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十年磨一劍,主流內存標準DDR5 SDRAM來了

2020-12-30
來源:安富利Avnet
關鍵詞: JEDEC DDR5SDRAM 服務器 PC

2020年7月,,JEDEC固態(tài)技術協(xié)會正式發(fā)布了新的主流內存標準DDR5 SDRAM的最終規(guī)范,,這意味著新一輪的內存升級換代又要開始了!

自上一代DDR4內存標準的問世到現(xiàn)在,已經(jīng)歷了9年,,有數(shù)據(jù)顯示目前DDR4標準產(chǎn)品在服務器PC領域的滲透率都已經(jīng)超過了95%,,按照摩爾定律或者其他技術預測,,新一代的DDR內存標準早該駕到了,,由此足見在內存領域技術進步的邊際成本是越來越高。

好在DDR5這把“磨”了近十年的“劍”并沒有讓大家失望,從JEDEC協(xié)會公布的信息來看,,與上一代標準相比,,DDR5將主電壓從1.2 V降低至1.1 V,最大芯片密度提高了4倍,,最大數(shù)據(jù)速率提高一倍,,突發(fā)長度增加一倍,存儲單元組數(shù)增加一倍,??梢哉f在速度、容量,、能耗和穩(wěn)定性等方面,,DDR5都來了一次全面的提升。

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圖1:不同DDR內存標準之間的比較 (資料來源:JEDEC)

DDR5標準推出之后,,Micron等內存及模塊制造商都已經(jīng)積極行動起來,,陸續(xù)推出了相關的樣品,為即將到來的新一波內存升級潮積極備戰(zhàn),。按照以往的經(jīng)驗,,2021年DDR5將最先進入服務器市場,之后伴隨著工藝穩(wěn)定和產(chǎn)能爬坡,,再逐漸向PC和消費電子等領域滲透,。但不管怎么說,這個進程已經(jīng)啟動,。

當然,,在一輪技術熱潮到來之際,,在做出“追不追,,以及怎么追”等決定之前,既要做到知其然,,還要知其所以然,,因此今天我們就來看看,DDR5這性能提升背后,,究竟暗藏著哪些技術玄機,。

DDR5升級背后的技術玄機

數(shù)據(jù)存儲容量和速率是衡量DDR標準代際之間差異的核心指標,在提升此核心性能方面,,DDR5放出了以下這些大招兒:

增加整體Bank數(shù)量

當存儲器密度增加時,,需要擴展Bank的數(shù)量來應對。DDR5標準中每個Bank組中的Bank數(shù)量(4個)保持不變,,而將Bank組的數(shù)量增加一倍,,達到了4或8個。通過允許在任意指定時間開啟更多分頁,并增加高頁面點擊率的統(tǒng)計概率,,來提高整體的系統(tǒng)效率,。增加的Bank組通過提高使用短時序的可能性來減輕內部時序限制。

增加數(shù)據(jù)突發(fā)長度

DDR5將缺省的數(shù)據(jù)突發(fā)長度(Burst Length)從DDR4標準的BL8增加到了BL16,,這樣就提高了命令/地址和數(shù)據(jù)總線的效率,。也就是說,相同的CA總線讀寫事務可以在數(shù)據(jù)總線上實現(xiàn)兩倍的數(shù)據(jù)量,,同時限制在同一Bank內受到IO/陣列時序限制的風險,。突發(fā)長度的增加也可減少相同的64B緩存線數(shù)據(jù)負載存取所需的IO數(shù)量,減少存取特定數(shù)據(jù)量所需的命令,,這對于功耗的控制十分有利,。

特別值得一提的是,數(shù)據(jù)突發(fā)長度的增加可以讓DDR5 DIMM模塊實現(xiàn)雙子通道的架構,,提高整體的通道并行能力,、靈活性和數(shù)量,進而優(yōu)化內存整體的能效,。

增加新的命令

在以往DDR SDRAM標準的ALL-BANK REFRESH 命令(REFab)基礎上,,DDR5增加了SAME-BANK REFRESH (REFsb) 命令。SDRAM在刷新 (REFRESH)之前,,需要準備刷新的Bank處于idle(閑置)狀態(tài),,且這些Bank在刷新命令期間無法繼續(xù)后續(xù)的寫入和讀取活動。因此在執(zhí)行REFab刷新命令前,,必須確保所有Bank均處于閑置狀態(tài),,以3.9μs一次計算,一個16Gb DDR5 SDRAM 器件,,其持續(xù)時間為295ns,。

而新增加的REFsb在發(fā)出命令之前,每個Bank組中只需一個Bank閑置即可,,其余的在發(fā)出REFsb命令時不需閑置,,對非更新Bank的唯一時序限制為 same-bank- refresh-to-activate 延遲。REFsb命令以細粒度刷新 (FGR) 模式發(fā)出,,每個Bank平均每1.95μs接收一次REFRESH命令,,這樣一個16Gb DDR5 SDRAM器件的REFsb 持續(xù)時間僅130ns。

有模擬分析數(shù)據(jù)顯示,,使用REFsb系統(tǒng)效能處理量比使用REFab時提高6%至9%,;REFsb將刷新對平均閑置延遲時間的影響從11.2ns縮短到了5.0ns。

基于上述這幾個方面的優(yōu)化,,DDR5在性能上實現(xiàn)了明顯的提升,。圖2展示了,,在規(guī)定的測試條件下,DDR5與DDR4相比在數(shù)據(jù)速率上的優(yōu)勢,。

