英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管（TO247-3pin和TO-247-4pin）。用最新的650V/SiC/G6/SBD續(xù)流二極管，取代了傳統(tǒng)Si的Rapid1快速續(xù)流二極管,，配合650V/TS5的IGBT芯片（S5/H5），進(jìn)一步優(yōu)化了系統(tǒng)效率,、性能與成本之間的微妙平衡。
IGBT混搭SiC SBD續(xù)流二極管,，在硬換流的場(chǎng)合,，至少有兩個(gè)主要優(yōu)勢(shì)：
·沒(méi)有Si二極管的反向恢復(fù)損耗Erec
·降低30%以上IGBT的開(kāi)通損耗Eon
因此，在中小功率光伏與UPS等領(lǐng)域,，IGBT混搭SiC SBD續(xù)流二極管具有較高性?xún)r(jià)比,。
此次，我們將利用英飛凌強(qiáng)大且豐富的器件SPICE模型,，同樣在Simetirx的仿真環(huán)境里,，測(cè)試不同類(lèi)型的續(xù)流二極管，對(duì)IGBT開(kāi)通特性及Eon的影響,。
特別提醒
仿真無(wú)法替代實(shí)驗(yàn),，僅供參考。
選取仿真研究對(duì)象
IGBT：650V/50A/S5,、TO247-4pin（免去發(fā)射極電感對(duì)開(kāi)通的影響）
FWD：650V/30A/50A Rapid1二極管和650V/20A/40A SiC/G6/SBD二極管
Driver IC：1EDI20I12AF驅(qū)動(dòng)芯片,，隔離單通道，適合快速I(mǎi)GBT和SiC驅(qū)動(dòng)
搭建仿真電路
如下圖1所示,，搭建了雙脈沖仿真電路,，溫度設(shè)為常溫。
驅(qū)動(dòng)回路
驅(qū)動(dòng)芯片（1EDI20I12AF）,，對(duì)下管Q1（IKZ50N65ES5）門(mén)級(jí)的開(kāi)關(guān)控制,，與上管D1續(xù)流二極管進(jìn)行換流。參照Datasheet的條件,，驅(qū)動(dòng)IC原邊5V供電及5V的控制信號(hào),，驅(qū)動(dòng)IC輸出的驅(qū)動(dòng)電壓15V/0V給到Q1的門(mén)級(jí),，驅(qū)動(dòng)電阻Rgon和Rgoff都設(shè)置為23.1Ω，再假設(shè)20nH左右的門(mén)級(jí)PCB走線電感,。
主回路部分
設(shè)置母線電壓400V,，在器件外的上管、下管和母線附近各設(shè)置10nH,，總共30nH（參照規(guī)格書(shū)中的雙脈沖測(cè)試條件,，Lσ=30nH）,。根據(jù)仿真中的驅(qū)動(dòng)脈沖寬度與開(kāi)關(guān)電流要求,，設(shè)置雙脈沖的電感參數(shù)。
圖1：雙脈沖仿真電路圖
仿真結(jié)果分析
根據(jù)上述電路,，通過(guò)選取不同的續(xù)流二極管D1的型號(hào)進(jìn)行仿真,，對(duì)比觀察Q1的IGBT在開(kāi)通過(guò)程的變化。如圖2和圖3所示,，在IGBT的開(kāi)通過(guò)程中,，當(dāng)續(xù)流管D1的型號(hào)從650V/50A/Rapid1切換到650V/40A/SiC/G6/SBD后，開(kāi)通電流Ic的電流尖峰（由D1的反向恢復(fù)電荷Qrr形成）,，從虛線（50A/Rapid1）的巨大包絡(luò),，顯著變?yōu)閷?shí)線（40A/SBD）的小電流過(guò)沖；同時(shí)電壓Vce在第二段的下降速度也明顯加快,，使得電流Ic與電壓Vce的交疊區(qū)域變小,。因此，體現(xiàn)在開(kāi)通損耗Eon上,，前者虛線（50A/Rapid1）為Eon=430uJ,，降為實(shí)線（40A/SBD）的Eon=250uJ，占比為58%,，即Eon降幅約40%,。
為了進(jìn)一步驗(yàn)證二極管D1的影響，分別用兩種不同電流進(jìn)行橫向?qū)Ρ?。由上述圖4的仿真結(jié)果可見(jiàn)：同為650V/SiC/G6/SBD二極管的Qrr本身很小,，不同電流規(guī)格（40A和20A），其Ic電流尖峰和開(kāi)通損耗Eon都很接近,。相對(duì)而言,，50A和30A的650V/Rapid1的二極管，才能體現(xiàn)出一定的差異,。
以上仿真是在門(mén)級(jí)電阻Rgon=23.1Ω,、驅(qū)動(dòng)電壓Vge=15V/0V和外部電感Lσ=30nH的條件下進(jìn)行的，如果采用不同門(mén)級(jí)電阻Rgon=18Ω或35Ω,、Vge=15V/-8V和不同外部電感（如Lσ=15nH）時(shí),，從Rapid1/50A到SiC/G6/SBD/40A,，IGBT開(kāi)通損耗Eon的變化趨勢(shì)又將如何呢？
由上述幾組仿真結(jié)果來(lái)看,，在一定門(mén)級(jí)電阻Rgon范圍,，一定外部電感條件Lσ，以及不同門(mén)級(jí)電壓Vge時(shí),，均可以看到650V/40A/SiC/SBD二極管,，給IGBT開(kāi)通帶來(lái)約50%左右的Eon損耗降低。
文章最后,，我們?cè)儆懻撘粋€(gè)問(wèn)題：選擇Vge=15V/0V與Vge=15V/-8V,，對(duì)650V/50A/S5的TO247-4pin的單管的開(kāi)關(guān)損耗Eon/Eoff有影響嗎？
在圖8和圖9中,，虛線表示Vge=15V/0V,，而實(shí)線表示Vge=15V/-8V；粗略來(lái)看,，對(duì)Eon的影響可以忽略,，而對(duì)Vge的負(fù)壓，可以減少Eoff差不多有50%（以Vce尖峰作為代價(jià)）,。仿真雖然無(wú)法定量,，至少可以定性地提醒大家，在設(shè)計(jì)與實(shí)測(cè)的時(shí)候,，不要隨意忽視Vge對(duì)開(kāi)關(guān)特性的影響,，尤其是快速型的IGBT。
期望上述的仿真分析,，對(duì)大家深入理解650V混合SiC的開(kāi)關(guān)特性有所幫助,。