次數(shù)是AEC-Q101規(guī)定的兩倍。

　　新型SiC二極管現(xiàn)可提供樣品并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),，供貨周期為八周,。

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