針對總劑量效應(yīng)4H-SiC功率器件的加固設(shè)計方法
所屬分類：技術(shù)論文
上傳者：wwei
文檔大?。?span>3818 K
標(biāo)簽： 4H-SiC 器件 總劑量效應(yīng) 電路加固
所需積分：0分積分不夠怎么辦,？
文檔介紹：介紹了總劑量效應(yīng)對4H-SiC功率器件的影響以及對應(yīng)的加固方案。首先介紹了4H-SiC功率器件的電氣特性以及工作時面臨的輻照環(huán)境,。接著根據(jù)輻射對器件特性的影響,，識別輻射缺陷,，并建立了退化機制。然后,，分析了單極性器件和雙極性器件的輻照的特性,。最后，針對器件在輻照環(huán)境中的退化機理,，分別從工藝,、器件結(jié)構(gòu)、版圖與電路方面提出了加固設(shè)計方法,。
現(xiàn)在下載
VIP會員,，AET專家下載不扣分；重復(fù)下載不扣分,，本人上傳資源不扣分,。