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斯達(dá)半導(dǎo)揭曉募資35億元定增結(jié)果!

2021-11-17
來源:全球半導(dǎo)體觀察整理

11月15日,,斯達(dá)半導(dǎo)披露定增結(jié)果,,本次發(fā)行價(jià)格為330.00元/股,發(fā)行股數(shù)為1060.61萬股,,募集資金總額35.00億元,。本次發(fā)行對(duì)象最終確定為14家,其中先進(jìn)制造產(chǎn)業(yè)投資基金二期獲配約3億元,,華泰證券股份有限公司獲配4.53億元,,本次發(fā)行配售結(jié)果如下:

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圖片來源:斯達(dá)半導(dǎo)公告截圖

募集資金35億元

此前9月份,,斯達(dá)半導(dǎo)發(fā)布公告稱,公司擬募集資金總額不超過35億元用于高壓特色工藝功率芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目,、SiC芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目,、功率半導(dǎo)體模塊生產(chǎn)線自動(dòng)化改造項(xiàng)目以及補(bǔ)充流動(dòng)資金。

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圖片來源:斯達(dá)半導(dǎo)公告截圖

根據(jù)公告,,高壓特色工藝功率芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目,,擬通過新建廠房及倉(cāng)庫(kù)等配套設(shè)施,購(gòu)置光刻機(jī),、顯影機(jī),、刻蝕機(jī)、PECVD,、退火爐,、電子顯微鏡等設(shè)備,用于實(shí)施高壓特色工藝功率芯片的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目,。項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)后,,預(yù)計(jì)將形成年產(chǎn)30萬片6英寸高壓特色工藝功率芯片生產(chǎn)能力。該項(xiàng)目實(shí)施主體為公司全資子公司嘉興斯達(dá)微電子有限公司,。

SiC芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目,,擬通過新建廠房及倉(cāng)庫(kù)等配套設(shè)施,購(gòu)置光刻機(jī),、涂膠顯影機(jī),、鋁刻蝕機(jī)、高溫注入機(jī)等設(shè)備,,開展SiC芯片的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化,。項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)后,預(yù)計(jì)將形成年產(chǎn)6萬片6英寸SiC芯片生產(chǎn)能力,。該項(xiàng)目實(shí)施主體為公司全資子公司嘉興斯達(dá)微電子有限公司,。

功率半導(dǎo)體模塊生產(chǎn)線自動(dòng)化改造項(xiàng)目,擬利用現(xiàn)有廠房實(shí)施生產(chǎn)線自動(dòng)化改造項(xiàng)目,,購(gòu)置全自動(dòng)劃片機(jī),、在線式全自動(dòng)印刷機(jī)、在線式全自動(dòng)貼片機(jī),、在線式全自動(dòng)真空回流爐,、在線式全自動(dòng)清洗機(jī)等設(shè)備,實(shí)施功率半導(dǎo)體模塊生產(chǎn)線自動(dòng)化改造項(xiàng)目,。項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)后,,預(yù)計(jì)將形成新增年產(chǎn)400萬片的功率半導(dǎo)體模塊的生產(chǎn)能力。該項(xiàng)目實(shí)施主體為嘉興斯達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司,。

斯達(dá)半導(dǎo)表示,,本次募集資金均用于公司主營(yíng)業(yè)務(wù)及未來戰(zhàn)略布局,,募集資金投資項(xiàng)目完成后有利于進(jìn)一步提升公司的核心競(jìng)爭(zhēng)力,鞏固公司的市場(chǎng)地位,,提高公司的持續(xù)盈利能力,,保證公司未來的可持續(xù)發(fā)展。

下游市場(chǎng)規(guī)模巨大

資料顯示,,斯達(dá)半導(dǎo)是國(guó)內(nèi)本土功率半導(dǎo)體產(chǎn)品的重要提供商之一,,且長(zhǎng)期致力于IGBT、快恢復(fù)二極管,、SiC等功率芯片的設(shè)計(jì)和工藝以及IGBT,、SiC等功率模塊的設(shè)計(jì)、制造和測(cè)試,。主要產(chǎn)品為功率半導(dǎo)體元器件,,包括IGBT、MOSFET,、IPM、FRD,、SiC等等,。產(chǎn)品應(yīng)用于新能源汽車、變頻器,、逆變焊機(jī),、UPS、光伏/風(fēng)力發(fā)電,、SVG,、白色家電等領(lǐng)域。

斯達(dá)半導(dǎo)指出,,以IGBT模塊,、SiC模塊為代表的功率半導(dǎo)體模塊廣泛應(yīng)用于電機(jī)節(jié)能、新能源,、新能源汽車,、智能電網(wǎng)、軌道交通,、白色家電等領(lǐng)域,,下游市場(chǎng)規(guī)模巨大。而在功率半導(dǎo)體器件領(lǐng)域,,以英飛凌為代表的海外頭部企業(yè)進(jìn)入較早,,在設(shè)計(jì)技術(shù)、工藝水平,、產(chǎn)品系列化等方面形成較強(qiáng)的優(yōu)勢(shì),,市場(chǎng)占有率較高,。

據(jù)悉,隨著功率半導(dǎo)體市場(chǎng)的持續(xù)發(fā)展與國(guó)產(chǎn)替代進(jìn)程的加速,,功率半導(dǎo)體具有廣闊的市場(chǎng)前景,。

近年來,國(guó)家發(fā)布了一系列支持功率半導(dǎo)體行業(yè)的政策,。如科技部在國(guó)家科技支撐計(jì)劃重點(diǎn)項(xiàng)目《電力電子關(guān)鍵器件及重大裝備研制》中,,重點(diǎn)支持IGBT芯片和模塊的研發(fā);工信部在電子發(fā)展基金中也對(duì)IGBT器件及模塊進(jìn)行了資助,。國(guó)家相關(guān)產(chǎn)業(yè)政策為項(xiàng)目實(shí)施營(yíng)造了良好的政策環(huán)境,。

另?yè)?jù)TrendForce集邦咨詢《2019中國(guó)IGBT產(chǎn)業(yè)發(fā)展及市場(chǎng)報(bào)告》顯示,中國(guó)是全球最大的IGBT市場(chǎng),,受益于工業(yè)控制,、新能源、新能源汽車等領(lǐng)域的需求大幅增加,,中國(guó)IGBT市場(chǎng)規(guī)模將持續(xù)增長(zhǎng),,到2025年,中國(guó)IGBT市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到522億人民幣,,年復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)19.11%,。

斯達(dá)半導(dǎo)稱,隨著工業(yè)控制,、新能源,、新能源汽車等下游市場(chǎng)的需求拉動(dòng),功率半導(dǎo)體器件呈現(xiàn)供不應(yīng)求的局面,。公司擬采用先進(jìn)技術(shù)和設(shè)備,,實(shí)施以IGBT和SiC為主的功率半導(dǎo)體模塊生產(chǎn)線自動(dòng)化改造項(xiàng)目,進(jìn)一步擴(kuò)大產(chǎn)能,,保證公司在市場(chǎng)份額持續(xù)提高及下游需求迅速增長(zhǎng)的情況下,,充分保障客戶需求,提升公司綜合競(jìng)爭(zhēng)力,。




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