一種12 GHz的高增益低噪聲放大器
所屬分類：技術(shù)論文
上傳者：aetmagazine
文檔大?。?span>572 K
標(biāo)簽： GaAs pHEMT LNA 共電流兩級結(jié)構(gòu)
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文檔介紹：通過分析GaAs pHEMT器件特性設(shè)計了一款兩級高增益,、低功耗的低噪聲放大器,。采用兩級結(jié)構(gòu)提高低噪聲放大器的增益，設(shè)計了一種共用電流結(jié)構(gòu),，降低了放大器的功耗,，同時降低電路噪聲。輸入,、輸出匹配均采用LC階梯匹配網(wǎng)絡(luò),，具有良好的匹配性，并使用CAD軟件對電路進(jìn)行設(shè)計優(yōu)化,。電路仿真結(jié)果表明,，在中心頻率12 GHz下實(shí)現(xiàn)了增益為27.299 dB、噪聲系數(shù)為0.889 dB,、S11和S22均小于-10 dB的性能,，工作帶寬為600 MHz。此低噪聲放大器作為12 GHz頻段的接收機(jī)的前端設(shè)計研究，具有一定意義,。
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