存儲器是現(xiàn)代信息系統(tǒng)最關(guān)鍵的組件之一,，已經(jīng)形成主要由DRAM與NAND Flash構(gòu)成的超千億美元的市場,。隨著萬物智聯(lián)時代的到來，人工智能,、智能汽車等新興應(yīng)用場景對存儲提出了更高的性能要求,，促使新型存儲器迅速發(fā)展，影響未來存儲器市場格局,。

　　我國正在大力發(fā)展存儲產(chǎn)業(yè),，除了在傳統(tǒng)存儲器上努力實現(xiàn)追趕，也在提前布局新型存儲器,，這將是未來存儲產(chǎn)業(yè)生態(tài)的重要部分,。

　　新型存儲器究竟指什么，有哪些技術(shù)原理,，競爭格局如何,，未來發(fā)展前景會是怎樣？

　　本期「云岫研究」,，我們聚焦于新型存儲器中的阻變存儲器 （ReRAM或RRAM,，Resistive RAM），并通過分析其技術(shù),、應(yīng)用場景與模式,，得出如下判斷：

　　1.萬物智聯(lián)時代，需要速度、功耗,、容量等性能更強的新型存儲器,；2.對比四大新型存儲器，ReRAM在密度,、工藝制程,、成本和良率上具備明顯優(yōu)勢,；3.AIoT,、智能汽車、數(shù)據(jù)中心,、AI計算（存算一體）將是ReRAM的重要發(fā)展機遇,；4.IDM模式是ReRAM廠商的最佳選擇；

　　5.新型存儲器是中國實現(xiàn)存儲領(lǐng)域彎道超車的最佳機會,。

　　存儲器是半導(dǎo)體最大細分市場

　　新型存儲器是未來選擇

　　存儲器是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的風(fēng)向標(biāo)和最大細分市場,，約占半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的三分之一。智能時代的到來,，將引起存儲行業(yè)的新一輪爆發(fā),。

　　據(jù)YOLE統(tǒng)計，2019年以來,，存儲器成為半導(dǎo)體增速最快的細分行業(yè),，總體市場空間將從2019年的1110億美元增長至2025年的1850億美元，年復(fù)合增長率為9%,。細分市場中,，新型存儲器市場增速最快，將從5億美元增長到40億美元,，年復(fù)合增長率達到42%,，發(fā)展?jié)摿薮蟆?/p>

　　圖1：全球存儲器市場規(guī)模及增速

　　（資料來源：YOLE）

　　存儲器可以按照斷電是否能保存數(shù)據(jù)分為兩類,。

　　圖2：存儲器分類（云岫資本整理）

　　第一類易失性存儲器是以動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）和靜態(tài)隨機存取存儲器（SRAM）代表的易失性存儲器,，二者均具備高讀寫速度。其中SRAM速度高于DRAM,，但密度低于DRAM,，這是因為一個DRAM存儲單元僅需一個晶體管和一個小電容，而每個SRAM單元需要四到六個晶體管,。其共同的缺點是容量較低且成本高,，一般分別用作主存和緩存。

　　第二類非易失性存儲器包括以NOR FLASH和NAND FLASH為代表的傳統(tǒng)存儲器和四種新型存儲器,。NOR FLASH的容量較小且寫入速度極低,，但讀速較快，具備芯片內(nèi)執(zhí)行的特點，適合低容量,、快速隨機讀取訪問的場景,；NAND FLASH的容量大成本較低，但讀寫速度極低,，一般用于大容量的數(shù)據(jù)存儲,。

　　除FRAM以外的新型存儲器均是通過阻值高低變化實現(xiàn)“0”“1”數(shù)據(jù)存儲，四種新型存儲器均具備非易失性,，斷電后仍可以保存數(shù)據(jù),，相比傳統(tǒng)存儲器在讀寫速度、功耗,、壽命等方面各有優(yōu)勢,。

　　存儲器的發(fā)展取決于應(yīng)用場景的變化。

　　圖3：存儲的過去,、現(xiàn)在與未來

　　——場景應(yīng)用決定市場趨勢（云岫資本整理）

　　20世紀(jì)70年代起,，DRAM進入商用市場，并以其極高的讀寫速度成為存儲領(lǐng)域最大分支市場,；功能手機出現(xiàn)后,，迎來NOR Flash市場的爆發(fā)；進入PC時代,，人們對于存儲容量的需求越來越大,，低成本、高容量的NAND Flash成為最佳選擇,。

