摘  要： 設(shè)計了一種基于電容倍增的無電容式LDO，將電容倍增模塊嵌入到了誤差運算放大器的第一級,，提升了系統(tǒng)的環(huán)路帶寬,，有良好的瞬態(tài)響應(yīng),。電路通過0.13 m標準CMOS工藝仿真實現(xiàn)，仿真結(jié)果顯示,，系統(tǒng)靜態(tài)功耗為42 W,，當(dāng)負載從0~50 mA變化時，電壓最大波動為87 mV,，建立時間為2.5 s,。

　　關(guān)鍵詞： LDO,；電容倍增,；瞬態(tài)響應(yīng)

0 引言

　　作為電源管理芯片中重要的一員，低壓差線性穩(wěn)壓器（Low-Dropout regulator,，LDO）因其紋波低,、噪聲低、體積小等優(yōu)點被廣泛應(yīng)用到各種便攜式電子產(chǎn)品（如手機,、PDA等）中,。傳統(tǒng)的LDO利用片外大電容穩(wěn)定其輸出電壓，但是不易于系統(tǒng)集成[1-3],。與傳統(tǒng)的LDO相比,，無電容式LDO不需要較大的片外電容，易于系統(tǒng)集成,，然而其穩(wěn)定性和瞬態(tài)響應(yīng)成為設(shè)計的難點,。為了保證無電容式LDO的穩(wěn)定性，通常利用米勒效應(yīng)來實現(xiàn)極點分類,，為了達到足夠的相位裕度,，通常需要采用較大的米勒補償電容，消耗較大的芯片面積,。參考文獻[4]提出了一種經(jīng)典的電容倍增技術(shù),，但是其電容倍增系數(shù)受到電流鏡電流之比的限制；參考文獻[5]提出的電容倍增技術(shù)能提高電容倍增系數(shù),，有效地減小所需補償電容的面積,，但由于誤差放大器輸出節(jié)點的非對稱性，為系統(tǒng)引入了失調(diào),，影響了LDO的線性調(diào)整率,。

　　本文提出LDO結(jié)構(gòu)，將電容倍增技術(shù)嵌入到第一級,，使得第一級完全對稱,，且能提高環(huán)路帶寬，提高了環(huán)路瞬態(tài)響應(yīng)速度,，電路采用0.13 m標準CMOS工藝仿真實現(xiàn),。

1 電容倍增技術(shù)

　　參考文獻[1]提出的電容倍增技術(shù)如圖1（a）所示,，該技術(shù)基于電流模式實現(xiàn)，其原理為：采樣流過電容的電流,，通過電流鏡實現(xiàn)放大后再反饋到電容的另一端,，以實現(xiàn)電容倍增效果。其等效電容為（1+k）,，其中k為電流鏡的放大系數(shù),。

　　參考文獻[2]采用的電容倍增技術(shù)如圖1（b）所示，在M1的柵極和漏極之間插入了一個電阻Re,，同樣能實現(xiàn)自偏置效果,，無需額外的偏置電路。A點仍為低阻節(jié)點,，但是B點不再是低阻節(jié)點,，因此流過Cm的電流通過Re和M1放大成電壓V1，然后通過M2再次轉(zhuǎn)換成電流,。其等效電容可表示為：

　　Ceq=（1+k）gm1RbCm（1）

　　從式（1）可以看出,，其等效電容與參考文獻[1]中提出的電容倍增技術(shù)相比，提高了gm1Re倍,，因此對于固定的負載電容,，所需要的片上補償電容大大減小。

2 LDO電路設(shè)計

　　本文提出的LDO結(jié)構(gòu)如圖2所示,，主要包括三部分,。第一級全對稱的運算放大器由M0~M8和電阻Re組成，其中包括由M3,、Re,、M5和M4、Re,、M6組成的電容倍增模塊,，該模塊嵌入第一級，與參考文獻[2]相比,，功耗減小了,。同時第一級為完全對稱結(jié)構(gòu)，因此能減小失調(diào),。第二級運算放大器由功率管Mp和采樣電阻組成,。第三部分為頻率補償部分。Vref為帶隙基準源產(chǎn)生的基準電壓,；Cm為米勒補償電容,；RL為負載電阻；CL為負載電容,，為100 pF,。

