12月7日,日本佳能宣布將于2023年1月上旬發(fā)售面向后道工藝的半導體光刻機新產(chǎn)品——i線步進式光刻機“FPA-5520iV LF2 Option”。
據(jù)了解,,在半導體芯片的制造工藝中,光刻機負責“曝光”電路圖案,。在曝光的一系列工藝中,在硅晶圓上制造出半導體芯片的工藝稱為前道工藝。
保護精密的半導體芯片不受外部環(huán)境的影響,并在安裝時實現(xiàn)與外部的電氣連接的封裝工藝稱為后道工藝,。
佳能介紹,新款i線步進式光刻機通過0.8μm的高解像力和拼接曝光技術,使100 x 100mm的超大視場曝光成為可能,,從而實現(xiàn)2.5D和3D技術相結合的超大型高密度布線封裝的量產(chǎn)。
和去年4月發(fā)售的前一代產(chǎn)品“FPA-5520iV LF Option”相比,,新品能夠將像差抑制至四分之一以下,,視場尺寸也較52x68mm大幅增加。
所謂i線也就是光源來自波長365nm的水銀燈,,和EUV光刻機使用的13.5nm波長激光等離子體光源區(qū)別明顯,。
按照佳能的說法,除芯片精細化以外,,封裝的高密度布線也被認為是實現(xiàn)高性能的技術之一,。可以預見,,隨著對更高性能半導體器件的先進封裝需求的增加,,后道工藝中的半導體光刻機市場將繼續(xù)擴大。
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