一種采用高階曲率補(bǔ)償?shù)膸痘鶞?zhǔn)源 | |
所屬分類(lèi):技術(shù)論文 | |
上傳者:wwei | |
文檔大?。?span>4248 K | |
標(biāo)簽: 帶隙基準(zhǔn)源 高階曲率補(bǔ)償 溫度系數(shù) | |
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文檔介紹:基于0.18 μm BCD工藝,,提出了一種具有較低溫度系數(shù)的高階曲率補(bǔ)償帶隙基準(zhǔn)源,。在基本Kuijk帶隙基準(zhǔn)的結(jié)構(gòu)基礎(chǔ)上,,利用VBE線(xiàn)性化法來(lái)進(jìn)行高階曲率補(bǔ)償,同時(shí)保證流過(guò)補(bǔ)償雙極晶體管的電流也得到高階補(bǔ)償,,兩次高階補(bǔ)償使得帶隙基準(zhǔn)源的溫度系數(shù)更低,。根據(jù)仿真結(jié)果,該帶隙基準(zhǔn)電壓在-55°C ~ 125°C溫度范圍內(nèi),,輸出電壓的最大壓差為0.376 6 mV,,溫度系數(shù)為1.762 ppm/°C,低頻時(shí)電源抑制比(PSRR)為-73.9 dB,。該帶隙基準(zhǔn)源已應(yīng)用于某一高精度的低壓差線(xiàn)性穩(wěn)壓器(LDO)中,。 | |
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