　　智能化時代里,，萬物智聯(lián)，存儲行業(yè)市場空間將進一步加大,，對數(shù)據(jù)存儲在速度,、功耗、容量,、可靠性層面也將提出更高要求,。而DRAM雖然速度快，但功耗大,、容量低,、成本高，且斷電無法保存數(shù)據(jù),，使用場景受限,；NOR Flash和NAND Flash讀寫速度低，存儲密度受限于工藝制程,。市場亟待能夠滿足新場景的存儲器產(chǎn)品,，性能有著突破性進展的新型存儲器即將迎來爆發(fā)期,。

　　對比四種新型存儲器

　　ReRAM在密度、工藝制程,、成本和良率上

　　具備明顯優(yōu)勢

　　目前,，新型存儲器主要有4種：

　　相變存儲器（PCM），以Intel和Micron聯(lián)合研發(fā)的3D Xpoint為代表,；鐵電存儲器（FeRAM）,，代表公司有Ramtron和Symetrix；磁性存儲器（MRAM）,，代表公司是美國Everspin,；阻變存儲器（ReRAM），代表公司有松下,、Crossbar和昕原半導(dǎo)體,。

　　表1：4種新型存儲器參數(shù)對比

　　（資料來源：Objective Analysis）

　　1.相變存儲器（PCM或PCRAM,，Phase-change RAM）PCM的原理是通過改變溫度，讓相變材料在低電阻結(jié)晶（導(dǎo)電）狀態(tài)與高電阻非結(jié)晶（非導(dǎo)電）狀態(tài)間轉(zhuǎn)換,。

　　圖4：PCM原理（資料來源：Intel）

　　PCM雖然讀寫速度比NAND Flash有所提高,，但其RESET后的冷卻過程需要高熱導(dǎo)率，會帶來更高功耗,，且由于其存儲原理是利用溫度實現(xiàn)相變材料的阻值變化,，所以對溫度十分敏感，無法用在寬溫場景,。其次,，為了使相變材料兼容CMOS工藝，PCM必須采取多層結(jié)構(gòu),，因此存儲密度過低,，在容量上無法替代NAND Flash。除此之外,，成本和良率也是瓶頸之一,。

　　Intel和Samsung于2006年生產(chǎn)了第一款商用PCM芯片。2015年,，Intel和Micron合作開發(fā)了名為3D XPoint的存儲技術(shù),，該技術(shù)也是PCM的一種。2018年雙方結(jié)束了聯(lián)合開發(fā)工作,，2021年3月,，Micron宣布停止所有基于3D XPoint技術(shù)產(chǎn)品的進一步開發(fā)。

　　2.鐵電存儲器 （FRAM或FeRAM,，F(xiàn)erroelectric RAM）FRAM并非使用鐵電材料,，只是由于存儲機制類似鐵磁存儲的滯后行為,，因此得名。FRAM晶體材料的電壓-電流關(guān)系具有可用于存儲的特征滯后回路,。

　　圖5：FRAM原理（資料來源：Objective Analysis）

FRAM優(yōu)勢在于讀寫速度快,、壽命良好，但其存儲單元基于雙晶體管,，雙電阻器單元,，單元尺寸至少是DRAM的兩倍，存儲密度受限,，成本較高,。并且它的讀取是破壞性的，每次讀取后必須通過后續(xù)寫入來抵消,，以將該位的內(nèi)容恢復(fù)到其原始狀態(tài),。

　　材料方面，目前鐵電晶體材料PZT（鋯鈦酸鉛）和SBT（鉭酸鍶鉍）都存在疲勞退化,、污染環(huán)境等問題,，尚未找到完美商業(yè)化的材料。

　　目前,，Ramtron（歸屬于Cypress）和Symetrix兩家公司正主導(dǎo)FRAM的開發(fā),。

　　3.磁性存儲器 （MRAM，Magnetic RAM）

　　目前主流的MRAM技術(shù)是STT MRAM,，使用隧道層的“巨磁阻效應(yīng)”來讀取位單元,，當(dāng)該層兩側(cè)的磁性方向一致時為低電阻，當(dāng)磁性方向相反時,，電阻會變得很高,。

　　圖6：MRAM原理

　　（資料來源：Avalanche Technology）

　　STT MRAM雖然性能較好,，但臨界電流密度和功耗仍需進一步降低,，目前MRAM的存儲單元尺寸仍較大且不支持堆疊，工藝較為復(fù)雜,，大規(guī)模制造難以保證均一性,，存儲容量和良率爬坡緩慢。在工藝取得進一步突破之前,，MRAM產(chǎn)品主要適用于容量要求低的特殊應(yīng)用領(lǐng)域,，以及新興的IoT嵌入式存儲領(lǐng)域。

