功率器件是電子裝置電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心,，主要用于改變電壓和頻率。主要用途包括變頻,、整流,、變壓,、功率放大、功率控制等,，同時具有節(jié)能功效,。功率半導(dǎo)體器件廣泛應(yīng)用于移動通訊、消費(fèi)電子,、新能源交通,、軌道交通、工業(yè)控制,、發(fā)電與配電等電力,、電子領(lǐng)域，涵蓋低,、中,、高各個功率層級。

近年來,，由于新能源汽車以及風(fēng)光儲的強(qiáng)勢需求,，功率半導(dǎo)體中，IGBT用量大幅增加,，目前IGBT的交貨周期在50周以上,。車用IGBT大廠此前表示，自家車用IGBT訂單已滿載,，但I(xiàn)GBT仍處于緊缺狀態(tài),。業(yè)內(nèi)分析師則認(rèn)為，IGBT的供需缺口大約在40％－50％左右,。

閱讀這篇文章你會了解：

1．什么是IGBT,？

2．IGBT的技術(shù)路徑

3．IGBT的市場空間

4．SiC的影響幾何,？

行業(yè)概覽

IGBT屬于雙極型,、硅基功率半導(dǎo)體，具有耐高壓特性,。融合了BJT（Bipolarjunction transistor,，雙極型三極管）和MOSFET 的性能優(yōu)勢 ， 結(jié)構(gòu)為MOSFET＋一個BJT,，兼具BJT大電流增益和MOS壓控易于驅(qū)動的優(yōu)勢,，自落地以來在工業(yè)領(lǐng)域逐步替代MOSFET和BJT，目前廣泛應(yīng)用于650－6500V的中高壓領(lǐng)域，屬于功率器件領(lǐng)域最具發(fā)展前景的賽道,。

IGBT最常見的應(yīng)用形式是模塊,。大電流和大電壓環(huán)境多使用IGBT模塊，IHS數(shù)據(jù)顯示模塊和單管比例為3：1,。而IPM是特殊的IGBT模塊,，主要應(yīng)用于中小功率變頻系統(tǒng)。

IGBT模塊主要有五種結(jié)構(gòu),。以2 in 1模塊為例,，模塊中封裝了兩組芯片，根據(jù)電流或功率要求不同每組可并聯(lián)多顆IGBT芯片（ IGBT芯片與FRD一一對應(yīng)）

IGBT模塊的優(yōu)勢：與單管相比,，IGBT模塊：

1）集成度更高,，更節(jié)約體積

2）多IGBT芯片并聯(lián)，電流規(guī)格更大

3）減少外部電路連接的復(fù)雜性

4）散熱性更好,，可靠性提升

技術(shù)路徑

IGBT產(chǎn)業(yè)大致可分為芯片設(shè)計(jì),、晶圓制造、模塊封裝,、下游應(yīng)用四個環(huán)節(jié),，其中設(shè)計(jì)環(huán)節(jié)技術(shù)突破難度略高于其他功率器件，制造環(huán)節(jié)資本開支相對大同時更看重工藝開發(fā),，封裝環(huán)節(jié)對產(chǎn)品可靠性要求高,，應(yīng)用環(huán)節(jié)客戶驗(yàn)證周期長，綜合看IGBT屬于壁壘較高的細(xì)分賽道,。

由于IGBT 芯片工作在大電流,、高電壓的環(huán)境下，對可靠性要求較高,，同時芯片設(shè)計(jì)需保證開通關(guān)斷,、抗短路能力和導(dǎo)通壓降（控制熱量）三者處于均衡狀態(tài)，芯片設(shè)計(jì)與參數(shù)調(diào)整優(yōu)化十分特殊和復(fù)雜,，因而對于新進(jìn)入者而言研發(fā)門檻較高（看重研發(fā)團(tuán)隊(duì)的設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)）

IGBT應(yīng)用端迭代節(jié)奏慢于研發(fā)端,，目前市場主流水平相當(dāng)于英飛凌第4代。由于IGBT屬于電力電子領(lǐng)域的核心元器件,，客戶在導(dǎo)入新一代IGBT產(chǎn)品時同樣需經(jīng)過較長的的驗(yàn)證周期,，且并非所有應(yīng)用場景都追求極致性能，因此每一代IGBT芯片都擁有較長的生命周期,。

