《電子技術(shù)應(yīng)用》
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攜手大陸強攻DRAM,,聯(lián)電打的什么算盤?

2018-08-20
關(guān)鍵詞: 聯(lián)電 DRAM 集成電路

聯(lián)電是全球第 3 大晶圓代工廠,,過去 1 年,,做晶圓代工的聯(lián)電,,卻跨界和專做 DRAM(動態(tài)隨機存取內(nèi)存)的美國美光公司打起全球訴訟。 去年,,美光在臺灣和美國控告聯(lián)電侵害美光營業(yè)秘密,,在臺灣已遭起訴;今年初,,聯(lián)電在中國福州,,控告美光侵害聯(lián)電專利,7 月時,,中國福州中級法院發(fā)出訴中禁令,,禁止美光部分產(chǎn)品在中國販賣。 你來我往,,互不相讓,。


真正的導(dǎo)火線,是 2016 年聯(lián)電和中國內(nèi)存新廠──福建省晉華集成電路公司的一紙文件,,指出聯(lián)電和晉華協(xié)議,,是由晉華提供 3 億美元,替聯(lián)電采購研發(fā)設(shè)備,,再按 DRAM 技術(shù)的開發(fā)進度支付聯(lián)電 4 億美元,,但聯(lián)電必須開發(fā)出 32 納米的 DR AM 相關(guān)制程技術(shù)。

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▲ 福建省晉華集成電路是目前中國 3 個發(fā)展 DRAM 技術(shù)的團隊之一,,整個投資案規(guī)模超過臺幣 1,500 億元,。


左右全球 DRAM 產(chǎn)業(yè)的大案,聯(lián)電有機會藉此擴大影響力


事實上,,2016 年 4 月,,經(jīng)濟部投審會就通過了聯(lián)電和晉華的合作案,由聯(lián)電在南科研發(fā),,再移轉(zhuǎn)到晉華生產(chǎn),;聯(lián)電如果成功,大陸和臺灣將首度擁有自制 DRAM 的能力,,全球 DRAM 產(chǎn)業(yè)的格局將因此改變,, 聯(lián)電也能藉此擴大在利基型內(nèi)存市場的影響力,此役可謂非常關(guān)鍵,。


但是現(xiàn)在,,與美光的訴訟讓這起合作案變得極為敏感。 中國急于取得 DRAM 的制造能力,,合肥睿力,、清華紫光和福建晉華三股勢力,都爭相開發(fā) DRAM 技術(shù),。 我們好奇,,聯(lián)電在這場大戰(zhàn)里,,扮演什么樣的角色?

8 月 1 日,,《財訊》采訪團隊赴福建晉江,,直擊正在大興土木的晉華公司,一探聯(lián)電機密 DRAM 生產(chǎn)計劃的虛實,。


車子進入晉江,,迎面而來的是大批香蕉園,傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)才是這里的主流,,轉(zhuǎn)入一條小路后,,右邊赫然出現(xiàn)一棟巨大的晶圓廠;《財訊》造訪時,,晉華的主建筑物剛剛完成,,警衛(wèi)室的鐵門都還沒裝上,就連一旁的旗桿都是前幾天裝的,。


從外部觀察,,晉華已經(jīng)進入裝機階段,因為,,門口不時可看到臺灣啟德的搬運車,,這家公司正是專為臺灣晶圓廠搬運設(shè)備的搬運商;這代表,,這座廠不是空殼子,,已經(jīng)在為生產(chǎn)做準(zhǔn)備。


另一跡象是,,硅品在晉華對面,,也圈下一塊 44,000 坪的土地,趕工興建封測廠,,很明顯的,,硅品要趕在晉華一開始生產(chǎn)內(nèi)存時,就拿下相關(guān)的內(nèi)存封測商機,。

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▲ 硅品在福建晉華總部對面正拿下 4 萬坪土地,,趕工興建封測廠,急著布局晉華未來的內(nèi)存封測商機,。