　　商業(yè)上,，Everspin與Global Foundries合作,，UMC與Avalanche Technology合作，推廣STT-MRAM,。

　　4.阻變存儲器 （ReRAM或RRAM,，Resistive RAM）阻變存儲器全稱是電阻式隨機存取存儲器,，是以非導(dǎo)性材料的電阻在外加電場作用下，在高阻態(tài)和低阻態(tài)之間實現(xiàn)可逆轉(zhuǎn)換為基礎(chǔ)的非易失性存儲器,。ReRAM包括許多不同的技術(shù)類別,，比如氧空缺存儲器（OxRAM，Oxygen Vacancy Memories）,、導(dǎo)電橋存儲器 （CBRAM,，Conductive Bridge Memories）、金屬離子存儲器（Metal Ion Memories）以及納米碳管 （Carbon Nano-tubes）,。

　　圖7：ReRAM原理

　?。ㄙY料來源：Objective Analysis）

　　ReRAM的單元面積極小，可做到4F?,，讀寫速度是NAND FLASH的1000倍,，同時功耗下降15倍。

　　ReRAM工藝也更為簡單,。以Crossbar和昕原半導(dǎo)體為例,，其采用對CMOS友善的材料，能夠使用標(biāo)準(zhǔn)的CMOS工藝與設(shè)備,，對產(chǎn)線無污染,，整體制造成本低，可以很容易地讓半導(dǎo)體代工廠具備ReRAM的生產(chǎn)制造能力,，這對于量產(chǎn)和商業(yè)化推動有很大優(yōu)勢。

　　圖8：Crossbar的電阻切換機制和新型3D堆疊ReRAM（資料來源：Crossbar官網(wǎng)）

　　上圖是Crossbar的ReRAM結(jié)構(gòu)設(shè)計,，大致分為頂部電極,，開關(guān)介質(zhì)和底部電極三層結(jié)構(gòu)，其電阻切換機制是：兩個電極之間施加電壓時,，切換材料中將形成納米細絲,，通過細絲連接上下兩個電極，改變轉(zhuǎn)換層的電阻,，細絲相連代表存儲值“1”,，細絲斷裂代表存儲值“0”。

　　由于電阻切換機制基于金屬導(dǎo)絲,，因此Crossbar ReRAM單元非常穩(wěn)定,，能夠承受從-40°C到125°C的溫度波動，寫周期為1M +,，在85°C的溫度下可保存10年,。

　　從密度、能效比,、成本,、工藝制程和良率各方面綜合衡量,，ReRAM存儲器在目前已有的新型存儲器中具備明顯優(yōu)勢。

　　ReRAM國內(nèi)外發(fā)展現(xiàn)狀

　　在商業(yè)化上,，Crossbar,、昕原半導(dǎo)體、松下,、Adesto,、Elpida、東芝,、索尼,、美光、海力士,、富士通等廠商都在開展ReRAM的研究和生產(chǎn),，其中專注IP授權(quán)的Crossbar對于ReRAM的基礎(chǔ)技術(shù)研發(fā)走在了前列。

　　Crossbar研發(fā)了兩種存儲架構(gòu)——1T1R和3D堆疊式架構(gòu),，3D堆疊技術(shù)可實現(xiàn)存儲級內(nèi)存,，內(nèi)置選擇器允許多種存儲陣列配置，單個晶體管可以驅(qū)動數(shù)千個存儲單元,，可以組織成超密集的3D交叉點陣列,，可堆疊并能夠擴展到10nm以下，從而為單個裸片上的TB級存儲鋪平了道路,。

　　在代工廠方面,，中芯國際（SMIC）、臺積電（TSMC）和聯(lián)電（UMC）都已經(jīng)將ReRAM納入自己未來的發(fā)展版圖中,。

　　根據(jù)公開信息,，已量產(chǎn)的海外ReRAM存儲器主要有Adesto的130nm CBRAM和松下的180nm ReRAM。松下（Panasonic）在2013年開始出貨ReRAM,，成為了世界第一家出貨ReRAM的公司,。接著，松下與富士通聯(lián)合推出了第二代ReRAM技術(shù),，基于180nm工藝,。而Adesto 一直在緩慢地出貨低密度 CBRAM。