IGBT制造的三大難點(diǎn)：背板減薄,、激光退火、離子注入

IGBT的正面工藝和標(biāo)準(zhǔn)BCD的LDMOS區(qū)別不大,，但背面工藝要求嚴(yán)苛（為了實(shí)現(xiàn)大功率化）,。具體來說,，背面工藝是在基于已完成正面Device和金屬Al層的基礎(chǔ)上，將硅片通過機(jī)械減薄或特殊減薄工藝（如Taiko,、Temporary Bonding 技術(shù)）進(jìn)行減薄處理,，然后對減薄硅片進(jìn)行背面離子注入，如N型摻雜P離子,、P型摻雜B離子,，在此過程中還引入了激光退火技術(shù)來精確控制硅片面的能量密度。

特定耐壓指標(biāo)的IGBT器件,，芯片厚度需要減薄到100－200μm,，對于要求較高的器件，甚至需要減薄到60～80μm,。當(dāng)硅片厚度減到100－200μm的量級,，后續(xù)的加工處理非常困難，硅片極易破碎和翹曲,。

從8寸到12寸有兩個關(guān)鍵門檻：

減薄要求從120um轉(zhuǎn)成80um,，翹曲更嚴(yán)重，國內(nèi)能解決

背面高能離子注入（氫離子注入）,，設(shè)備單價高

IGBT模塊重視散熱及可靠性,，封裝環(huán)節(jié)附加值高。IGBT模塊在實(shí)際應(yīng)用中高度重視散熱性能及產(chǎn)品可靠性,，對模塊封裝提出了更高要求,。此外，不同下游應(yīng)用對封裝技術(shù)要求存在差異,，其中車規(guī)級由于工作溫度高同時還需考慮強(qiáng)振動條件,，其封裝要求高于工業(yè)級和消費(fèi)級。

設(shè)計(jì)優(yōu)化,、材料升級是封裝技術(shù)進(jìn)化的兩個維度,。

設(shè)計(jì)升級方面主要是：

1）采用聚對二甲苯進(jìn)行封裝。聚對二甲苯具有極其優(yōu)良的導(dǎo)電性能,、耐熱性,、耐候性和化學(xué)穩(wěn)定性。

2）采用低溫銀燒結(jié)和瞬態(tài)液相擴(kuò)散焊接,。在焊接工藝方面,，低溫銀燒結(jié)技術(shù)、瞬態(tài)液相擴(kuò)散焊接與傳統(tǒng)的錫鉛合金焊接相比,，導(dǎo)熱性,、耐熱性更好,，可靠性更高,。

材料升級方面主要是：

1）通過使用新的焊材，例如薄膜燒結(jié)、金燒結(jié),、膠水或甚至草酸銀,，來提升散熱性能

2）通過使用陶瓷散熱片來增加散熱性能

3）通過使用球形鍵合來提升散熱性能。

市場空間

1個8寸晶圓可以產(chǎn)出259顆相應(yīng)規(guī)格芯片,，對應(yīng)10個80KW的車規(guī)模塊（PS：包含了FRD芯片）

結(jié)論：一顆8寸晶圓可以滿足10輛A00級車的電控需求（80KW以下）,，5輛160KW的A級車的電控需求。

光伏：光伏逆變器中IGBT單位成本約0．02元／W,。我們測算2019／20年全球光伏行業(yè)IGBT需求約23／27億元,，我們預(yù)計(jì)2025年將伴隨光伏裝機(jī)增長至70億元（國內(nèi)占比約60％，對應(yīng)42億元）,，5 年CAGR超過20％,。

風(fēng)電：預(yù)計(jì)“十四五”期間國內(nèi)風(fēng)電年均裝機(jī)超50GW，年復(fù)合增速10％－15％,。以1．5MW雙饋型風(fēng)機(jī)為例,，其中變流器中IGBT用量約21個（1700V／2400A）；目前風(fēng)電變流器中IGBT單位成本約為0．025元／W,。根據(jù)我們測算,，2020年國內(nèi)風(fēng)電行業(yè)IGBT需求約9億元，預(yù)計(jì)2025年增長至17．5億元,，5年CAGR接近15％,。