問題是,,聯(lián)電真能設(shè)計出 DRAM 技術(shù)嗎? 《財訊》記者多次要透過聯(lián)電約訪關(guān)鍵人物,,聯(lián)電資深副總經(jīng)理陳正坤,但被拒絕,,他也是現(xiàn)在福建晉華的總經(jīng)理,。


這天中午,,《財訊》在晉華門口「堵」到了陳正坤。


陳正坤是臺灣瑞晶前總經(jīng)理,,他經(jīng)營臺灣瑞晶時,,這家公司是臺灣最賺錢的 DRAM 廠,當(dāng)時,,每天下午 5 點,,他就帶著年輕的工程師在廠區(qū)里跑步,這是他激勵團隊的方式,。

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▲ 《財訊》在晉華采訪到聯(lián)電資深副總陳正坤,,他目前也兼任晉華總經(jīng)理。


關(guān)鍵人物陳正坤現(xiàn)身晉華準(zhǔn)備試產(chǎn),,趕工布建產(chǎn)能


「陳總,,來這里還跑嗎? 」《財訊》記者問陳正坤,,跟著他走進晉華的大樓門廳,,「快要開始了」,陳正坤笑,,我們走進晉華的大門,,門廳里晉華的標(biāo)志才剛剛貼上,陳正坤說,,「這里的規(guī)模應(yīng)該有瑞晶的 3 到 5 倍」,。 規(guī)畫是,要讓產(chǎn)能先到位,,只要試產(chǎn)沒問題,,隨時就能進入量產(chǎn)! 但,,聯(lián)電做 DRAM 良率如何,? 陳正坤低調(diào)回應(yīng),「我們已經(jīng)有良率」,,意思是,,已經(jīng)能成功制造產(chǎn)品,只待進一步修正,,提高良率,。 聯(lián)電 DRAM 量產(chǎn),在技術(shù)上已有重大突破,。


陳正坤透露,,聯(lián)電研發(fā) DRAM 的研發(fā)生產(chǎn)線早已在臺灣南科運轉(zhuǎn),聯(lián)電調(diào)集 200-300 名研發(fā)工程師進行實驗,「我們做研發(fā),,兢兢業(yè)業(yè),,不敢松懈! 」他自信地說,。


外傳聯(lián)電擁有晉華股份,,問到這里,陳正坤急忙否認(rèn),,「這里都是福建的」,,陳正坤雖然掛晉華總經(jīng)理,但他其實是從聯(lián)電借調(diào)到晉華,,提供晶圓廠設(shè)計服務(wù),,讓聯(lián)電設(shè)計出的 DRAM 技術(shù),能搭配適當(dāng)?shù)纳a(chǎn)設(shè)備生產(chǎn),。 而且,,蓋廠要負擔(dān)沉重的成本,根據(jù)《紐約時報》報導(dǎo),,這座廠要價 57 億美元,。 只設(shè)計,不投資,,對聯(lián)電目前的財務(wù)狀況來說,,負擔(dān)才不會太沉重。


福建有可能成為中國第一個量產(chǎn) DRAM 的地方,,問題是,,臺灣過去也從沒在 DRAM 上取得自主開發(fā)的技術(shù),怎么突然在 1 年半時間,,研發(fā)出自主的量產(chǎn)技術(shù),?


《財訊》采訪多位半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)人士,得到的結(jié)論是,,內(nèi)存設(shè)計和制造其實不像外界想得那么困難,,「但繞過 3 家大廠的專利保護網(wǎng)才困難」。 過去,,DRAM 生產(chǎn)比的是速度,,誰能用半導(dǎo)體微縮技術(shù),開發(fā)出新一代的內(nèi)存,,就能在同樣一片晶圓上,,生產(chǎn)出更多、成本更低的內(nèi)存,,而且更省電,,因此,,在制程競賽中落后的廠商,就會因為缺乏成本競爭力被迫退出賽局,。 但近幾年,,由于半導(dǎo)體微縮制程已近物理極限,內(nèi)存線路微縮的速度也在放緩,,這一點對新加入競爭的廠商有利。

