在先進半導體工藝上,，臺積電目前是無可爭議的老大,，Q3季度占據(jù)全然53%的晶圓代工份額，三星位列第二,，但份額只有臺積電的1/3,，所以三星押注了下一代工藝,，包括3nm及未來的2nm工藝。

根據(jù)三星的計劃,，3nm工藝會放棄FinFET晶體管技術,，轉(zhuǎn)向GAA環(huán)繞柵極，3nm工藝上分為兩個版本,，其中3GAE(低功耗版)將在2022年年初投入量產(chǎn),，3GAP(高性能版)則會在2023年年初批量生產(chǎn)。

對比5nm,，三星新的3nm GAA可以讓面積縮小35%,，同功耗下性能提高30%，同性能下功耗降低50%,。

再往后就是2nm工藝,，三星高管日前再次表態(tài)2nm工藝會在2025年量產(chǎn)。

不過具體的工藝指標還沒公布,，只知道還是GAA晶體管,，跟3nm一樣基于MBCFET(多橋溝道FET)技術，這是一種納米片晶體管,，可以垂直堆疊,，而且兼容現(xiàn)在的CMOS工藝，共享設備與制造方法,，降低了新技術的升級成本,。

三星的2nm工藝是一大進步，創(chuàng)新亮點不少，而且跟現(xiàn)在已有的2nm技術不同——此前IBM全球首發(fā)了2nm芯片,，指甲蓋大小的面積就可以集成500億晶體管,，相比7nm工藝提升了45%的性能或者減少75%的功耗，預計2024年量產(chǎn),。

三星也參與了IBM的2nm技術,，然而自己量產(chǎn)的2nm技術跟IBM的2nm并不一樣，后者需要新的生產(chǎn)方法,，三星還會依賴自家研發(fā)的2nm技術,。