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圖2:DDR5與DDR4相比的性能優(yōu)勢(資料來源:Micron)

除了在核心性能上的突破,,DDR5還在可靠性、可用性與服務性 (RAS)上,,以及可操作性上做了諸多優(yōu)化,。

芯片內建錯誤校正碼 (ECC):通過DDR5器件輸出數(shù)據(jù)之前在READ命令期間執(zhí)行校正,減輕系統(tǒng)錯誤校正的負擔,。在DDR4內存上實現(xiàn)ECC功能,,需要額外增加一顆芯片,而DDR5原生支持片上ECC,,對于提升系統(tǒng)可靠性大有幫助,。

PPR強化功能:包括hPPR (硬) 和sPPR (軟)兩個獨立的修復功能。主要的優(yōu)化在于減少了執(zhí)行sPPR修復之前需要Bank中備份的列,,這樣可以將備份和儲存大量信息所需的系統(tǒng)時間縮至最短,,通常每列數(shù)據(jù)約2μs。

多用途命令 (MPC):DDR5時鐘頻率的提高,,也給初始化和訓練之前的操作執(zhí)行帶來挑戰(zhàn),。為此,DDR5使用多用途命令 (MPC) 來執(zhí)行介面初始化,、訓練和定期校正等功能,,提升操作的效率。

從上文可以看出,,一方面DDR5通過增加Bank組,、增加突發(fā)長度、引入新的REFsb刷新命令等舉措,,提升核心性能,,降低用戶總體擁有成本;另一方面通過優(yōu)化RAS和可操作性為開發(fā)和應用帶來更大便利,,這樣雙管齊下,,為DDR5標準打造了穩(wěn)固的根基。

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表1:DDR5產(chǎn)品特色與功能優(yōu)化(資料來源:安富利)

DDR5內存條的變化

當然,,想要最大程度上釋放出一個全新內存標準的威力,DIMM內存模塊的設計也十分重要,。DDR5標準的順利升級,,也必然需要內存模塊方案的變化,為其提供助力,。從Micron提供的技術文檔中我們可以看到,,這樣的變化主要體現(xiàn)在以下幾個方面:

首先,,DDR5模塊與DDR4模塊最大的差別就在于,標準的DDR5模塊中有兩個獨立的子通道,,每個子通道最多有兩個實體封裝的存儲器區(qū)塊 (rank),。每個DRAM封裝都可設為主要/輔助拓撲,進而增加邏輯存儲器區(qū)塊以提高密度,。獨立子通道能提高并行性,,并支持存儲器控制器更有效率地安排時序,進而打破數(shù)據(jù)傳輸量的限制,,滿足服務器等應用中日益增加的運算需求,。

其次,DDR5中增加了本地的PMIC進行電壓調節(jié),,由于將電源管理的功能從主板轉到更靠近內存芯片的模塊上,,因此這種電源架構可降低主板的復雜性、提升電源轉換的效率,、增加更多電源管理的功能,。

再有,DDR5模塊上引入了基于MIPI I3C通訊協(xié)定的邊帶存取功能,,能夠更好地支持模塊上越來越多的主動器件,,提高可用性,并監(jiān)控關鍵參數(shù)以掌握模塊工作時與功率,、散熱等相關的詳細信息,。

此外,在L/RDIMM模塊上,,還放置了一對溫度傳感器IC,,對模塊表面溫度梯度變化進行持續(xù)監(jiān)測,并以此為依據(jù)調整流量變化,,或者改變風扇速度,,通過調優(yōu)來最大化系統(tǒng)的處理能力。

最后,,DDR5模塊設計的改變,,也催生了CAI、MIR和擴展接地等其他新功能,,以利于改善設計配置,、電源噪聲和模塊信號隔離等特性。命令和地址上的ODT及增強的 DQ/DQS/CA/CS 訓練等新功能,,也可提供更好的信號處理能效,、更快的時鐘速率,最終實現(xiàn)更高的帶寬,。

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表2:DDR5與DDR4性能比較與優(yōu)化(資料來源:安富利)

用DDR5開始一個新設計

可以想見,,在即將到來的2021年,,如何將計算存儲方案升級到DDR5,將成為很多開發(fā)者——特別是數(shù)據(jù)中心等計算密集型應用的開發(fā)者——案頭上的一個重要課題,。為了加速這個進程,,DDR5的核心技術供應商在快馬加鞭推出新產(chǎn)品之外,也紛紛推出了開發(fā)者支持計劃,,比如Micron的DDR5 技術支持計劃 (TEP)中,,就為經(jīng)過核準通過的合伙伙伴提供了豐富的技術資源,如:

1.產(chǎn)品數(shù)據(jù)手冊,、電氣模型,、熱模型和仿真模型等技術資源,以幫助其產(chǎn)品開發(fā)和平臺搭建

2.選擇可用的DDR5元件與模塊樣品

3.與其他生態(tài)系統(tǒng)合作伙伴建立聯(lián)系,,以助其進行DDR5可用平臺的設計與搭建

4.技術支持和培訓資料

簡言之,,在需求發(fā)展的大趨勢下,面對DDR5,,除了“升級”跟上技術進步的節(jié)奏,,實際上我們沒有其他的選擇。現(xiàn)在的關鍵就在于,,如何在升級的這條路上走得更快,、更順暢。為此,,安富利作為全球領先的技術分銷商,,也會為你提供全面和專業(yè)的支持。


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