最近媒體鋪天蓋地報道三星的3nm將要投產(chǎn),，而且是劃時代的GAA(環(huán)繞柵極)晶體管,。“到底是騾子是馬”還不好下判斷,，也許是4nm翻車讓三星痛定思痛,，加快了進(jìn)度;也有可能是公關(guān)障眼法。
在TheElec最新報道提到,，三星最快本周開始試產(chǎn)3nm工藝,，第一個客戶來自中國礦機芯片廠商，名為PanSemi,。
這似乎表明,，PanSemi資金雄厚且膽子挺大，畢竟三星3nm初期產(chǎn)能很低,。
企查查工商信息顯示,，PanSemi實為上海磐矽半導(dǎo)體技術(shù)有限公司，2016年才成立,，實繳注冊資本4500萬,。遺憾的是，該公司其它資料不多,，官網(wǎng)十分簡陋,，公布的企業(yè)參保人數(shù)也僅有3人。
回到3nm本身,，按照三星的說法,，與7nm制造工藝相比，3nm GAA技術(shù)的邏輯面積效率提高了45%以上，功耗降低了50%,，性能提高了約35%,。相較于目前應(yīng)用在5nm、7nm上最先進(jìn)成熟的FinFET晶體管,，GAA可以更精確地控制電流,、柵極寬度也更窄。
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