消息指出,，臺積電2納米制程研發(fā),，現(xiàn)已離開尋找路徑階段，進入交付研發(fā),，且法人預(yù)期2023 年下半即可風險性試產(chǎn),。

　　臺積電去年就成立2納米專案研發(fā)團隊，在考慮成本,、設(shè)備兼容,、技術(shù)成熟及效能表現(xiàn)等多項條件下來尋找可行路徑,，如今臺積電雖然仍沒有公布細節(jié)，但已表示將會是全新架構(gòu),。而據(jù)供應(yīng)鏈消息透露,，臺積電2納米即將改采全新的GAA 基礎(chǔ)，使用多橋通道場效應(yīng)晶體管（MBCFET）架構(gòu),。

　　這是由于3納米已達FinFET 技術(shù)的瓶頸,，會出現(xiàn)制程微縮產(chǎn)生電流控制漏電的物理極限問題，就算有EUV 技術(shù)加持,，但2納米勢必要轉(zhuǎn)換跑道,。雖然三星提早在3納米就打算采用GAA ，意圖在此技術(shù)上彎道超車臺積電,，但臺積電研發(fā)多年的納米片（Nano Sheet）堆疊關(guān)鍵技術(shù),，及EUV 運用經(jīng)驗，將能使良率提升更順利,。

　　所以不少業(yè)內(nèi)人士預(yù)期,，若2納米在2023年即能投產(chǎn)，三星就算在彎道恐怕也超不了車,。就目前臺積電所公布的制程推進現(xiàn)況來看,，采用EUV 的5納米良率已快速追上7納米，顯見臺積電在良率提升上的底蘊,，甚至有業(yè)界預(yù)期風險試產(chǎn)良率即可到9成,。三星雖提前量產(chǎn)3納米GAA,，但在性能上未必能壓過臺積電,，而GAA 良率上的落差可能也不會如預(yù)期般明顯，且據(jù)傳2納米背后還有蘋果的研發(fā)能量支持,。

　　不過未來半導(dǎo)體制程將會更加競爭,，不僅是三星，英特爾的SuperFin 技術(shù)也不可小覷,，雖然納米節(jié)點時程落后,，但實際性能并不真的多差。早有輿論認為,，臺積電及三星的制程競逐,，很多只是數(shù)字游戲，而英特爾其實相對踏實,，就實際晶體管密度等指標來看,，新的英特爾10納米強化版已接近臺積電5納米，是非常大的單一節(jié)點升級,。

　　只要英特爾也敢忍痛殺價,，SuperFin 仍然很有高階制程市場的競爭力,，就如同三星8納米已打出一片市場一般，臺積電雖然還占有優(yōu)勢,，但仍不能輕敵,。目前臺積電已表示，未來2納米研發(fā)生產(chǎn)將落腳新竹寶山,，將規(guī)劃建設(shè)4 個超大型晶圓廠,，將成為下一輪半導(dǎo)體大戰(zhàn)主力。