存儲器供貨吃緊,，價格噴發(fā),，先前韓媒預估，廠商制程轉換將使產(chǎn)能減少,，明年下半可能還有一波新行情,。對此外資警告,，DRAM榮景能否持續(xù)，取決于存儲器龍頭三星電子,，要是三星擴產(chǎn),，好景恐怕無法持續(xù)。

　　巴倫(Barronˋs),、報道,，六月以來PC DRAM現(xiàn)貨價大漲30%，光是過去兩周就飆升9%,；NAND Flash也供不應求,，價格挺升，存儲器大廠SK海力士(SK Hynix)和美光(Micron)股價都因此一飛沖天,。存儲器市場還能熱多久,？Bernstein Research的Mark Newman說，一切要看三星,。

　　Bernstein報告稱,，要是DRAM獲利提高到誘人地步，三星可能會增產(chǎn),，一如該公司在2014,、2015年所做,。他們估計，三星DRAM毛利將拉高至58~59%的高點,，類似2014/15年,，屆時三星應會在17號產(chǎn)線或新落成的平澤廠等閑置廠房增加產(chǎn)能，如此一來,，市場將從供不應求,，轉為平衡，甚至在2017年中或年末時,，演變?yōu)楣┙o過剩,。

　　報告指出，未來幾個月,，DRAM類股仍會有好表現(xiàn),。不過供給緊俏、三星有巨大成本優(yōu)勢,，又有閑置廠房可提升產(chǎn)能,，預期三星可能會增加3D NAND和DRAM產(chǎn)出。

　　與此同時,，SK海力士股價從五月中低點大漲逾50%,，JP Morgan的JJ Park建議應該獲利了結。他說就算DRAM價格維持高檔,，SK海力士需要砸錢蓋廠房,，生產(chǎn)3D NAND，毛利會受沖擊,，不看好未來股價表現(xiàn)。

　　SK海力士22日下跌0.13%收在39,350韓元,。今年迄今飆漲27.97%,。

　　明年下半DRAM供給可能會供不應求，存儲器廠商轉進20納米制程的產(chǎn)能損失,，或許會讓DRAM陷入供給短缺,，炒熱新行情。

　　韓媒,、報道,，半導體和投資銀行的業(yè)界消息指出，2017年DRAM需求預料將年增19.3%,，不過2017年DRAM每月產(chǎn)量將減少2萬組,，從當前的105萬組、2017年降至103萬組,，主要是制程轉換造成產(chǎn)能減少,。不僅如此,，產(chǎn)程轉換的供給成長率以往大約是30%，2017年成長率可能減至10%,，加劇供給不足問題,。

　　據(jù)了解，明年上半年是淡季,，DRAM可能會略為供給過剩,。不過隨著美光(Micron)、SK海力士(SK Hynix)轉進20納米,，產(chǎn)出減少,；下半年傳統(tǒng)旺季到來時，業(yè)者又未增加投資,，DRAM將由供給過多變?yōu)楣┙o不足,。