眾所周知,，目前最頂尖的光刻機(jī)是ASML的EUV光刻機(jī),，能夠制造3nm的芯片,。且在ASML的規(guī)劃中,，到2024年或2025年會(huì)交付全新一代的High－NA極紫外光刻機(jī),。

這種EUV光刻機(jī),，數(shù)值孔徑變?yōu)?．55NA,，也就是解析度（精度）為8nm,，可以制造2nm,，以及1．8nm的芯片。

至于1．8nm以下,，用什么光刻機(jī),？反正ASML現(xiàn)在還沒規(guī)劃，因?yàn)?．8nm后,，技術(shù)又會(huì)怎么樣變化,，誰(shuí)也不清楚。

但近日,，美國(guó)一家公司Zyvex,，利用一種完全不同于EUV光刻機(jī)的技術(shù)，制造出了768皮米,，也就是0．7nm的芯片,。

而0．7nm，差不多相當(dāng)于2個(gè)硅原子的寬度,，也是理論上硅基芯片的最高精度,，所以很多人認(rèn)為，當(dāng)芯片精度達(dá)到了1．8nm以后,，可能EUV光刻機(jī)也不行了,，要使用Zyvex公司研發(fā)出的這種光刻技術(shù)了。

Zyvex公司的光刻技術(shù),，是啥技術(shù),？其光刻系統(tǒng)命名為為ZyvexLitho1，是基于STM掃描隧道顯微鏡,，使用的是EBL電子束光刻方式,，與極紫外線沒有任何關(guān)系，稱之為電子束光刻機(jī),，可能更合適一點(diǎn),。

按照Z(yǔ)yvex的說法，這臺(tái)ZyvexLitho1是可以商用的,，還可以接受別人的訂單,，具體多少錢一臺(tái)，不清楚,，但機(jī)器對(duì)方可以在6個(gè)月內(nèi)出貨,。

雖然可以對(duì)外出貨，但國(guó)廠商,，想要買到它,，可能就千難萬(wàn)難了，基本不太可能,，畢竟EUV光刻機(jī)都買不到,，更不要說精度更高的電子束光刻機(jī)了,。

當(dāng)然，硅基芯片,，也不需要這種電子束光刻機(jī),，這么高的精度更多還是用于量子計(jì)算芯片，制造出一些高精度的量子器件,，納米器材等,。

另外就是，EBL電子束光刻機(jī),，產(chǎn)能非常低,，至少在目前大規(guī)模制造芯片也不現(xiàn)實(shí)，只能小規(guī)模的制造量子計(jì)算的芯片,，至于未來(lái)能不能技術(shù)改進(jìn),，提高產(chǎn)能,，進(jìn)而取代EUV光刻機(jī),，還不清楚。

但這或許也意味著在EUV光刻機(jī)后,，EBL電子束光刻機(jī)是一個(gè)新的方向,，你覺得呢？

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