三星電子為了鞏固存儲器霸業(yè),，制定 DRAM 發(fā)展藍(lán)圖,，擘劃制程微縮進度。業(yè)界預(yù)估,，15 納米可能是 DRAM 制程微縮的極限,，擔(dān)憂三星遭中國業(yè)者追上,。

韓媒 etnews 18 日報導(dǎo)，業(yè)界消息稱,，三星去年開始量產(chǎn) 18 納米 DRAM,，目前正研發(fā) 17 納米 DRAM，預(yù)定今年底完成開發(fā),、明年量產(chǎn),。與此同時,，三星也成立 16 納米 DRAM 開發(fā)小組，目標(biāo)最快 2020 年量產(chǎn),。相關(guān)人士透露,，微縮難度高，2020 年量產(chǎn)時間可能延后,。

三星從 20 納米制程（28→25→20），轉(zhuǎn)進 10 納米制程（18→17）,，縮小線寬（Line－width）的速度明顯放緩,。三星尚未成立 15 納米制程以下的研發(fā)團隊，因為由此開始,，電流外泄和電容器干擾和情況將更為明顯,，需要開發(fā)新的材質(zhì)。

三星設(shè)備解決方案部門的半導(dǎo)體實驗室人員 Jung Eun－seung 說,，為了繼續(xù)縮小線寬,，必須開發(fā)與當(dāng)前不同的新材質(zhì)，并提高制程穩(wěn)定性,，以便進入量產(chǎn),。業(yè)界人士估計，15 納米或許是制程微縮的極限,，未來三星可能難以透過制程微縮拉大與對手差距,，并擔(dān)憂中國業(yè)者急起直追，趕上三星,。