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傳聯(lián)電計劃收購彩晶南科廠以發(fā)展先進封裝

2025-06-23
來源:芯智訊

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近日市場傳出消息稱,晶圓代工大廠聯(lián)電有意在南科收購瀚宇彩晶廠房。對此,聯(lián)電響應表示,對于市場傳言不予評論。不過針對未來在中國臺灣產(chǎn)能規(guī)劃,聯(lián)電指出,目前已在新加坡建置2.5D先進封裝產(chǎn)能,并已將部分制程拉回中臺灣,不排除未來在臺擴廠的可能。

未來將依據(jù)業(yè)務發(fā)展與整體策略,搭配既有的晶圓對晶圓鍵合(Wafer to Wafer Bonding)技術,持續(xù)在臺灣推進更完整的先進封裝解決方案。

聯(lián)電目前于南科設有Fab 12A廠,于2002年開始量產(chǎn),現(xiàn)已導入14nm制程,提供客戶高階定制化制造。據(jù)業(yè)界信息指出,聯(lián)電正洽談購置Fab 12A廠對面的彩晶廠房,未來可能規(guī)劃用于發(fā)展先進封裝產(chǎn)能。

對于是否有意購置該廠,聯(lián)電財務長劉啟東表示,對市場傳聞無法回應,但強調(diào),公司會持續(xù)尋找對營運與獲利具正面助益的機會,包括廠房設定、技術合作與新投資案。中國臺灣始終是聯(lián)電擴產(chǎn)的重要選項。

針對未來擴產(chǎn)方向,劉啟東指出,聯(lián)電將不再局限于傳統(tǒng)晶圓代工,也將跨足先進封裝等高附加價值領域。目前公司在新加坡已建置2.5D封裝制程,并具備晶圓對晶圓鍵合(Wafer to Wafer Bonding)技術,這是一項可在原子級層面進行晶圓堆疊的關鍵工藝,廣泛應用于3D IC制造。聯(lián)電在中國臺灣的產(chǎn)線,也已具備該制程能力。

劉啟東強調(diào),聯(lián)電未來將持續(xù)發(fā)展整套的先進封裝解決方案,而非單純制程投入,將晶圓代工與封裝整合,朝向完整服務體系邁進。

展望技術布局,聯(lián)電指出,現(xiàn)階段晶圓制程仍以12nm并與英特爾合作為主,未來除邏輯制程外,也將積極投入化合物半導體、橫向特制化等新型材料與應用,拓展多元產(chǎn)品線的競爭優(yōu)勢。

此外,聯(lián)電硅中介層(Interposer)目前月產(chǎn)約6,000片,后市已無新增擴產(chǎn)計劃。

劉啟東表示,未來重點將轉(zhuǎn)向“更高附加價值的整合型技術”,包括導入Wafer to Wafer Bonding制程,再搭配現(xiàn)有晶圓制造技術,開發(fā)更完整的系統(tǒng)級解決方案,并提供客戶一站式服務。

聯(lián)電重申,未來在產(chǎn)能配置方面,將秉持全球布局原則,靈活應對產(chǎn)業(yè)與政策環(huán)境變化,而中國臺灣具備人才與供應鏈優(yōu)勢,更是研發(fā)與生產(chǎn)的主要重心,未來任何具價值的投資與合作機會,公司都將積極評價、審慎布局。


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