試圖繞過 3 家大廠專利保護網(wǎng),,晉華給聯(lián)電極大優(yōu)惠,,雙方各擁技術(shù)權(quán)

根據(jù)《財訊》調(diào)查,目前聯(lián)電高層認(rèn)為,,DRAM 技術(shù)里,,device(器件)的設(shè)計,相當(dāng)于邏輯制程的 65 納米,,「這對我們很簡單」,,真正難的是 module(模塊)的設(shè)計,「大約是 14 納米制程,,比較難,,關(guān)卡在 module 技術(shù)」。


聯(lián)電已建立起 DRAM 研發(fā)能力,,并規(guī)劃出不只一個世代的產(chǎn)品,,雖然第一代從較成熟的 35 納米開始,但未來有能力自己研發(fā)出使用 1X 制程的產(chǎn)品,。 「DRAM 微縮的速度在放慢,,」一位業(yè)界人士觀察,聯(lián)電如果能從 25 納米切入,,就能做出各式各樣的嵌入式產(chǎn)品,,擁有巨大的商業(yè)價值,「但聯(lián)電對做一般 DRAM 沒有興趣,,是為了發(fā)展代工用的嵌入式內(nèi)存技術(shù)才加入合作案」,。


關(guān)鍵在于,聯(lián)電現(xiàn)在改變策略,,要專注發(fā)展與臺積電不一樣的制程和服務(wù),,嵌入式系統(tǒng)用的內(nèi)存技術(shù)對聯(lián)電未來發(fā)展十分重要,這項技術(shù)可以用在數(shù)據(jù)中心,、高速運算,、物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域,臺積電也積極投入研發(fā),。


投入 DRAM 的另一個關(guān)鍵是,,晉華給了聯(lián)電極為優(yōu)惠的條件。


福建晉華拿出 3 億美元資金,替聯(lián)電買專用設(shè)備,,放在南科聯(lián)電 12A 廠做研發(fā),,如果做出這項技術(shù),晉華還會再按進度,,拿出 4 億美元給聯(lián)電,,最重要的是,聯(lián)電將和晉華共同擁有這項技術(shù)的所有權(quán),。 為了把技術(shù)留在臺灣,,聯(lián)電因此把研發(fā)基地設(shè)在南科。 這項技術(shù)合作案也通過投審會審查,。

其中最重要的限制條件則是,,「不能授權(quán)中國其他省分使用這項技術(shù);但中國之外,,聯(lián)電能自由使用這項技術(shù),。 」聯(lián)電等于不用付錢,就有機會取得內(nèi)存技術(shù),。


這項計劃早已布局多年,,在馬政府時代,曾有兩岸共同研發(fā) DRAM 技術(shù)的構(gòu)想,,中國方面也一直積極在全世界找合作對象,。 當(dāng)初福建省有意與爾必達前執(zhí)行長阪本幸雄合作,聯(lián)電原本只是想在阪本幸雄的旁邊蓋廠,,共同采購設(shè)備,,降低成本。


阪本幸雄最后「劈腿」,,改與合肥合作,,「新娘」跑了,福建官方就找上「媒人」,,與聯(lián)電商議,,「不如由聯(lián)電來做」,整個計劃前后布局至少 4,、5 年,。 聯(lián)電是意外參與這個計劃。


過去幾年,,大部分人只注意到晶圓代工之王──臺積電的動向,,卻沒注意,聯(lián)電開始把過去累積的半導(dǎo)體技術(shù)實力,,拿到新的市場上「變現(xiàn)」,。 聯(lián)電如果成功,,中國和臺灣將有自制 DRAM 的能力,惟聯(lián)電的新策略能否成功,,除了攻克技術(shù)難關(guān),,能不能打贏法律戰(zhàn),才是接下來最重要的關(guān)鍵,。

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▲ 聯(lián)電把 DRAM 技術(shù)設(shè)計中心放在南科 12A 廠,,圖為設(shè)計中心所在大樓。


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