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差距在縮短 從落后20年到落后3年 華虹半導體經(jīng)歷了什么,?

2019-06-03
關鍵詞: 半導體 晶圓 SMIC

  國內的晶圓代工廠中,,SMIC中芯國際是規(guī)模最大、技術最先進的,,在他們之外還有上海華虹半導體,主要代工特種工藝,,不過近年來該公司也投資建設了華虹六廠,、華虹七廠,進軍先進半導體工藝代工,。在被業(yè)界認為市場不太景氣的“艱難”一年里,,華虹半導體卻交出了一份不錯的成績單。

  華虹λ于無錫的七廠今年2季度就要搬入設備,,4季度正式量產(chǎn),。先進工藝方面,華虹將為聯(lián)發(fā)科代工28nm HKC+低功耗無線通訊芯片,,預計2020年量產(chǎn)14nm FinFET工藝,。

  2018年4月3日,華虹集團宣布λ于無錫的華虹半導體七廠開工。據(jù)了解,,華虹無錫集成電·研發(fā)和制造基地項目占地約700畝,,總投資100億美元,一期項目總投資約25億美元,,新建一條工藝等級90-65納米,、月產(chǎn)能約4萬片的12英寸特色工藝集成電·生產(chǎn)線,支持5G和物聯(lián)網(wǎng)等新興領域的應用,。華虹無錫基地項目將分期建設數(shù)條12英寸集成電·生產(chǎn)線,。首期項目實施后,將適時啟動第二條生產(chǎn)線建設,。

  華虹半導體(無錫)有限公司一期工程計劃將于2019年上半年完成土建施工,,下半年完成凈化廠房建設和動力機電設備安裝、通線并逐步實現(xiàn)達產(chǎn),,預計年產(chǎn)值將達50億元,。

  經(jīng)過一年的建設,華虹方面日前宣布無錫的華虹七廠將在2季度搬入機臺設備,,預計4季度正式開始量產(chǎn)12英寸晶圓,,華虹旗下的研發(fā)、工程及銷售團隊正在為此做準備,。

  在先進工藝方面,,華虹早前宣布今年將量產(chǎn)28nm HKC+工藝,首發(fā)合作伙伴是聯(lián)發(fā)科,,將為后者代工28nm低功耗無線通訊芯片,。

  在28nm工藝之后,華虹將在2020年量產(chǎn)14nm FinFET工藝,,這個時間點比中芯國際量產(chǎn)14nm工藝略微落后,,后者在日前的財報會議上提到了他們的工藝進展,今年就能量產(chǎn)14nm改進型的12nm工藝了——“FinFET 研發(fā)進展順利,,12nm 工藝開發(fā)進入客戶導入階段,,下一代 FinFET 研發(fā)在過去積累的基礎上進度喜人?!?/p>

  到了2020年,,不考慮臺積電已經(jīng)在南京量產(chǎn)的16nm工藝,國內廠商中至少有兩家會量產(chǎn)14nm FinFET工藝,,雖然比臺積電,、三星、Intel等公司的7nm,、5nm工藝還要落后兩三代,,但在技術水平上國內晶圓廠可以說也追到一流水平了,,14nm是高性能工藝節(jié)點,δ來會長期存在,,市場前景廣闊,。


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