眾所周知，當前全球只有ASML一家能夠生產(chǎn)EUV光刻機,，甚至可以說很長一段時間內(nèi),，全球也只有ASML能夠生產(chǎn)光刻機，不會有第二家,。

原因在于ASML把EUV光刻機的路堵住了,，這條路別人是走不通的。

ASML與全球眾多的供應鏈,，形成了捆綁關系,，像蔡司等與ASML形成了利益共同體，EUV光刻機中,，蔡司等廠商至關重要,，掌握核心科技，缺少這些供應鏈，其它廠商不可能制造出EUV光刻機,。

所以,，目前眾多的其它光刻機企業(yè)，并不打算走EUV光刻機這條路,，在另尋它路,。

同樣的，國產(chǎn)光刻機基本上也走不通EUV這條路,，只能另尋他路,，而從現(xiàn)在的情況來看，目前主流上有三條路,，這三條路都能實現(xiàn)EUV光刻機的效果,。

第一條路是電子束光刻——用電子束在硅片上進行雕刻。

這條路的優(yōu)點是精細,，分辨率高,，比EUV光刻機還要高，美國公司Zyvex Labs生產(chǎn)出了這樣的光刻機,，實現(xiàn)0．768nm芯片的光刻,，但缺點是產(chǎn)能低，效率低,，無法大規(guī)模量產(chǎn)芯片,，只能實驗室用，但也不失為一條新的路,。

第二條路是納米壓印,，也稱NIL技術。原理是電路圖設計出來后,，刻在納米板上,，再像印書一樣壓印在硅片上。

這種的優(yōu)點非常多,，比如功率遠比EUV光刻機低,，一臺EUV光刻機一年要用1000萬度電，但這種NIL技術能耗減少90％,，且制造成本比EUV光刻機低40％,。

缺點是目前精度不夠，遠遠達不到7nm,、5nm的級別，大約還處于28－40nm及以上,，但未來精度提高后,，替代EUV完全可行。

還有一種是自組裝（DSA）光刻,，這種技術比較神奇,，就是用一些化學材料,，直接在硅晶圓上，操縱這些材料,，把芯片的電路圖刻畫出來,，比如不要的部分用材料腐蝕掉……

但這種技術，目前還遠遠看不到量產(chǎn)的希望,，這種神奇的化學材料不好找,，但美國、歐洲等實驗室據(jù)說有了進展,，不過短時間內(nèi)肯定沒戲,，只能在科幻劇中看到。

很明顯,，目前看起來最可靠的,，還是NIL納米壓印技術，完全有替代EUV光刻機的可能性,，目前國內(nèi)也在研究這個技術,。

不過研究最好的還是日本的佳能，佳能在NIL技術上專利全球最多,，且已經(jīng)有了量產(chǎn)機器,，目前在改進精度，希望國產(chǎn)加油,，也能夠趕緊推出NIL光刻機出來,，那樣我們的芯片就不怕被卡脖子了。

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