曼大研究人員本月宣布，已成功制成只有幾原子厚的硒化銦材料,。它擁有比石墨烯更好的半導體屬性,，是未來替代硅制作電子芯片的理想材料。

　　近十年來,，全世界對石墨烯和二維材料的研究進行了巨大的投入,。這些努力沒有白費。近期,，一種可應(yīng)用于未來超算設(shè)備的新型半導體材料浮出水面,。

　　這種半導體名為硒化銦 （InSe），它只有幾原子厚,，十分接近石墨烯,。本月,，曼徹斯特大學和諾丁漢大學的研究人員們把這項研究發(fā)表在學術(shù)期刊 《Nature Nanotechnology》上。

硒化銦（Indium Selinide,，InSe）

　　比石墨烯更好的半導體

　　石墨烯只有一層原子那么厚，具有無可比擬的導電性,。全世界的專家們都在暢想石墨烯在未來電路中的應(yīng)用,。

　　盡管有那么多的超凡屬性，石墨烯卻沒有能隙（energy gap）,。不同于普通的半導體,，它的化學表現(xiàn)更像是金屬。這使得它在類似于晶體管的應(yīng)用上前景黯淡,。

　　這項新發(fā)現(xiàn)證明,，硒化銦晶體可以做得只有幾層原子那么薄。它已表現(xiàn)出大幅優(yōu)于硅的電子屬性,。而硅是今天的電子元器件（尤其是芯片）所普遍使用的材料,。

　　更重要的是，跟石墨烯不同,，硒化銦的能隙相當大,。這使得它做成的晶體管可以很容易地開啟/關(guān)閉。這一點和硅很像,，使硒化銦成為硅的理想替代材料,。人們可以用它來制作下一代超高速的電子設(shè)備。

　　石墨烯之父：它是硅和石墨烯中間的理想材料

　　當下,，科學家們很喜歡把石墨烯和其他優(yōu)秀的材料結(jié)合起來,。讓石墨烯的非凡屬性和其他材料的特點進行互補。這往往產(chǎn)生令人興奮的科學發(fā)現(xiàn),，并會以我們想象不到的方式應(yīng)用在實際問題中,。

　　“石墨烯之父 ”Sir Andre Geim 說：

　　“超薄的硒化銦，是處于硅和石墨烯之間的理想材料,。類似于石墨烯,，硒化銦具有天然超薄的形態(tài)，使真正納米級的工藝成為可能,。又和硅類似,，硒化銦是優(yōu)秀的半導體?！?/em>

Sir Andre Geim

　　由于發(fā)現(xiàn)了石墨烯,，Sir Andre Geim 獲得了諾貝爾物理學獎。他同時也是這項研究的作者之一,。他認為,，這項硒化銦的發(fā)現(xiàn)會對未來電子產(chǎn)業(yè)產(chǎn)生巨大沖擊,。

　　硒化銦是國立石墨烯研究院的最新成果

國立石墨烯研究院

　　曼徹斯特大學的研究人員們需要克服一項首要問題，才能制作出高質(zhì)量的硒化銦裝置,。由于太薄,，硒化銦會快速被氧氣和空氣中的水分分解。為避免這種情況,，硒化銦裝置必須在氬氣中制作,。而這利用了曼大國立石墨烯研究院開發(fā)的技術(shù)。

　　這使得世界上第一片高質(zhì)量,、原子厚度的硒化銦薄膜被生產(chǎn)出來,。它在室溫下的電子遷移率達到 2，000 cm2/Vs,，遠遠超過了硅,。在更低溫度下，這項指標還會成倍増長,。

　　當前的實驗中,，研究者們制作出的硒化銦長寬有幾微米，大約相當于一根頭發(fā)絲的橫截面那么大,。研究人員們相信,，只要結(jié)合現(xiàn)有的制作大面積石墨烯的技術(shù)，硒化銦的商業(yè)化生產(chǎn)指日可待,。

　　國立石墨烯研究院負責人,，同時也是這篇論文作者之一的 Vladimir Falko 教授說：

　　“國立石墨烯研究院開發(fā)的技術(shù)，能把材料的原子層進行分離,，生產(chǎn)出高質(zhì)量二維晶體,。這項技術(shù)為開發(fā)應(yīng)用于光電子學的新材料，提供了廣闊的前景,。我們一直在尋找新的層狀材料做試驗,。”

　　超薄硒化銦,，是飛速增長的的二維晶體大家族中的一員,。這些二維晶體，根據(jù)結(jié)構(gòu),、厚度和化學成分的不同,，有許多有用的屬性。對石墨烯和二維材料的研究,，溝通了科學和工程技術(shù),。在今天，這是材料科學發(fā)展最快的領(lǐng)域。