　　國內(nèi),，昕原半導(dǎo)體在Crossbar的基礎(chǔ)上實現(xiàn)了技術(shù)核心升級和工藝制程的改進,，實現(xiàn)28nm量產(chǎn)，并且已建成自己的首條量產(chǎn)線,，擁有了垂直一體化存儲器設(shè)計加制造的能力,。兆易創(chuàng)新和Rambus宣布合作建立合資企業(yè)合肥睿科微（Reliance Memory）,，進行ReRAM技術(shù)的商業(yè)化,，但目前還無量產(chǎn)消息,。

　　ReRAM迎來四大發(fā)展機遇：

　　AIoT、智能汽車,、數(shù)據(jù)中心,、AI計算

　　1.AIoT

　　AIoT指人工智能技術(shù)與物聯(lián)網(wǎng)在實際應(yīng)用中的落地融合。根據(jù)艾瑞咨詢數(shù)據(jù),，2019 年中國 AIoT 產(chǎn)業(yè)總產(chǎn)值為3808 億元,，預(yù)計2022年將達7509億元，年復(fù)合增長率達25.4%,。

　　AIoT需要數(shù)據(jù)的實時交互,，因此不僅要求存儲器低功耗，也需要高讀寫和低延遲,。目前的NOR Flash存儲密度低,、容量小、功耗高,，無法實現(xiàn)高寫入速度,。而ReRAM在保證讀性能的情況下，寫入速度可提升1000倍,，同時可實現(xiàn)更高存儲密度和十分低的功耗,，未來將會是取代NOR Flash成為萬物智聯(lián)時代存儲器的最佳選擇。

　　隨著人與物交互信息越來越多,，很多私人信息會被存儲記錄,，物聯(lián)網(wǎng)在帶來生活便利的同時，也帶來了潛在的數(shù)據(jù)安全隱患,，針對物聯(lián)網(wǎng)的攻擊甚至可以通過設(shè)備傳遞到現(xiàn)實生活中帶來難以想象的破壞,。AIoT應(yīng)用越來越多要求具備安全屬性。然而,，目前普遍的安全芯片+Nor Flash方案存在成本高、空間受限等痛點,。PUF（Physically Unclonable Function,，物理不可克隆函數(shù)）+新型存儲器芯片有望成為解決智能設(shè)備存儲與安全問題的主流方案。

　　PUF是一種利用芯片在半導(dǎo)體生產(chǎn)過程中的工藝波動性來生成芯片唯一函數(shù),，能夠做到一芯一密,，可稱之為“芯片指紋”。目前,，昕原半導(dǎo)體設(shè)計了基于ReRAM存儲器的PUF芯片,，可以同時具備存儲加安全兩個功能。

　　2.智能汽車

　　汽車電子根據(jù)功能可分為車身控制系統(tǒng)（ECU）,、安全系統(tǒng),、娛樂設(shè)備,、底盤控制、高級駕駛輔助系統(tǒng)（ADAS）等,，都需要半導(dǎo)體器件實現(xiàn)相關(guān)功能,，包括存儲器、傳感器,、光電器件,、射頻器件、功率器件等,。

　　根據(jù)Counterpoint Research預(yù)測,，未來單車存儲容量將達到2TB-11TB，一輛L4/L5級自動駕駛汽車至少需要74GB DRAM和1TB NAND,。據(jù)IHS預(yù)測,，全球汽車存儲IC市場規(guī)模2025年約為83億美元。

　　智能汽車對存儲器的要求不僅在于溫度和可靠性,?？刂葡到y(tǒng)需要智能化實時決策；ADAS系統(tǒng)時刻產(chǎn)生大量圖像數(shù)據(jù),；娛樂系統(tǒng)需要更加智能來提升用戶體驗,；能耗對于智能汽車也是關(guān)鍵性因素……這些都要求存儲器具備大量的數(shù)據(jù)實時吞吐能力，保證存儲穩(wěn)定性和高能效比,。

　　傳統(tǒng)的NOR Flash無法滿足未來智能汽車對讀寫速度（特別是XIP程序執(zhí)行效率）的要求,；NAND Flash難以實現(xiàn)XIP片上的程序執(zhí)行并且極慢；DRAM和SRAM容量有限,，斷電數(shù)據(jù)會丟失,。新型存儲器中，ReRAM不僅滿足高讀寫速度和存儲密度的要求,，同時延遲可降低1000倍,，可滿足未來智能駕駛高實時數(shù)據(jù)吞吐量。

