上海,，2020年7月24日 – 富士通電子元器件（上海）有限公司近日宣布,，推出型號為MB85RS4MTY的4Mbit FRAM,，其容量達到FRAM產品最高水平,，運作溫度最高可達125℃。目前可為客戶提供評測版樣品,。

這款全新FRAM是非易失性內存產品,，在125℃高溫環(huán)境下可以達到10兆次讀/寫次數(shù)，工作電流低,，是工業(yè)機器人和高級駕駛輔助系統(tǒng)（ADAS）等汽車應用的最佳選擇,。

FRAM的讀/寫耐久性、寫入速度和功耗均優(yōu)于EEPROM和閃存,，并已量產20多年,，近年來廣泛用于可穿戴設備、工業(yè)機器人和無人機,。

自去年發(fā)布以來,，2Mbit FRAM MB85RS2MTY已在汽車和工業(yè)設備中獲得廣泛應用，而MB85RS4MTY將其容量提高了一倍，達到4M bit,，滿足更高容量的需求,，配有SPI接口，工作電壓為1.8V至3.6V,。由于這款FRAM工作電流低,，即使在125℃高溫下，最大工作電流僅為4mA（運作頻率50MHz）,，最大掉電模式電流為30μA,，因此有助于降低環(huán)境敏感應用的功耗。

這款全新FRAM在-40℃至+ 125℃溫度范圍內可以達到10兆次讀/寫次數(shù),，適合某些需要實時數(shù)據(jù)記錄的應用,。例如，每0.03毫秒重寫一次數(shù)據(jù),，同一地址連續(xù)記錄數(shù)據(jù)可達10年之久,。

這款FRAM產品采用業(yè)界標準8-pin SOP封裝，可輕松取代現(xiàn)有類似引腳的EEPROM,。此外,，還提供8-pin DFN（無引線雙側扁平）封裝。

圖1：MB85RS4MTY 8-pin DFN（頂部?底部）

圖2：FRAM應用實例

富士通電子將繼續(xù)提供內存產品和解決方案,，滿足市場和客戶的未來需求,。

關鍵規(guī)格

? 組件型號：MB85RS4MT

? 容量（組態(tài)）：4 Mbit（512K x 8位）

? 接口：SPI（Serial Peripheral Interface）

? 運作頻率：最高50 MHz

? 運作電壓：1.8V - 3.6V

? 運作溫度范圍：-40°C - +125°C

? 讀/寫耐久性：10兆次（1013次）

? 封裝規(guī)格：8-pin DFN，8-pin SOP

詞匯與備注

鐵電隨機存取內存（FRAM）

FRAM是一種采用鐵電質薄膜作為電容器以儲存數(shù)據(jù)的內存,，即便在沒有電源的情況下仍可保存數(shù)據(jù)。FRAM結合了ROM和RAM的特性,，并擁有高速寫入數(shù)據(jù),、低功耗和高速讀/寫周期的優(yōu)點。富士通自1999年即開始生產FRAM,，亦稱為FeRAM,。