在“LDO基礎知識：電源抑制比”一文中，Aaron Paxton討論了使用低壓降穩(wěn)壓器 (LDO) 來過濾開關模式電源產(chǎn)生的紋波電壓。然而,，這并不是實現(xiàn)清潔直流電源的唯一考慮因素。由于LDO是電子器件,，因此它們會自行產(chǎn)生一定量的噪聲。選擇低噪聲LDO并采取措施來降低內(nèi)部噪聲對于生成不會影響系統(tǒng)性能的清潔電源軌而言不可或缺。

識別噪聲

理想的 LDO 會生成沒有交流元件的電壓軌。遺憾的是,，LDO 會像其他電子器件一樣自行產(chǎn)生噪聲,。圖 1 顯示了這種噪聲在時域中的表現(xiàn)方式。

圖 1：電源噪聲的屏幕截圖

時域分析并非易事,。因此,，檢查噪聲的主要方法有兩種：跨頻率檢查和以積分值形式檢查。

您可以使用頻譜分析儀來識別LDO輸出端的各種交流元件,。應用報告“如何測量LDO 噪聲”詳細介紹了噪聲測量方法。

圖2描繪了1A低噪聲LDO TPS7A94的輸出噪聲,。

圖 2：TPS7A94 的噪聲頻譜密度與頻率和VOUT的關系

從各條曲線可以看出,，以微伏/平方根赫茲 (μV/√Hz) 表示的輸出噪聲集中在頻譜的低端。這種噪聲主要來自內(nèi)部基準電壓,，但誤差放大器,、場效應晶體管 (FET) 和電阻分壓器也會產(chǎn)生一定噪聲。

在確定相關頻率范圍的噪聲曲線時,，跨頻率查看輸出噪聲會有所助益,。例如，音頻應用設計人員會關心電源噪聲可能會降低音質(zhì)的可聽頻率（20Hz至20kHz）,。

數(shù)據(jù)表通常為同類比較提供單一綜合噪聲值,。輸出噪聲通常在10Hz至100kHz范圍內(nèi)積分，并以微伏均方根 (μVRMS) 表示,。一些半導體制造商集成了從100Hz到100kHz或自定義頻率范圍的噪聲,。在特定頻率范圍內(nèi)進行積分有助于掩蓋令人不快的噪聲特性，因此除了積分值之外,，檢查噪聲曲線也很重要,。圖2顯示了與各種曲線相對應的積分噪聲值。德州儀器提供的LDO產(chǎn)品系列,，其集成噪聲值測量值可低至0.47μVRMS,。

降低噪聲

除了選擇具有低噪聲品質(zhì)的LDO之外，您還可以采用幾種技術來確保您的LDO具有超低噪聲特性,。這些技術涉及使用降噪和前饋電容器,，在“LDO基礎知識：噪聲 - 前饋電容器如何提高系統(tǒng)性能”一文中進行了討論。

降噪電容器

TI 產(chǎn)品組合中的許多低噪聲LDO都具有指定為“NR/SS”的特殊引腳,。圖3顯示了用于實現(xiàn)降噪功能的常見拓撲,。

圖3：帶有NR/SS引腳的LDO的常見拓撲

該引腳的功能是雙重的。它用于過濾來自內(nèi)部基準電壓的噪聲,，并在啟動期間降低壓擺率或啟用LDO,。

在此引腳 (CNR/SS) 上添加一個電容器可形成一個具有內(nèi)部電阻的電阻電容 (RC) 濾波器，有助于分流由基準電壓產(chǎn)生的不良噪聲,。由于基準電壓是噪聲的主要來源,，因此增大電容有助于將低通濾波器的截止頻率推至較低頻率,。圖4顯示了該電容器對輸出噪聲的影響。

圖 4：TPS7A91的噪聲頻譜密度與頻率和CNR/SS的關系

如圖 4 所示,，較大的CNR/SS值會產(chǎn)生更好的噪聲系數(shù),。在某個時刻，增大電容將不再降低噪聲,。剩余的噪聲來自誤差放大器,、FET等。

添加電容器還會在啟動期間引入RC延遲,，從而導致輸出電壓以較慢的速度斜升,。當輸出或負載上存在大容量電容并且您需要減輕浪涌電流時，這是有利的,。

公式1將浪涌電流表示為：

為了減少浪涌電流,，您必須降低輸出電容或降低壓擺率。幸好,，CNR/SS有助于實現(xiàn)后者,，如圖 5 所示的TPS7A85相關內(nèi)容。

圖 5：TPS7A85 的啟動過程與 CNR/SS 的關系

如您所見,，增加CNR/SS值會導致啟動時間延長,，從而防止浪涌電流尖峰并可能觸發(fā)限流事件。請注意,，某些具有NR引腳的LDO不會實現(xiàn)軟啟動功能,。它們能夠?qū)崿F(xiàn)快速啟動電路，即便使用大型降噪電容器也有助于實現(xiàn)超短啟動時間,。

結(jié)語

低噪聲LDO對于確保清潔直流電源至關重要,。選擇具有低噪聲特性的LDO并實施相關技術以確保盡可能干凈的輸出非常重要。使用CNR/SS有兩大優(yōu)勢：它使您能夠控制壓擺率和過濾基準噪聲,。有關使用LDO進行設計的更多提示,，請查看LDO基礎知識系列中的其他文章。