1 內(nèi)存條的工作原理
DDR內(nèi)存條是由多顆粒的DDR SDKAM芯片互連組成,，DDR SDRAM是雙數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機存儲器的縮寫,。DDR SDRAM采用雙數(shù)據(jù)速率接口，也就是在時鐘的正沿或負沿都需要對數(shù)據(jù)進行采樣,。在本設計中采用的內(nèi)存是hynix公司的lGB的HYMD564M646CP6-J,。內(nèi)存條的工作原理與單顆粒內(nèi)存芯片的工作原理一樣，主要的控制信號以及控制信號完成的主要功能如表1所示,。
以上的控制信號及地址信號都是由差分時鐘信號中CK的正沿觸發(fā),。DDR SDRAM必須按照一定的工作模式來完成初始化，完成初始化后才能進入到讀寫過程,。DDR SDRAM的控制流程如圖1所示,。
初始化的過程為：(1)上電后，延時200us等待時鐘穩(wěn)定,，然后將CKE拉高,，執(zhí)行一次NOP或者DESELECT操作。(2)執(zhí)行一次precharge all操作,。(3)設置擴展模式寄存器(BAl為低電平BA0為高電平)使能DLL,。(4)設置模式寄存器(BAl，BA0均為低電平)復位DLL,。(5)執(zhí)行一次pre-charge all指令,。(6)再經(jīng)過2個自刷新(Auto refresh)指令后再次設置模式寄存器設置操作模式。(7)延時200個周期才能進行讀操作,。DDR SDRAM的擴展模式寄存器和模式寄存器的定義如圖2和圖3所示,。
完成初始化后進入圖1中的IDEL狀態(tài)，此時可以進行讀寫操作,。在進行寫操作時,，首先要進入Row active狀態(tài)，此時選中要操作的bank與row,。然后執(zhí)行NOP操作等待tRCD的時間后可以進入寫狀態(tài),。
2 內(nèi)存條電路設計
由于DDR SDRAM采用的時鐘頻率較高，加上DDRSDRAM的數(shù)據(jù)率為時鐘速率的兩倍,，DDR SDRAM對時鐘質(zhì)量的要求很高,，必須保證時鐘上升沿的時間小于5％的時鐘周期。DDR SDRAM的數(shù)據(jù)線與相對應的數(shù)據(jù)采樣信號(DQS)的長度要盡量相等,，來保證數(shù)據(jù)的采樣窗口盡量要大一些,。由于信號質(zhì)量要求高，我們將所有的信號線都采用微電線和帶狀線來傳輸,。使用FPGA和內(nèi)存條的IBIS模型進行仿真來保證設計中信號的完整性,，我們將信號分為3類，第一類,，由FPGA到DDR SDRAM的時鐘差分信號,；第二類，由FPGA到DDR SDRAM的控制線,；第三類,，F(xiàn)PGA與DDR SDRAM之間的雙向傳輸線。對三類IBIS模型的herperlinx仿真如圖4：
通過仿真我們可以確定3類信號線中帶狀線和微帶線板厚,，銅厚,，以及信號線的線寬，線長等參數(shù),。
3 FPGA對DDR SDRAM的控制
本設計中使用的FPGA是ALTERA公司的cyclone II系列的EP2C20F484C6,。對內(nèi)存條的工作模式設置為BL=4,，CL=3，如圖7為FPGA對DDR SD-RAM的控制模塊框圖,。
其中,，Clkin為外部輸入的時鐘信號，為了使FPGA到DDR SDRAM的兩對時鐘信號的質(zhì)量盡量好,，使用FPGA內(nèi)部的兩個鎖相環(huán)輸出差分時鐘信號,。為了保證鎖相環(huán)輸出的兩路差分信號相位一致，在設計PCB時我們使晶振輸出到FPGA兩個PLL輸入的布線距離相等,，為了保證兩個鎖相環(huán)輸出信號到達DDR SDRAM接口時相位一致,，由FPGA鎖相環(huán)輸出到DDR SDRAM的接口布線長度相等。
控制模塊采用的工作模式是按照圖2所示的狀態(tài)來跳轉(zhuǎn),，上電以后首先是對DDR SDRAM進行初始化,，初始化完成以后就可以進出等待工作的狀態(tài)。此時刷新計數(shù)器開始計數(shù),，等待7．8 us后給出刷新請求,，在空閑狀態(tài)時(IDEL)刷新請求的優(yōu)先級最高，響應刷新請求后執(zhí)行REFR-ESH指令同時復位刷新計數(shù)器,。初始化后如果FIF00的讀空標志為O說明FIF00中有數(shù)據(jù),，此時可以進入到寫狀態(tài)。由于采用的是BL=4的工作狀態(tài),，寫操作每次都寫入4個64位的數(shù),。所以，我們將輸入的數(shù)據(jù)進行并位成256位的數(shù),，每次寫操作只需要從FIF00中讀出一個256位的數(shù),。假設我們采用1OOMHz的時鐘，每寫4個64位的數(shù)大概需要10個時鐘周期,。如果輸入的數(shù)據(jù)位寬為16位,，那么由外部傳給FPGA的數(shù)據(jù)率要小于160 MHz。寫操作完成的時候進入空閑狀態(tài),，等待刷新標志或者讀空標志,。讀的時候需要等待系統(tǒng)發(fā)出讀命令(read)，然后進入讀狀態(tài),，讀出的數(shù)據(jù)由Ddrout[127：O]送到FIF01和FIF02中,。通過控制FIF01和FIF02的寫請求信號來實現(xiàn)將數(shù)據(jù)分別寫入。讀的時候BL=4每次讀出4個64位數(shù),，執(zhí)行一次讀操作大約需要10個時鐘周期,。如果輸出的數(shù)據(jù)位寬為16位，那么數(shù)據(jù)由FPGA向外傳輸?shù)乃俾室∮?60 MHzo控制模塊在讀寫內(nèi)存條的時候控制數(shù)據(jù)模塊來實現(xiàn)數(shù)據(jù)率為時鐘速度的兩倍，數(shù)據(jù)模塊使用兩個時鐘一個是系統(tǒng)時鐘一個是2倍的系統(tǒng)時鐘,。
因為DDR SDRAM的控制相對復雜,，我們可以使用內(nèi)存條的vefilog模型，通過對內(nèi)存條的vefilog仿真,，我們可以知道自己程序的正確性,，圖8為modelsim中的仿真波形。如果仿真過程正確,，我就可以對程序進行編譯，布局布線,，然后下載到FPGA中,，由于布局布線的延時，輸出的信號波形與仿真波形不一致,，此時,，可以通過調(diào)整FPGA內(nèi)部的鎖相環(huán)來調(diào)整時序，實現(xiàn)對內(nèi)存條的控制,。
4 結束語
通過介紹內(nèi)存條的工作原理,，以及內(nèi)存條電路設計時的注意事項的介紹，我們可以更合理的實現(xiàn)FPGA與內(nèi)存條的互連,。最后,，給出FPGA內(nèi)部對內(nèi)存條控制的方法，以及給出仿真波形,，實現(xiàn)對內(nèi)存條的控制,。實現(xiàn)FPGA對DDRSDRAM內(nèi)存條的控制，可以實現(xiàn)大容量高速的數(shù)據(jù)存儲,，在工程中的得到廣泛的應用,。