　　為了分析環(huán)路的穩(wěn)定性,，求出其傳輸函數(shù)為：

　　其中，gmi為Mi的跨導(dǎo),，R1為第一級輸出電阻,，Ro為第二級輸出阻抗，C1為第一級輸出電容,，其值分別為：

　　Ro=（R1+R1）//Rp//RL（3）

　　C1=Cgs_p+ApassCgd_p（4）

　　Adc和pd為運算放大器的直流增益和主極點,，分別為：

　　Adc=kgm1gmpR1Ro（5）

　　由式（7）可以看出，本文提出的LDO結(jié)構(gòu)具有大的電容倍增系數(shù),，同時與參考文獻[5]相比,，GBW提升了k倍，因此具有更好的瞬態(tài)特性,。

3 仿真實驗

　　為了驗證本文所提出的LDO的合理性,，對圖2所示的電路采用0.13 μm 標準CMOS工藝仿真驗證，當(dāng)工作溫度為25℃,、輸入電壓為1.2 V、輸出電壓為1 V,、負載電容為100 pF時,，由于采用了本文提出的電容倍增技術(shù)，片上補償電容僅為0.8 pF,?？蛰d和負載為50 mA時，LDO環(huán)路頻率響應(yīng)曲線如圖3所示,。

　　仿真結(jié)果顯示,，在0~50 mA全負載范圍內(nèi)，最小增益為45.66 dB,，單位增益帶寬為570 kHz,，相位裕度為60°，反饋環(huán)路具有很好的穩(wěn)定性,。同時由于將電容倍增模塊嵌入到了誤差運算放大器的第一級,，因此提高了環(huán)路的單位增益帶寬。

　　當(dāng)負載從空載跳到50 mA然后再跳回空載時,，系統(tǒng)的瞬態(tài)響應(yīng)如圖4所示,。仿真結(jié)果顯示，上沖電壓為87 mV,，調(diào)整時間為2.5 s,；下沖電壓為49 mV，調(diào)整時間為2.0 s,，由于系統(tǒng)單位增益帶寬得到了提升,，因此具有良好的瞬態(tài)響應(yīng)特性,。

4 結(jié)論

　　本文設(shè)計了一種新型的LDO，分析了電容倍增技術(shù)的原理,，且將電容倍增模塊嵌入到了誤差運算放大器的第一級,，提升了系統(tǒng)的環(huán)路帶寬，有良好的瞬態(tài)響應(yīng),。電路通過0.13 m標準CMOS工藝仿真實現(xiàn),，結(jié)果顯示，系統(tǒng)靜態(tài)功耗為42 W,，當(dāng)負載在全負載范圍變化時,，電壓波動最大為87 mV，建立時間為2.5 s,，能夠滿足SoC系統(tǒng)中供電電源的要求,。

　　參考文獻

　　[1] 應(yīng)建華，黃楊,，黃萌,，等.基于電容倍增技術(shù)的LDO補償方法[J].微電子學(xué)與計算機，2009,，26（11）：102-105.

　　[2] 劉明亮,，明鑫，歐雪春,，等.一種帶過溫保護和折返電流限的LDO設(shè)計[J].微電子學(xué)與計算機,，2011，41（3）：411-415.

　　[3] LIN H C,， WU H H,， CHANG T Y. An active-frequency compensation scheme for CMOS Low-Dropout regulators with transient-response improvement[J]. IEEE Transactions on Circuits And Systems-II： Express Briefs， 2009,，55（9）：853-857.

　　[4] GABRIEL A,， RINCON-MORA. Active capacitor multiplier in miller-compensatedcircuits[J]. IEEE Transactions on Solid-State Circuits， 2000,， 35（1）：26-32.

　　[5] MILLIKEN R J,， Silva-Martínez Jose， Sánchez-Sinencio Edgar. Full on-chip CMOS Low-Dropout voltage regulator[J]. IEEE Transactions on Circuits and Systems-I： Regular Papers,， 2007,，54（9）：1879-1890.

　　[6] 王晉雄，原義棟,，張海峰.一種高線性調(diào)整率無電容型LDO的設(shè)計[J].電子技術(shù)應(yīng)用,，2012，38（11）：44-47.