光伏＋風(fēng)電整體需求增速約15～20％；若考慮儲能需求,，實(shí)際增速更高,。

IGBT模塊是變頻器、逆變焊機(jī)等傳統(tǒng)工業(yè)控制及電源行業(yè)的核心元器件,，下游增速約10～15％ ,。

細(xì)分市場包括變頻器、工業(yè)電源,、電焊機(jī) ,、伺服器等。

工控領(lǐng)域IGBT需求相對分散,，國內(nèi)市場空間約70～80億元,，預(yù)計(jì)未來維持10～15％增速。

2020年初國家推出新能效標(biāo)準(zhǔn)加速家電的變頻化,，行業(yè)增速約20％,。以空調(diào)為例，國內(nèi)2022年完全淘汰定頻空調(diào),，定速空調(diào)和變頻3級能效產(chǎn)品以下均不符合新國標(biāo),，將淘汰目前在售的90％以上的定速空調(diào)型號和50％的變頻空調(diào)型號,。IHS預(yù)計(jì)全球2017～22年變頻家電出貨量CAGR達(dá)到19％。

變頻家電多使用IPM,，全球空間有望達(dá)百億級別,。IPM（智能功率模塊）是一種特殊的IGBT模塊，集成了驅(qū)動,、保護(hù)電路等,。空調(diào)使用2顆IPM（內(nèi)外機(jī)）,，其他家電使用1顆IPM,，單顆ASP在10～30元?；贗HS預(yù)測的變頻家電出貨量測算,，2017年到2022年全球家電用IPM總需求將由49億元增長至117億元。

目前 SiC 功率器件主要定位于功率在1kw－500kw之間,、工作頻率在10KHz－100MHz之間的場景,，特別是一些對于能量效率和空間尺寸要求較高的應(yīng)用。

SiC的影響幾何

盡管1990s SiC襯底就已經(jīng)實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化,，但可靠性和高成本限制了行業(yè)普及,。

SiC功率器件成本遠(yuǎn)高于Si基功率器件，成本降低驅(qū)動逐步滲透：

SiC 二極管：應(yīng)用相對容易,，和 Si 基產(chǎn)品價格差在3～5倍,。在比特幣的螞蟻挖礦機(jī)的電源中有批量的商業(yè)應(yīng)用，在高效能的（數(shù)據(jù)中心）電源,、 PV,、充電樁中已有不少應(yīng)用。

SiC MOSFET ：應(yīng)用相對較難,，和Si基產(chǎn)品價格差在～5倍,，在 PV 逆變器、充電樁,、電動汽車充電與驅(qū)動,、電力電子變壓器等逐步開始應(yīng)用。

根據(jù)IHS Markit數(shù)據(jù),，2018年SiC功率器件市場規(guī)模約3．9億美元,。預(yù)計(jì)到2027年將超過100億美元，對應(yīng)9年CAGR為43％,。驅(qū)動力包括：

需求端：

1）特斯拉引領(lǐng)下,，新能源汽車逐步開始使用SiC MOS，拉動龐大需求（預(yù)計(jì)是最大也是最重要的市場）

2）電力設(shè)備等領(lǐng)域的帶動

供給端：

1）產(chǎn)品技術(shù)升級,，SiC襯底尺寸從4寸轉(zhuǎn)向6寸,，再向8寸升級

2）產(chǎn)能擴(kuò)張后產(chǎn)生規(guī)模效應(yīng)

直接成本增加：在逆變器中用SiC MOS替換IGBT,，會增加約1～200美金的器件成本。

其他成本降低：

1）SiC 可使控制器效率提升 2％～8,，進(jìn)而降低電池成本,。根據(jù)CASA,，電動車每百公里電耗減少1kWh,，電池成本節(jié)約1500元（反之，同樣的電池成本續(xù)航能力更強(qiáng)）,。

2）由于高頻特性,，配套的變壓器、電感等磁性元件成本降低（電感成本與頻率成反比）,。

3）逆變器體積減小,，降低其他材料成本。

4）低功耗,、高工作結(jié)溫降低散熱要求,。