經過幾年的追趕,，國產DRAM內存芯片由合肥長鑫在2019年量產，首發(fā)的是19nm工藝,，今年合肥長鑫就要推出下一代的17nm工藝內存芯片了,，不過首發(fā)產品不是傳聞中的DDR5，而是DDR4,。

來自大摩的分析稱,，合肥長鑫的17nm工藝DRAM芯片良率已經達到了40%，預計Q2季度就會給客戶供應產品,，其成本相比臺系廠商的20nm,、25nm工藝內存更有優(yōu)勢。

至于生產方面,，大摩稱合肥長鑫的產能今年會增加到8萬片晶圓/月,，并在北京新建工廠，量產17nm工藝內存芯片,。

此前的報道中,，長鑫還會研發(fā)7nm及以下工藝的DDR5、LPDDR5等內存,，再下一代的10G5工藝中,，除了DDR5、LPDDR5之外還有GDDR6顯存,。

此外,，長鑫在2020年、2021年分別實現(xiàn)了4.5萬片晶圓/月,、6萬片晶圓/月的目標,，2022年的產能目標是12萬片晶圓/月，未來的產能目標是30萬片晶圓/月,。