前言：

IC封裝本身就是一個復雜的市場。據(jù)最新統(tǒng)計,，半導體行業(yè)已經(jīng)開發(fā)了大約一千種封裝類型,。

目前，第一波芯片正在使用一種稱為混合鍵合的技術沖擊市場,，為基于3D的芯片產品和先進封裝的新競爭時代奠定了基礎,。

混合鍵合常出現(xiàn)在圖像傳感器設計中

銅混合鍵合最早出現(xiàn)在2016年，當時索尼將這項技術用于CMOS圖像傳感器,， 索尼從現(xiàn)在屬于Xperi的Ziptronix獲得了該技術的許可,。

多年來，CMOS 圖像傳感器供應商一直在使用它,。為了制造圖像傳感器,，供應商在工廠中處理兩個不同的晶圓：第一個晶圓由許多芯片組成，每個芯片由一個像素陣列組成,；第二個晶圓由信號處理器芯片組成,。

然后，使用混合鍵合,，將晶圓與μm級的銅對銅互連鍵合在一起,。晶圓上的die隨后被切割，形成圖像傳感器,。

這個過程與封裝幾乎無異,。但其實大多數(shù)芯片不需要混合鍵合,，對于封裝而言，混合鍵合主要用于高端設計,，因為它是一項涉及多項制造挑戰(zhàn)的昂貴技術,。

在當今先進封裝案例中，供應商可以在封裝中集成多裸片的DRAM堆棧,，并使用現(xiàn)有的互連方案連接裸片,。

通過混合鍵合，DRAM裸片可以使用銅互連的方法提供更高的帶寬,，這種方法也可以用在內存堆棧和其他高級組合的邏輯中,。

為芯片制造商提供了一些新的選擇，為下一代3D設計,、存儲立方體或3D DRAM以及更先進的封裝鋪平了道路,。

混合鍵合幾乎消除了信號丟失

混合鍵合技術與傳統(tǒng)的凸點焊接技術不同，混合鍵合技術沒有突出的凸點,，特別制造的電介質表面非常光滑,，實際上還會有一個略微的凹陷。

在室溫將兩個芯片附著在一起,，再升高溫度并對它們進行退火,，銅這時會膨脹，并牢固地鍵合在一起,，從而形成電氣連接,。

混合鍵合技術可以將互聯(lián)間距縮小到10 微米以下，可獲得更高的載流能力,，更緊密的銅互聯(lián)密度,，并獲得比底部填充膠更好的熱性能。

混合鍵合技術銅焊點的連接方式,，讓這些銅焊點承載著功率,、信號以及周圍的電介質，提供比銅微凸點多1000倍的連接性能,。

它可以將信號延遲降低到可忽略不計的水平,，同時將凸點密度提高比2．5D積分方案還高三個數(shù)量級。

混合鍵合的關鍵工藝

在傳統(tǒng)的先進封裝中組裝復雜的芯片可以擴展節(jié)點,，使用混合鍵合的先進封裝則是另一種選擇,。

工藝步驟包括電鍍（電化學沉積、ECD）,、CMP,、等離子體活化、對準、鍵合,、分離和退火,。

雖然這些工具已經(jīng)成熟，例如,，用于制造雙焊點銅互連和倒裝芯片鍵合,，但這些工藝需要進一步完善以滿足混合鍵合的需求。

其中包括小于100nm對準精度,，芯片到晶圓鍵合和分離工具的清潔度達到新水平,，具有0．5nm RMS粗糙度的出色CMP平面度以及用于最佳鍵合的電鍍。

GlobalFoundry,、英特爾,、三星、臺積電和聯(lián)電都在致力于銅混合鍵合封裝技術,，Imec和Leti也是如此,。此外,，Xperi正在開發(fā)一種混合鍵合技術,，并將該技術許可給其他公司。

產業(yè)生態(tài)系統(tǒng)的重要性

許多合資企業(yè)正在通過簽訂許可協(xié)議,、合作開發(fā)新工藝和新技術,，來推進混合鍵合產業(yè)生態(tài)的構建：

Adeia與美光、全視,、天行者,、SK海力士、索尼,、UMC,、YMTC等公司簽訂了許可協(xié)議；

應用材料公司的介電位,、蝕刻,、CMP、等離子體活化與應用材料公司新加坡先進技術開發(fā)中心的 Besi 芯片鍵合機相結合,；

EVG的融合和混合鍵合以及集體組裝／計量與奧地利EVG異構能力中心的ASM Pacific的0．2μm芯片鍵合機相結合,；

英特爾和Leti開發(fā)了一種自組裝工藝，用于使用水蒸發(fā)進行芯片到晶圓的鍵合,；

Suss Microtec將其表面處理覆蓋層測量工具與SET的芯片到晶圓鍵合機相結合,；

TEL與IBM共同開發(fā)了300mm模塊，采用硅載體晶圓和激光釋放薄型產品晶圓,。

結尾：混合鍵合代表一個轉折點

在最需要提高性能和功率的時候,，混合鍵合為晶體管節(jié)點縮放提供了一種可行的替代方案。

在不同工藝間的競爭愈加激烈，混合鍵合很快將會應用到3D DRAM,、RF調制解調器和microLED的GaN／Si鍵合等領域,。

可以毫不夸張地說，混合鍵合代表了整個行業(yè)的一個轉折點,，因為它改變了芯片制造的方式,。

部分內容來源于：雪球：混合鍵合工藝進入發(fā)展快車道；半導體行業(yè)觀察：下一代 3D 芯片／封裝競賽開始,；下一代3D封裝競賽開打,；艾邦半導體網(wǎng)：先進封裝之混合鍵合（Hybrid Bonding）的前世今生

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