為了更方便的轉(zhuǎn)型到高能效的寬禁帶半導體技術,，意法半導體發(fā)布了MasterGaN3*和 MasterGaN5兩款集成功率系統(tǒng)封裝，分別面向高達 45W 和 150W的功率變換應用,。

　　連同面向 65W 至 400W 應用的MasterGaN1,、MasterGaN2 和MasterGaN4，這兩款新產(chǎn)品為設計開關式電源,、充電器,、適配器、高壓功率因數(shù)校正 （PFC） 和 DC/DC 變換器的工程師選擇合適的氮化鎵 （GaN） 器件和驅(qū)動解決方案提供了更多的靈活性,。

　　意法半導體的 MasterGaN 概念簡化了GaN 寬禁帶功率技術替代普通硅基MOSFET的發(fā)展進程,。新產(chǎn)品集成兩個 650V 功率晶體管與優(yōu)化的高壓柵極驅(qū)動器和相關的安全保護電路，消除了柵極驅(qū)動器和電路布局設計挑戰(zhàn)。因為 GaN 晶體管可以實現(xiàn)更高的開關頻率,，新的集成功率系統(tǒng)封裝可使電源尺寸比基于硅的設計縮小 80%,，并且具有很高的穩(wěn)健性和可靠性。

　　MasterGaN3 的兩個 GaN 功率晶體管的導通電阻值 （Rds（on））不相等,，分別為 225mΩ 和 450mΩ ,，使其適用于軟開關和有源整流變換器。在 MasterGaN5 中,，兩個晶體管的導通電阻值 （Rds（on））都是450mΩ,，適用于 LLC 諧振和有源鉗位反激變換器等拓撲。

　　與MasterGaN產(chǎn)品家族的其他成員一樣,，這兩款器件都有兼容3.3V 至 15V 邏輯信號的輸入,，從而簡化了產(chǎn)品本身與 DSP處理器、FPGA 或微控制器等主控制器和霍爾傳感器等外部設備的連接,。新產(chǎn)品還集成了安全保護功能,，包括高低邊欠壓鎖定 （UVLO）、柵極驅(qū)動器互鎖,、過熱保護和關斷引腳,。

　　每款MasterGaN產(chǎn)品都有一個配套的專用原型開發(fā)板，幫助設計人員快速啟動新的電源項目,。 EVALMASTERGAN3 和 EVALMASTERGAN5開發(fā)板都包含一個單端或互補驅(qū)動信號發(fā)生器電路,。板載一個可調(diào)的死區(qū)時間發(fā)生器，以及相關的設備接口,，方便用戶采用不同的輸入信號或 PWM 信號,，連接一個外部自舉二極管來改進容性負載，為峰流式拓撲插入一個低邊檢流電阻,。

　　MasterGaN3 和 MasterGaN5 現(xiàn)已量產(chǎn),，采用針對高壓應用優(yōu)化的9mm x 9mm GQFN 封裝，高低壓焊盤間爬電距離為 2mm,。