2月22日消息,，三星在官網(wǎng)宣布,，高通未來的5G移動(dòng)設(shè)備芯片將基于他們的7nm LPP工藝制造,，該技術(shù)節(jié)點(diǎn)會(huì)引入EUV（極紫外光刻）,。
2017年5月,，三星首秀了7nm LPP EUV工藝,，同年7月,，三星放言,，在2018年會(huì)比對手臺(tái)積電更早地量產(chǎn)7nm。
三星透露,，比較當(dāng)前的10nm FinFET工藝,，7nm將實(shí)現(xiàn)面積縮小40%、10%的性能提升,、35%的功耗下降,。
有趣的是，高通在本月還推出了基于7nm工藝的X24基帶,，但是一款4G LTE產(chǎn)品,，不知道是不是三星參與打造,，畢竟在這次的新聞稿中沒有被證實(shí)。
而爆料大神Roland曾表示,，高通的首款7nm AP是驍龍855,，似乎找不出什么理由突然讓臺(tái)積電橫插入代工。
另外,，三星在2017年10月宣布正開發(fā)介于10nm和7nm的8nm中間制程,，同樣是和三星合作，看來兩者的關(guān)系未來是更鐵了,。
三星位于韓國華城的半導(dǎo)體工廠,，圖片來自三星官網(wǎng)
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