《電子技術(shù)應(yīng)用》
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新式原子級(jí)電晶體為下一代運(yùn)算技術(shù)鋪路

2016-07-15
關(guān)鍵詞: 石墨烯 二氧化矽 IC

美國(guó)羅倫斯柏克萊國(guó)家實(shí)驗(yàn)室的科學(xué)家開(kāi)發(fā)出一種新的化學(xué)組裝方法,,能夠?qū)崿F(xiàn)僅有原子厚度的電晶體與電路,,從而為下一代電子與電腦運(yùn)算技術(shù)鋪路。

  美國(guó)能源部羅倫斯柏克萊國(guó)家實(shí)驗(yàn)室(Berkeley Lab)開(kāi)發(fā)出一種結(jié)合采用2D石墨烯材料和二硫化鉬(MoS2)電晶體的組裝方法,。

  該方法在以石墨烯襯底的二氧化矽基板上蝕刻窄通道,,接著再以過(guò)渡金屬二硫?qū)倩?TMDC)或更具體的是MoS2,。這兩種材料均為只有一原子層的2D結(jié)構(gòu)。這種合成方法能夠覆蓋幾平方公分大小的區(qū)域,,從而開(kāi)啟了在晶圓廠以晶圓實(shí)現(xiàn)商用規(guī)模生產(chǎn)的可能性,。

  “這項(xiàng)成果可說(shuō)是朝著在更小面積打造原子級(jí)電路或封裝更多運(yùn)算能力的可擴(kuò)展、可重覆之路跨出了一大步,,”柏克萊國(guó)家實(shí)驗(yàn)室資深研究員Xiang Zhang表示,。

  研究人員們著眼于僅有一個(gè)分子厚的2D晶體,作為延續(xù)摩爾定律的替代材料,。這些晶體也至于受到矽晶的限制,。

  在 此背景下,柏克來(lái)實(shí)驗(yàn)室的研究人員開(kāi)發(fā)出一種生長(zhǎng)單層半導(dǎo)體的方式,,如TMDC MoS2,,將導(dǎo)電石墨烯層蝕刻于通道中。采用兩種原子層組合的方式形成奈米級(jí)接面,,讓石墨烯得以有效注入電子于MoS2通道的導(dǎo)電帶。這些接面能夠?qū)崿F(xiàn)原 子級(jí)厚度的電晶體,,研究人員指出,,相較于僅采用金屬觸點(diǎn)注入電流于TMDC的傳統(tǒng)方法,,這種采用2D材料組裝電路的方式更有助于提高性能。

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  示意圖顯示2D晶體的化學(xué)組成,。首先將石墨烯蝕刻于通道中,,TMDC MoS2開(kāi)始在通道內(nèi)沿著邊緣形成核心。在這些邊緣上,,MoS2稍微重疊在石墨烯頂部,。最后,MoS2進(jìn)一步生長(zhǎng)的結(jié)果,,完整地填充了這些通道,。(來(lái)源:Berkeley Lab)

  光學(xué)和電子顯微鏡影像,以及光譜映射,,分別確認(rèn)有關(guān)于成功形成與2D晶體功能性等各種不同方面,。

  研究團(tuán)隊(duì)將這些電晶體組裝于逆變器的邏輯電路中,展示了這些結(jié)構(gòu)的適用性,,并進(jìn)一步強(qiáng)調(diào)該技術(shù)適于于量產(chǎn)商用IC以及組裝原子電腦,。

  柏克萊國(guó)家實(shí)驗(yàn)室首席研究員暨柏克萊大學(xué)(UC Berkeley)博士生Mervin Zhao表示,“這兩種2D晶體能以相容于現(xiàn)有半導(dǎo)體制造的方式,,以晶圓級(jí)進(jìn)行合成,。藉由整合我們的技術(shù)與其他的生長(zhǎng)系統(tǒng),未來(lái)的運(yùn)算可望完全以原子級(jí)晶體來(lái)完成,?!?/p>

  這項(xiàng)研究已發(fā)表于最新一期的《自然奈米技術(shù)》(Nature Nanotechnology)期刊中。

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