上海，2020年7月24日 – 富士通電子元器件（上海）有限公司近日宣布，推出型號(hào)為MB85RS4MTY的4Mbit FRAM，其容量達(dá)到FRAM產(chǎn)品最高水平，運(yùn)作溫度最高可達(dá)125℃。目前可為客戶(hù)提供評(píng)測(cè)版樣品。

這款全新FRAM是非易失性?xún)?nèi)存產(chǎn)品，在125℃高溫環(huán)境下可以達(dá)到10兆次讀/寫(xiě)次數(shù)，工作電流低，是工業(yè)機(jī)器人和高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng)（ADAS）等汽車(chē)應(yīng)用的最佳選擇。

FRAM的讀/寫(xiě)耐久性、寫(xiě)入速度和功耗均優(yōu)于EEPROM和閃存，并已量產(chǎn)20多年，近年來(lái)廣泛用于可穿戴設(shè)備、工業(yè)機(jī)器人和無(wú)人機(jī)。

自去年發(fā)布以來(lái)，2Mbit FRAM MB85RS2MTY已在汽車(chē)和工業(yè)設(shè)備中獲得廣泛應(yīng)用，而MB85RS4MTY將其容量提高了一倍，達(dá)到4M bit，滿(mǎn)足更高容量的需求，配有SPI接口，工作電壓為1.8V至3.6V。由于這款FRAM工作電流低，即使在125℃高溫下，最大工作電流僅為4mA（運(yùn)作頻率50MHz），最大掉電模式電流為30μA，因此有助于降低環(huán)境敏感應(yīng)用的功耗。

這款全新FRAM在-40℃至+ 125℃溫度范圍內(nèi)可以達(dá)到10兆次讀/寫(xiě)次數(shù)，適合某些需要實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)記錄的應(yīng)用。例如，每0.03毫秒重寫(xiě)一次數(shù)據(jù)，同一地址連續(xù)記錄數(shù)據(jù)可達(dá)10年之久。

這款FRAM產(chǎn)品采用業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)8-pin SOP封裝，可輕松取代現(xiàn)有類(lèi)似引腳的EEPROM。此外，還提供8-pin DFN（無(wú)引線(xiàn)雙側(cè)扁平）封裝。

圖1：MB85RS4MTY 8-pin DFN（頂部?底部）

圖2：FRAM應(yīng)用實(shí)例

富士通電子將繼續(xù)提供內(nèi)存產(chǎn)品和解決方案，滿(mǎn)足市場(chǎng)和客戶(hù)的未來(lái)需求。

關(guān)鍵規(guī)格

? 組件型號(hào)：MB85RS4MT

? 容量（組態(tài)）：4 Mbit（512K x 8位）

? 接口：SPI（Serial Peripheral Interface）

? 運(yùn)作頻率：最高50 MHz

? 運(yùn)作電壓：1.8V - 3.6V

? 運(yùn)作溫度范圍：-40°C - +125°C

? 讀/寫(xiě)耐久性：10兆次（1013次）

? 封裝規(guī)格：8-pin DFN，8-pin SOP

詞匯與備注

鐵電隨機(jī)存取內(nèi)存（FRAM）

FRAM是一種采用鐵電質(zhì)薄膜作為電容器以?xún)?chǔ)存數(shù)據(jù)的內(nèi)存，即便在沒(méi)有電源的情況下仍可保存數(shù)據(jù)。FRAM結(jié)合了ROM和RAM的特性，并擁有高速寫(xiě)入數(shù)據(jù)、低功耗和高速讀/寫(xiě)周期的優(yōu)點(diǎn)。富士通自1999年即開(kāi)始生產(chǎn)FRAM，亦稱(chēng)為FeRAM。