開關電源中功率MOSFET管損壞模式及分析
所屬分類：技術論文
上傳者：aet
文檔大?。?span>362 K
標簽： 過流 過壓 線性區(qū)
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文檔介紹：結合功率MOSFET管不同的失效形態(tài),，論述了功率MOSFET管分別在過電流和過電壓條件下損壞的模式,，并說明了產生這樣的損壞形態(tài)的原因，也分析了功率MOSFET管在關斷及開通過程中發(fā)生失效形態(tài)的差別,，從而為失效在關斷或在開通過程中發(fā)生損壞提供了判斷依據,。給出了測試過電流和過電壓的電路圖。同時分析了功率MOSFET管在動態(tài)老化測試中慢速開通,、在電池保護電路應用中慢速關斷及較長時間工作在線性區(qū)時損壞的形態(tài),。最后，結合實際應用,，論述了功率MOSFET通常會產生過電流和過電壓二種混合損壞方式損壞機理和過程,。
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