基于CMOS閾值電壓設(shè)計的電壓基準源
所屬分類：技術(shù)論文
上傳者：aetmagazine
文檔大?。?span>3857 K
標簽： 電壓基準 閾值電壓 溫度系數(shù)
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文檔介紹：基于TSMC 0.18 µm標準CMOS工藝,，提出了一種新型無電阻低溫漂電壓基準源,。通過采用CMOS閾值電壓（Vth）和與溫度成正比的電壓（VPTAT）作為基礎(chǔ)線性溫度單元加權(quán)求和的方式,，消除了電壓基準源輸出中殘留的非線性溫度分量，最終得到高精度的電壓基準輸出,。其中CMOS閾值電壓由無電阻結(jié)構(gòu)產(chǎn)生,，VPTAT的產(chǎn)生和與CMOS閾值電壓的加權(quán)求和由非對稱差分運放完成。實測結(jié)果證明,，在-55 ℃~125 ℃溫度范圍內(nèi),，電壓基準源輸出為1.23 V，溫度系數(shù)為4.5 ppm/℃,。在無濾波電容的情況下,，基準電源抑制比可達-93 dB。
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