在半導體工藝技術進入10納米節(jié)點之后,，EUV光刻設備是工藝中不可或缺的步驟。不過,，因為EUV光刻設備每臺價格高達1.5億美元,，而且產(chǎn)量有限，這使得芯片的生產(chǎn)成本驟然升高,。為解決這樣的問題,，日本存儲器大廠鎧俠現(xiàn)在聯(lián)合了合作伙伴開發(fā)了新的工藝技術，可以不使用EUV光刻設備,，使工藝技術直達5納米,。

根據(jù)日本媒體的報導，鎧俠從2017年開始與半導體設備廠佳能,，以及光罩,、模板等半導體零組件制造商DNP合作，在日本三重縣四日市的鎧俠工廠內(nèi)研發(fā)納米壓印微影的量產(chǎn)技術。當前鎧俠已掌握15納米的制程量產(chǎn)技術,，目前正在進行15納米以下技術研發(fā),，預計2025年進一步達成。

相較于目前已商用化的EUV技術半導體制程,，鎧俠表示,，NIL技術更加減少耗能，而且大幅降低設備成本,。原因在于NIL技術的微影制程較為單純,，耗電量可壓低至EUV技術的10%，并讓設備投資降低至僅有EUV設備的40%,。目前,，EUV光刻設備由荷蘭商ASML獨家生產(chǎn)供應，其不但價格高,，而且需要許多檢測設備的配合,。而雖然NIL技術有許多的優(yōu)點,，但現(xiàn)階段在導入量產(chǎn)上仍有不少問題有待解決,，其中包括更容易因灰塵而形成瑕疵。

報道指出,，對鎧俠來說,，NAND零組件因為采取3D立體堆疊結(jié)構，更容易適應NIL技術制程,。而鎧俠也表示,，當前已解決NIL的基本技術問題，正在進行量產(chǎn)技術的鴨畫工作,，希望能較其他競爭對手率先引入NAND生產(chǎn)當中,。而一旦鎧俠能成功率先引進NIL的量產(chǎn)技術，可望彌補在設備投資競賽中的不利局面,，又能符合減少碳排放的需求,。

另外，根據(jù)DNP的說法,，NIL量產(chǎn)技術電路微縮程度可達5納米節(jié)點,，而DNP從2021年春天開始，就已經(jīng)在根據(jù)設備的規(guī)格值進行內(nèi)部的模擬當中,。而對于這樣的技術進步,，DNP也透露，從半導體制造商對NIL量產(chǎn)技術詢問度的增加,，顯示不少廠商對NIL技術寄予厚望,。另外，另一個合作伙伴佳能，則是致力于將NIL量產(chǎn)技術廣泛的應用于制作DRAM及PC用的CPU等邏輯芯片的設備上,，以在未來供應多的半導體制造商,，將來也希望能應用于手機應用處理器等最先進制程上。