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日媒:中國半導體企業(yè)商討從歐洲購買最先進設備

2018-10-24

據(jù)日本經(jīng)濟新聞報道,中國新興半導體記憶體企業(yè)合肥長鑫計劃從半導體制造設備廠商荷蘭阿斯麥(ASML)引進最尖端設備。中國由于與美國的貿(mào)易戰(zhàn)和高科技摩擦日趨激烈,越來越難以從美國引進技術。為了發(fā)展屬于產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新關鍵的半導體,將轉(zhuǎn)向采購歐洲設備以尋找出路。


合肥長鑫首席執(zhí)行官(CEO)朱一明將在近期訪歐,與荷蘭阿斯麥啟動尖端設備的采購談判。多位相關人士透露了這一消息。合肥長鑫由中國安徽省的合肥市政府出資。有觀點認為這一行動體現(xiàn)了中國政府的意向。


中國國務院總理李克強10月19日出席了在布魯塞爾舉行的亞歐首腦會議。在主席聲明中顯示出歐洲和亞洲展開合作、對抗美國的貿(mào)易保護主義的姿態(tài)。


合肥長鑫力爭采購的是被稱為「極紫外線(EUV)光刻機」的最尖端生產(chǎn)設備。據(jù)稱這是推動屬于半導體性能提高關鍵的「微細化」的新一代技術,每臺設備價格高達約1億歐元。據(jù)稱最大DRAM(隨機記憶體)制造商韓國三星電子已經(jīng)試驗性引進。


歐洲對試圖獲取尖端技術的中國的警惕也在加強,這有可能成為采購的障礙。不過,阿斯麥對日本經(jīng)濟新聞(中文版:日經(jīng)中文網(wǎng))表示,「將平等對待客戶」,提出了向中國企業(yè)銷售沒有問題這一看法。在行業(yè)內(nèi)有猜測認為,中國半導體代工企業(yè)中芯國際集成電路制造(SMIC)也已經(jīng)向阿斯麥訂購了極紫外線光刻機。


延伸閱讀:DRAM什么時候需要EUV光刻機


因為合肥長鑫做的是DRAM,所以他定制EUV光刻機的消息,讓筆者對DRAM什么時候需要光刻機倍感興趣。因為美光在今年六月的時候曾表示,EUV 光刻技術并不是DRAM 制程中所必須的,而且未來幾年內(nèi)都都還不一定用得上。目前,美光在新一代制程技術上,正在由客戶驗證1Y 納米制程的記憶體,而且未來還有1Z、1α 及1β 制程。


光指出,記憶體跟處理器等羅技IC 雖然都是半導體產(chǎn)品,生產(chǎn)制造過程有相似之處,不過制程技術并不相同。處理器的制程技術2018 年已經(jīng)進入到了7 納米的節(jié)點,但記憶體主流的還是20 納米、18 納米等技術。其中,18 納米就屬于16 到19 納米之間的1X 納米節(jié)點,后面的1Y 納米則是14 到16 納米之間,1Z 則大概是12 到14 納米制程之間。再往下走,美光就提出的是1α 及1β 制程技術,而具體對應的制程技術是多少納米就不明了。

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就目前市場上來看,三星是第一家量產(chǎn)18 納米技術記憶體的廠商,也就是第一個進入1X 納米節(jié)點的記憶體公司,遙遙領先其他競爭對手。而美光方面,現(xiàn)在也開始向1X 納米技術轉(zhuǎn)進,下一代的1Y 納米技術則已經(jīng)進入客戶驗證階段了,預計2018 年下半年問世。再下去的1Z 納米技術節(jié)點目前正處于制程優(yōu)化階段,而1α 及1β 制程則是在不同研發(fā)階段中。

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對此,美光執(zhí)行長Sanjay Mehrotra 日前在參加公開會議上表示,在EUV 光刻技術上,他認為EUV 光刻機在DRAM 芯片制造上不是必須的,未來可能到1α 及1β 制程技術時都還不見得會用到。不過,這樣的看法似乎與半導體設備大廠艾司摩爾(ASML) 的看法有些不同。因為,艾司摩爾之前曾經(jīng)表示,在記憶體生產(chǎn)技術上,進入1Y 納米技術的節(jié)點時就需要考慮EUV 技術了。只是,這樣的預測到目前實際上并沒有發(fā)生,因為包括三星在內(nèi)的三大DRAM 廠在內(nèi),目前都沒有很快進入EUV 技術的打算。因此,即使未來記憶體的需求依舊強勁,但要以EUV 技術來加大能量,短期內(nèi)仍然還不容易見到。


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