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Fujitsu推出12Mbit ReRAM存儲密度居同系列之首

2022-03-16
來源:電子創(chuàng)新網
關鍵詞: Fujitsu 12MbitReRAM ReRAM

  Fujitsu Semiconductor Memory Solution Limited于3月15日宣布推出12Mbit電阻式隨機存取存儲器(ReRAM)——MB85AS12MT。目前可提供評估樣品。

  鏈接:https://www.fujitsu.com/jp/group/fsm/en/products/reram/spi-12m-mb85as12mt.html

  這款新產品是一個非易失性存儲器,,具有12Mbit的大存儲密度,,封裝尺寸非常小,約為2mm x 3mm。讀取電流也極低,讀取操作期間平均為0.15mA。因此,,將MB85AS12MT安裝在頻繁進行數(shù)據(jù)讀取操作的電池供電設備中,,可以最大限度地減少電池消耗。

  該產品具有封裝尺寸小和讀取電流小的特點,,非常適合用于助聽器和智能手表等可穿戴設備,。

  圖1:MB85AS12MT封裝(頂部和底部)

  

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  圖2:ReRAM使用實例

  

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  MB85AS12MT可在1.6V至3.6V的寬電源電壓范圍內工作。新的ReRAM產品的存儲密度是現(xiàn)有8Mbit ReRAM的1.5倍,,但二者封裝尺寸都是WL-CSP(晶圓級芯片尺寸封裝)且引腳分配也一樣,。新產品可在小封裝尺寸中存儲大約90頁報紙的字符數(shù)據(jù)。

  MB85AS12MT使用的WL-CSP與經常用于具有串行外設接口(SPI)的存儲器件的8針SOP相比,,可以節(jié)省約80%的安裝面積,。

  圖3:安裝面積比較

 

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  憑借上述功能,這款ReRAM產品可以解決開發(fā)可穿戴設備時使用閃存或EEPROM所產生的以下問題,。

  圖4:客戶問題和解決方案:

  

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  Fujitsu Semiconductor Memory Solution將繼續(xù)開發(fā)各種低功耗存儲器產品,,以滿足客戶的要求。

  關于Fujitsu Semiconductor Memory Solution Limited

  Fujitsu Semiconductor Memory Solution專注于提供高質量和高可靠性的非易失性存儲器,,如鐵電隨機存儲器(FRAM)和電阻式隨機存取存儲器(ReRAM),。公司總部位于橫濱,于2020年3月31日成立,,是Fujitsu Semiconductor Limited的子公司,。公司擁有全球銷售和開發(fā)網絡,在日本乃至整個亞洲,、歐洲和美洲都設有工廠,,旨在向全球市場提供半導體存儲器解決方案。

  更多信息,,請參見:https://www.fujitsu.com/jp/fsm/en/





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