在今年年初,，三星、臺積電、英特爾在10nm制程上良率的不佳的問題被接連曝光了,，其中影響最大的莫過于三星了,，因為高通計劃在今年第二季度正式戳驍龍835處理器,，良率的問題將會導致持續(xù)的供貨不足,；英特爾是最放松的，他們在2017年年初發(fā)布了采用14nm的kabyLake,，10nm工藝依舊沒有被引進到生產(chǎn)之中,；臺積電的10nm 工藝同樣出現(xiàn)了良率低的問題，不過在臺積電的最大客戶蘋果準備在9月發(fā)布新品,，所以他們依然有時間來解決良率太低的問題,。

如果10nm未能達到臺積電欲其中的良率，那么產(chǎn)能不足的問題將會持續(xù)，對于其他客戶來說,，無法拿到最先進的10nm工藝,，那么采用改良版的16nm也是一個非常不錯的選擇。臺積電的16nm工藝最早在2015年開始量產(chǎn),，雖然外界很多消息表示臺積電的16nm和三星的14nm只是20nm工藝的改良版本，不過在性能和功耗上要強于20nm很多,。在傳出臺積電10nm工藝良率不加的時候,，關于臺積電將推出12nm救場的消息就開始了。

臺積電這一次推出的10nm工藝,，其實就是現(xiàn)有16nm工藝的微縮改良版,，具有更低的漏電率和成本，并且在線寬方面超越了三星的14nm工藝,。臺積電將16nm改良版更名為12nm的目的是反擊三星,、格羅方德、中芯國際等競爭對手的工藝優(yōu)勢,，牢牢掌控10－28nm的晶圓代工市場,。

其實格羅方德在去年就退出了12nm FD－SOI工藝，與16nm FinFET工藝相比,，12nm制程能夠將功耗降低50％,，性能提升15％，掩膜成本較10nm降低40％,。不過由于三星方面已經(jīng)明確表示,，他們的10nm工藝主要是針對低功耗平臺，所以格羅方德直接跳過了10nm,，開始了7nm工藝的研發(fā),。

雖然臺積電將16nm工藝使用了四代，不過工藝更成熟的他們可以在更短的時間內實現(xiàn)量產(chǎn)出貨,；而格羅方德則稍顯尷尬,，他們的12nm FD－SOI要量產(chǎn)還需要更多的時間，這也將會導致他們繼續(xù)落后世界最先進的半導體制造,。