　　安全性方面,，ReRAM具備寬溫和可靠性,。未來有望出現(xiàn)高性能、高集成度,、高穩(wěn)定性和低功耗的車規(guī)ReRAM存儲器,。

　　3.數(shù)據(jù)中心

　　AI時代，數(shù)據(jù)呈現(xiàn)爆發(fā)式增長,，越來越多的數(shù)據(jù)將在云端進行處理,，根據(jù)思科預(yù)測，2021年全球?qū)⒂?327EB數(shù)據(jù)存儲在數(shù)據(jù)中心，6年復(fù)合增長率率高達41%,。根據(jù)《2019-2020年中國IDC產(chǎn)業(yè)發(fā)展研究報告》預(yù)測,，2022年中國數(shù)據(jù)中心市場規(guī)模將超過3200億元。

　　數(shù)據(jù)量的爆發(fā)催生對存儲器新的增量市場和性能要求,，據(jù)SUMCO預(yù)測,，數(shù)據(jù)中心對SSD存儲的需求將在2019年到2023年之間實現(xiàn)46%的復(fù)合增長。但目前數(shù)據(jù)中心存儲器性能發(fā)展速度無法跟上計算需求,，并且功耗仍是數(shù)據(jù)中心成本最高的因素之一,。

　　傳統(tǒng)機械硬盤雖然壽命長成本低，但是讀寫速度極低且發(fā)熱和噪聲明顯,。DRAM雖速度較快但為易失性存儲器,，斷電無法保存數(shù)據(jù)且成本極高，無法作為大量存儲數(shù)據(jù)使用,。而NAND讀寫速度仍較慢,，另一方面功耗較高，性能和容量與工藝制程強相關(guān)?，F(xiàn)有存儲器無法跟上未來對數(shù)據(jù)高讀寫速度,，低延遲，低功耗的需求,。

　　ReRAM相較NAND可提升100倍的讀寫性能,，同時保持更低的功耗和高存儲密度，有望解決未來數(shù)據(jù)中心高能效比,，低延遲的需求,，實現(xiàn)更高性能的AI數(shù)據(jù)中心。

　　4.AI計算（存算一體）

　　人工智能是目前技術(shù)發(fā)展的重要趨勢,，根據(jù)沙利文咨詢數(shù)據(jù),，2016-2024年人工智能的年均增長率達到33.98%，預(yù)計2024年將超過6157億美元,。而我國人工智能產(chǎn)業(yè)規(guī)模預(yù)計2024年將逼近8000億元,，約占全球總體產(chǎn)業(yè)規(guī)模的20%，復(fù)合增長率達到48.97%,，大大超過全球平均水平,。

　　算力、算法,、數(shù)據(jù)量是人工智能發(fā)展的三大基礎(chǔ)要素，它們決定了AI計算的性能,，這其中的兩點都與存儲相關(guān)：數(shù)據(jù)由存儲器承載,，數(shù)據(jù)量決定了AI計算模型的準(zhǔn)確度；算力方面，未來對芯片計算性能和延遲性都提出了更高要求,。

　　目前的馮諾依曼架構(gòu),，存儲單元和計算單元獨立分開，搬移數(shù)據(jù)的過程需要消耗大量時間和能量,，并且由于處理器和存儲器的工藝路線不同,，存儲器的數(shù)據(jù)訪問速度難以跟上CPU的數(shù)據(jù)處理速度，性能已遠遠落后于處理器,。所以,，馮諾依曼架構(gòu)在數(shù)據(jù)處理速度和能效比等方面存在天然限制，這被稱為“存儲墻”,。

　　存算一體架構(gòu)通過將存儲單元和計算單元融為一體,，消除了數(shù)據(jù)訪存帶來的延遲和功耗，可以突破“存儲墻”,，實現(xiàn)更高的算力和更高的能效比,。

　　圖9：存算一體突破存儲墻（云岫資本整理）

　　目前存算一體有兩種實現(xiàn)方式，第一種是基于易失性存儲器DRAM和SRAM,，但由于存儲器制造工藝和邏輯計算單元的制造工藝不同,，無法實現(xiàn)良好的融合，目前只能實現(xiàn)近存計算,，仍存在存儲墻問題,，甚至因為互連問題可能還會帶來性能損失。并且,，因為SRAM和DRAM是易失性存儲器,，需要持續(xù)供電來保存數(shù)據(jù)，仍存在功耗和可靠性的問題,。

