2.45 GHz 0.18 μm CMOS高線性功率放大器設計
所屬分類：技術論文
上傳者：aet
文檔大?。?span>200 K
標簽： 無線局域網(wǎng) 功率放大器 帶隙基準
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文檔介紹：為了在更高的電源電壓下工作,，并便于匹配網(wǎng)絡的設計,，電路采用兩級共源共柵架構。采用自偏置技術放寬功放的熱載流子降低的限制并減小采用厚柵晶體管所帶來的較差的射頻性能,。同時使用帶隙基準產(chǎn)生一個穩(wěn)定且獨立于工藝和溫度變化的直流基準,。采用SMIC 0.18 μm RF CMOS工藝進行設計,，該功率放大器的中心工作頻率為2.45 GHz,，并利用Cadence公司的spectreRF進行仿真。
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