　　第二種是結(jié)合非易失性新型存儲器,，可以利用歐姆定律和基爾霍夫定律在陣列內(nèi)完成矩陣乘法運算，而無需向芯片內(nèi)移入和移出權(quán)重,。新型存儲器是通過阻值變化來存儲數(shù)據(jù),，而存儲器加載的電壓等于電阻和電流的乘積，相當(dāng)于每個單元可以實現(xiàn)一個乘法運算,，再匯總相加便可以實現(xiàn)矩陣乘法,，所以新型存儲器天然具備存儲和計算的屬性。在這種情況下,，同一單元就可以完成數(shù)據(jù)存儲和計算,，消除了數(shù)據(jù)訪存帶來的延遲和功耗，是真正意義上的存算一體,。

　　新型存儲器中,，ReRAM具有高集成密度、高開關(guān)比、高計算精度,、高能效比和制造兼容CMOS工藝等優(yōu)良特性,，被認(rèn)為是實現(xiàn)存算一體的最佳選擇之一。

　　圖10：新型存儲器實現(xiàn)存算一體

　?。∟ature Nanotechnology）

　　IDM模式是ReRAM廠商的最佳選擇

　　存儲行業(yè)中,，純芯片設(shè)計公司難以擺脫對代工廠的依賴，不僅生產(chǎn)周期長,、成本高,，而且無法根據(jù)生產(chǎn)工藝做出適配性設(shè)計；而純代工企業(yè)利潤較低無法享受更多新技術(shù)紅利,。因此,，目前世界前十大半導(dǎo)體公司中的4家存儲公司，全部為IDM模式,，擁有存儲芯片設(shè)計加制造的全套能力,。

　　對于以ReRAM為代表的新型存儲器而言，IDM模式不僅工藝和產(chǎn)能自主可控,，同時可以不斷進行迭代優(yōu)化,，通過高良率和高性能迅速筑起行業(yè)壁壘，是存儲器行業(yè)發(fā)展最佳的商業(yè)模式,。

　　新型存儲器是

　　中國實現(xiàn)存儲領(lǐng)域彎道超車的最佳機會

　　目前中國存儲器市場國產(chǎn)化率極低,，傳統(tǒng)存儲器先進技術(shù)均掌握在美國、韓國和日本手中,，中國在最新產(chǎn)品性能上落后5-10年,。三星、海力士和美光壟斷了以DRAM為代表的易失性存儲器市場,，而以NAND為代表的非易失性存儲器也被三星,、鎧俠、閃迪,、美光和海力士壟斷,。

　　而在ReRAM等新型存儲器的發(fā)展上，中國與其他國家站在同一起跑線,，都有機會出現(xiàn)下一個三星和海力士,。

　　在這中國存儲產(chǎn)業(yè)突圍的關(guān)鍵時期，一系列相關(guān)政策陸續(xù)出臺,，重點支持存儲行業(yè),。

　　國家“十四五”規(guī)劃綱要中，在加強原創(chuàng)性引領(lǐng)性科技攻關(guān)方面,，“先進存儲技術(shù)升級”被列入“科技前沿領(lǐng)域攻關(guān)”重點領(lǐng)域,；在加快推動數(shù)字產(chǎn)業(yè)化方面,，《綱要》提到，培育壯大人工智能,、大數(shù)據(jù)、區(qū)塊鏈,、云計算,、網(wǎng)絡(luò)安全等新興數(shù)字產(chǎn)業(yè)，提升通信設(shè)備,、核心電子元器件,、關(guān)鍵軟件等產(chǎn)業(yè)水平。

　　圖11：“十四五”規(guī)劃綱要

　　專欄2 科技前沿領(lǐng)域攻關(guān)

　　2021年3月,，臨港新片區(qū)發(fā)布集成電路產(chǎn)業(yè)專項規(guī)劃（2021-2025）,，提到要“在阻變存儲器（ReRAM）等新興領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)增量發(fā)展”。

　　圖12：節(jié)選自

　　《臨港新片區(qū)集成電路產(chǎn)業(yè)專項規(guī)劃（2021-2025）》

　　目前,，很多曾在世界頂尖企業(yè)擔(dān)任高管的產(chǎn)業(yè)專家紛紛回國創(chuàng)業(yè),，不僅帶來了先進技術(shù)和經(jīng)驗，也吸引了一批有志之士共同打造中國芯,。天時地利人和之下,，中國新型存儲器未來可期！